空间电池用锗抛光片的Marangoni干燥技术

作为空间化合物太阳电池的主要衬底材料,锗抛光片对表面质量要求较高。锗片干燥阶段,采用清洁、高效的Marangoni干燥技术可避免采用传统甩干技术造成的锗片表面沾污和边缘损伤。然而锗片在Marangoni干燥过程中易产生干燥缺陷。本文分析了干燥过程中缺陷产生的原因,研究了主要影响表面质量的提拉速率和氮气吹扫时间,认为锗片Marangoni干燥应采用较慢的提拉速率和适中的氮气吹扫时间,以减少表面和边缘干燥缺陷的产生。对经过Marangoni干燥的锗片进行表面雾值分析和外延生长验证,锗片经过Marangoni干燥表面未发生变化。实验结果表明,Marangoni干燥技术可用于干燥锗抛光片。

高铁车体表面三维重建及瑕疵点检测

针对高铁车体表面高精度三维重建问题,提出了一种基于线结构光扫描的车体表面三维重建及瑕疵点检测方法。通过安装在阵列式仿形相机支架上的多台线结构光传感器对车体表面进行三维数据采集;运用点云数据拼接技术与数据去重原理对多相机采集数据进行处理。同时设计了基于固定激光与光尺基准的误差补偿方法,以提高三维重建精度。提取指定尺寸范围的瑕疵点并输出点云数据;进行三维重建及瑕疵点检测过程节拍分析。实验结果表明:该方法在车体深度方向上能达到较高精度,检测所需时间较短,符合高铁车体表面瑕疵点检测的要求。

化学机械抛光对硅片表面质量影响的研究

通过显微组织观察、WM-7S wafer surface analyzer设备检测对硅片表面粒子缺陷及微粗糙度进行了研究,并对精抛中各工艺参数下硅片表面的微粗糙度（Haze）值进行了分析.结果表明：硅片表面绝大多数粒子缺陷的大小分布在0.15～0.3 μm,其主要形成原因为粗糙不平的硅片表面;化学机械抛光中化学抛光与机械抛光的比重对硅片表面微粗糙度起着重要影响,当化学抛光与机械抛光达到平衡时,能得到最佳的硅片表面质量;精抛参数为：压力25 kPa、转速80 r/min、抛光液流量300 mL/min时,所获得的硅片表面质量最好,其Haze值为0.025×10^-6.

降低半绝缘GaAs单晶片亮点缺陷的热处理工艺研究

GaAs单晶材料已成为一种重要的微电子和光电子基础材料,应用广泛。为了降低半绝缘砷化镓单晶片表面的亮点缺陷,对砷化镓晶片在不同温度和不同砷蒸汽压条件下进行了热处理,研究了热处理对砷化镓中砷的存在形式转换的影响及其机理。