期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
X波段大栅宽高输出功率AlGaN/GaN HEMT的研究
被引量:
3
1
作者
顾卫东
张志国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期1082-1084,共3页
利用MOCVD技术研制了国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料,方块电阻小于260Ω/□,迁移率最大值达到2130 cm2V-1s-1,方块电阻和迁移率不均匀性小于3%,采用新的器件栅结构和高应力SiN钝化技术,降低了大栅宽器件栅泄漏电流,提高了工作电压。研...
利用MOCVD技术研制了国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料,方块电阻小于260Ω/□,迁移率最大值达到2130 cm2V-1s-1,方块电阻和迁移率不均匀性小于3%,采用新的器件栅结构和高应力SiN钝化技术,降低了大栅宽器件栅泄漏电流,提高了工作电压。研制的总栅宽为25.3 mm的四胞内匹配器件X波段输出功率达到141.25 W,线性增益大于12 dB,PAE达到41.4%。
展开更多
关键词
ALGAN/GAN
HEMT
大栅宽
高电压
高输出功率
下载PDF
职称材料
题名
X波段大栅宽高输出功率AlGaN/GaN HEMT的研究
被引量:
3
1
作者
顾卫东
张志国
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
西安电子科技大学微电子学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期1082-1084,共3页
文摘
利用MOCVD技术研制了国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料,方块电阻小于260Ω/□,迁移率最大值达到2130 cm2V-1s-1,方块电阻和迁移率不均匀性小于3%,采用新的器件栅结构和高应力SiN钝化技术,降低了大栅宽器件栅泄漏电流,提高了工作电压。研制的总栅宽为25.3 mm的四胞内匹配器件X波段输出功率达到141.25 W,线性增益大于12 dB,PAE达到41.4%。
关键词
ALGAN/GAN
HEMT
大栅宽
高电压
高输出功率
Keywords
AlGaN/GaN HEMT
long gate width
high operation voltage
high output power
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
X波段大栅宽高输出功率AlGaN/GaN HEMT的研究
顾卫东
张志国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部