Magneto-impedance effect in soft Fe-based nanocrystalline alloys

IN recent years, giant magneto-resistance (GMR) effects have been observed in some binary composite systems such as multi-layered and granular films of Fe, Co, Ni and Cr, Ag, Cu and attracted considerable interest due to their potential applications in magnetic recording heads and field sensors. However, a notable GMR effect in these films always requires a strong external magnetic field at low temperature. More recently, Mohri et al. have discovered

低频脉冲电流退火对CoFeSiB非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

研究了经不同低频脉冲电流密度退火的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶薄带的巨磁阻抗(GMI)效应。结果表明,在低频脉冲电流下,巨磁阻抗效应的大小与退火电流密度密切相关。非晶带的GMI变化率△Z/Z先随退火电流密度的增加而增强,当电流密度为104A/mm2时,△Z/Z达到最大值53.8%,此后随电流密度增大,GMI变化率开始减小。对脉冲电流退火影响巨磁阻抗效应的机制作了定性分析。并分析了由脉冲电流退火在材料内感生的横向各向异性场HK对GMI效应的影响,发现HK有利于提高GMI效应的峰值,但同时存在一个临界值,当超过这个值时,GMI效应的峰值减弱。

加磁场退火对铁基薄膜巨磁阻抗效应的影响

用射频溅射法制备了(Fe88zr7B5)0.97CU0.03软磁合金薄膜,研究了不同磁场退火方式对(Fe88Zr7B5)0.97 Cu0.03薄膜软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应的影响。结果表明,纵向和横向磁场退火方式都能有效地提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,在13 MHz频率下纵向最大GMI比分别为18％和17％;纵向磁场退火能有效消除薄膜样品的磁各向异性,优化薄膜样品的软磁性能;横向磁场退火则能有效感应横向磁各向异性并提高巨磁阻抗效应的磁场响应灵敏度。

电流退火对FEZRBCU软磁合金膜巨磁阻抗效应的影响

采用射频溅射法在单晶硅基片上沉积了(FE88ZR7B5)0.97CU0.03软磁薄膜样品,对制备态样品进行了直流电流退火处理。结果表明,最佳退火电流为800 MA,在13 MHZ频率下,最大纵向巨磁阻抗比从制备态的8%上升到最佳退火态的17%,明显提高了巨磁阻抗效应和磁场响应灵敏度。详细分析和讨论了样品的巨磁阻抗效应随退火电流变化的特性和机理。

不同磁场退火方式FeZrBCu薄膜巨磁阻抗效应比较

用射频溅射法制备了(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03软磁合金薄膜,研究了不同磁场退火方式对薄膜磁导率和巨磁阻抗(GMI)效应的影响。结果表明,纵向和横向磁场退火都能有效地提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,在13MHz频率下纵向最大GMI比分别为18.6%和17%;纵向磁场退火后薄膜样品的横向磁各向异性消失,横向磁场退火则能有效增强横向磁各向异性,提高巨磁阻抗效应的磁场响应灵敏度;磁场诱导的磁导率变化是巨磁阻抗效应变化的主要原因。

多场耦合Fe基合金巨磁阻抗效应调控机制

Fe基合金性能优异,是首选的“双绿色”节能材料,在电力电子信息领域具有重要的应用价值.本文对单辊快淬制备的Fe_(64.8)Co_(7.2)Nb_(4)Si_(4.8)B_(19.2)非晶薄带实施多场耦合热处理(电流张应力退火),采用阻抗仪和磁力显微镜观测薄带纵向驱动巨磁阻抗效应及磁畴结构,结合X射线衍射、随机各向异性模型和数值拟合分析薄带的磁晶各向异性和应力各向异性,提出磁各向异性竞争因子k,从磁各向异性角度研究合金带巨磁阻抗效应调控机制.结果表明,k≤0.147的薄带展现出“单峰”和“穹顶”状的巨磁阻抗效应,且具有较规则的横向磁畴结构;而k>0.147的薄带展现出“尖刺+穹顶”状巨磁阻抗效应,同时在较不规则的横向畴畴壁处观测到新畴的形核和分裂,这为磁各向异性的竞争抑制作用提供了佐证.因此,本研究认为多场耦合热处理Fe_(64.8)Co_(7.2)Nb_(4)Si_(4.8)B_(19.2)合金薄带展现出良好的应力敏感特性可由磁各向异性的竞争抑制作用解释,它是材料巨磁阻抗效应实现调控的主要原因,在调制优化材料磁性能方面具有良好的应用前景.

制备态Fe_(21)Ni_(79)/Cu/Fe_(21)Ni_(79)三明治薄膜的纵向巨磁阻抗效应

采用直流电镀结合正胶光刻工艺制备了Fe21Ni79／Cu／Fe21Ni79三明冶薄膜，并在0．1-40MHz范围内研究了它的纵向巨磁阻抗效应特性。实验结果表明，Fe21Ni79／Cu／Fe21Ni79三明治薄膜有十分明显的纵向GMI效应，GMI先随外加磁场的增高而迅速增大，在Hext=0.96kA／m达到最大值后开始逐渐下降．在频率为1．2MHz，外加磁场为0．96kA／m时薄膜的纵向GMI最大值达到88．3％．