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Synthesis and optical properties of soluble low bandgap poly (pyrrole methine) with alkoxyl substituent 被引量:2
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作者 Baoming LI Enkai PENG +1 位作者 Leilei YE Zhiyin WU 《Frontiers of Optoelectronics》 EI CSCD 2016年第1期99-105,共7页
A soluble low bandgap poly (pyrrole methine) with alkoxyl substituent, poly {(3-hexanoyl)pyrrole-[2,5- diyl(p-tetradecyloxybenzylidene)]} (PHPDTBE), was synthesized and characterized by 1H nuclear magnetic res... A soluble low bandgap poly (pyrrole methine) with alkoxyl substituent, poly {(3-hexanoyl)pyrrole-[2,5- diyl(p-tetradecyloxybenzylidene)]} (PHPDTBE), was synthesized and characterized by 1H nuclear magnetic resonance (1H-NMR), Fourier transform-infrared (FT-IR), elemental analysis (EA) and gel permeation chromatography (GPC). PHPDTBE was readily soluble in weak polar organic solvents. The absorption peaks of PHPDTBE solution and film were located at around 458 and 484 nm, respectively. The optical bandgaps of PHPDTBE film for indirect allowed and direct allowed transitions were measured to be 1.66 and 2.35 eV, respectively. PHPDTBE film had few defects in the energy band and the Urbach energy of PHPDTBE film was calculated to be about 0.19 eV. The resonant third-order nonlinear optical susceptibilities of PHPDTBE solution and film measured by degenerate four-wave mixing (DFWM) technique at 532nm were all in the order of 10 8 esu, which was about 1-3 orders of magnitude larger than that of the other ordinary n-conjugation polymers. 展开更多
关键词 poly (pyrrole methine) low bandgap Urbachenergy third-order nonlinear optical property
原文传递
Low-bandgap polymers with quinoid unit as π bridge for high-performance solar cells
2
作者 Bilal Shahid Xiyue Yuan +5 位作者 Qian Wang Di Zhou Ergang Wang Xichang Bao Dangqiang Zhu Renqiang Yang 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第1期180-187,I0007,共9页
To construct efficient low band gap polymers,increasing the Quinone structure of the polymer backbone could be one desirable strategy.In this work,two D–Q–A–Q polymers P1 and P2 were designed and synthesized with t... To construct efficient low band gap polymers,increasing the Quinone structure of the polymer backbone could be one desirable strategy.In this work,two D–Q–A–Q polymers P1 and P2 were designed and synthesized with thiophenopyrrole diketone(TPD)and benzothiadiazole(BT)unit as the core and ester linked thieno[3,4-b]thiophene(TT)segment as π-bridging,and the main focus is to make a comparative analysis of different cores in the influence of the optical,electrochemical,photochemical and morphological properties.Compared with the reported PBDTTEH–TBTTHD-i,P1 exhibited the decreased HOMO energy level of-5.38 e V and lower bandgap of 1.48 e V.Furthermore,when replaced with BT core,P2 showed a red-shifted absorption profile of polymer but with up-shifted HOMO energy level.When fabricated the photovoltaic devices in conventional structure,just as expected,the introduction of ester substituent made an obvious increase of VOC from 0.63 to 0.74 V for P1.Besides,due to the deep HOMO energy level,higher hole mobility and excellent phase separation with PC71 BM,a superior photovoltaic performance(PCE=7.13%)was obtained with a short-circuit current density(JSC)of 14.9 m A/cm^2,significantly higher than that of P2(PCE=2.23%).Generally,this study highlights that the strategy of inserting quinoid moieties into D–A polymers could be optional in LBG-polymers design and presents the importance and comparison of potentially competent core groups. 展开更多
关键词 low bandgap polymer Side-chain engineering Quinone structure π-bridging
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Modulating Bandgap and HOCO/LUCO Energy of Semiconducting Polymer by Copolymerization or Incorporation of Electron Withdrawing/Releasing Groups
3
作者 YAN Liu-ming LU Wen-cong 《Chemical Research in Chinese Universities》 SCIE CAS CSCD 2007年第5期598-601,共4页
The modulation of bandgap and HOCO/LUCO energies of conjugated polymers by copolymerization or by incorporation of electron withdrawing/releasing groups is studied.The study was conducted by band structure calculation... The modulation of bandgap and HOCO/LUCO energies of conjugated polymers by copolymerization or by incorporation of electron withdrawing/releasing groups is studied.The study was conducted by band structure calculation applying density functional theory with generalized gradient approximation.The polymers and copolymers were modeled as 1D infinite system with periodical boundary condition along the molecular direction.It is concluded that the bandgap and HOCO/LUCO energies of conjugated polymers depend on both electron withdrawing/releasing effects and non-bonding interaction between a side group and the conjugated systems. 展开更多
关键词 Ab initio calculation Density functional theory Band structure Semiconducting polymer low bandgap
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High-PSRR High-Order Curvature-Compensated CMOS Bandgap Voltage Reference 被引量:3
4
作者 Qianneng Zhou Yunsong Li +3 位作者 Jinzhao Lin Hongjuan Li Yu Pang Wei Luo 《Journal of Harbin Institute of Technology(New Series)》 EI CAS 2015年第5期116-124,共9页
A high-PSRR high-order curvature-compensated CMOS bandgap voltage reference( BGR),which has the performances of high power supply rejection ratio( PSRR) and low temperature coefficient,is designed in SMIC 0. 18 μm CM... A high-PSRR high-order curvature-compensated CMOS bandgap voltage reference( BGR),which has the performances of high power supply rejection ratio( PSRR) and low temperature coefficient,is designed in SMIC 0. 18 μm CMOS process. Compared to the conventional curvature-compensated BGR which adopted a piecewise-linear current,the temperature characterize of the proposed BGR is effectively improved by adopting two kinds of current including a piecewise-linear current and a current proportional 1. 5 party to the absolute temperature T. By adopting a low dropout( LDO) regulator whose output voltage is the operating supply voltage of the proposed BGR core circuit instead of power supply voltage VDD,the proposed BGR with LDO regulator achieves a well PSRR performance than the BGR without LDO regulator. Simulation results show that the proposed BGR with LDO regulator achieves a temperature coefficient of 2. 1 × 10-6/ ℃ with a 1. 8 V power supply voltage and a line regulation of 4. 9 μV / V at 27 ℃. The proposed BGR with LDO regulator at 10 Hz,100 Hz,1 k Hz,10 k Hz and 100 k Hz have the PSRR of- 106. 388,- 106. 388,- 106. 38,- 105. 93 and-88. 67 d B respectively. 展开更多
关键词 bandgap voltage reference low DROPOUT REGULATOR temperature coefficient power supply REJECTION ratio
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Design of low-pass filter based on a novel defected ground structure
5
作者 钟小明 李国辉 《Journal of Shanghai University(English Edition)》 CAS 2007年第4期396-399,共4页
A novel defected ground structure (DGS) for the microstrip line is proposed in this paper. The DGS lattice has more defect parameters so that it can provide better performance than the conventional dumbbell-shaped D... A novel defected ground structure (DGS) for the microstrip line is proposed in this paper. The DGS lattice has more defect parameters so that it can provide better performance than the conventional dumbbell-shaped DGS. Selectivity is improved by 97.2% with a sharpness factor of 24.6%. The method is applied to the design of a low-pass filter to confirm validity of the proposed DGS. 展开更多
关键词 defected ground structure (DGS) low-pass filter bandgap sharpness factor SELECTIVITY
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一种新型带曲率补偿的带隙基准
6
作者 李新 高梦真 杨森林 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第7期878-883,共6页
针对传统带隙基准存在温度漂移大以及电源抑制比低的问题,提出了一种新型的带曲率补偿的带隙基准电压源。采用基极电流补偿以及曲率补偿技术对传统带隙基准结构进行改进。设计了低失配改进电路、低温漂改进以及启动电路等。利用共源共... 针对传统带隙基准存在温度漂移大以及电源抑制比低的问题,提出了一种新型的带曲率补偿的带隙基准电压源。采用基极电流补偿以及曲率补偿技术对传统带隙基准结构进行改进。设计了低失配改进电路、低温漂改进以及启动电路等。利用共源共栅电流镜技术和负反馈网络保证带隙基准输出电压,极大程度降低了运放失调电压对带隙基准电压的干扰,实现了低温漂特性。基于东部高科0.18μm BCD工艺,在Cadence Spectre下进行仿真。仿真结果表明:该带隙基准电路在-40~150℃温度范围内,输入电压为5 V,输出电压稳定在1.192 V;温度系数为4.84×10^(-6)/℃;在低频时电源抑制比为-78 dB。 展开更多
关键词 带隙基准 基极电流补偿 曲率补偿 低温度系数 电源抑制比
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一种局域共振型声学超材料的半解析建模与带隙机制研究 被引量:1
7
作者 赵振成 张涵柯 郑玲 《振动与冲击》 EI CSCD 北大核心 2024年第3期27-36,45,共11页
基于声学黑洞(acoustic black hole, ABH)弧形梁体积小且模态频率丰富的特点,将声学黑洞弧形梁作为附加结构周期分布在直梁上,达到促进局域共振效应和拓宽低频带隙的作用,由此构建一种新的局域共振型声学超材料。针对局域共振型超材料,... 基于声学黑洞(acoustic black hole, ABH)弧形梁体积小且模态频率丰富的特点,将声学黑洞弧形梁作为附加结构周期分布在直梁上,达到促进局域共振效应和拓宽低频带隙的作用,由此构建一种新的局域共振型声学超材料。针对局域共振型超材料,采用高斯展开法,建立其半解析理论分析模型,基于零空间法处理其内部连接以及周期边界条件,并通过有限元法验证半解析理论分析模型的准确性。分析和计算其能带结构,研究结构参数以及ABH效应对布拉格带隙以及局域共振带隙的影响机理。研究结果表明,该半解析理论模型能够对结构的带隙进行有效计算,附加弧形ABH的陷波机制能够促进结构的局域共振效应并对主梁进行有效减振,为声学黑洞声学超材料的应用提供了新的思路。 展开更多
关键词 声学黑洞(ABH) 局域共振 声学超材料 低频带隙
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双层超材料板的带隙特征与隔声性能研究
8
作者 刘兵飞 郝杨杰 +3 位作者 赵寰宇 肖伟民 盖晓玲 骆岩红 《噪声与振动控制》 CSCD 北大核心 2024年第4期270-277,共8页
通过设计槽形双环共振单元,构造正方点阵、三角点阵双层超材料板,采用有限元法计算他们的弯曲波低频带隙,而局域共振产生负的动态质量密度的频率段与带隙很好地吻合。对于相同晶格常数和材料组分条件下,在弯曲波带隙频率范围分析正方点... 通过设计槽形双环共振单元,构造正方点阵、三角点阵双层超材料板,采用有限元法计算他们的弯曲波低频带隙,而局域共振产生负的动态质量密度的频率段与带隙很好地吻合。对于相同晶格常数和材料组分条件下,在弯曲波带隙频率范围分析正方点阵、三角点阵双层超材料板的双环旋转角β、声波入射角θ对隔声量STL的影响。与常见同质量均质双层板比较,这种新型双层超材料板具有频率低、结构简单、体积小等优点,在减振降噪工程领域有着广阔应用前景。 展开更多
关键词 声学 双层超材料板 弯曲波 低频带隙 点阵类型 隔声特性
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复合柱局域共振声子晶体的超宽带隙与可调性研究
9
作者 张敏 温晓东 +3 位作者 孙小伟 刘禧萱 宋婷 刘子江 《噪声与振动控制》 CSCD 北大核心 2024年第4期96-102,共7页
局域共振声子晶体因具有良好的低频带隙特性,在低频减振降噪方面具有广泛的应用前景。以设计一种具有超宽带隙的三组元二维复合柱声子晶体结构为目标,该结构由散射体、双包覆层和六棱柱基体板组成,相对应的局域共振单元附加质量比为65.... 局域共振声子晶体因具有良好的低频带隙特性,在低频减振降噪方面具有广泛的应用前景。以设计一种具有超宽带隙的三组元二维复合柱声子晶体结构为目标,该结构由散射体、双包覆层和六棱柱基体板组成,相对应的局域共振单元附加质量比为65.13,利用有限元方法计算该声子晶体板的能带结构、传输损失谱和位移矢量场。结果表明:在0~3000 Hz的频率范围内相对带宽高达162.10%。与方形柱基体板声子晶体相比,所设计的六棱柱基体板声子晶体的第一完全带隙频率更低且第二带隙频率范围更宽。通过优化几何结构、改变材料参数以及引入压电效应等方式,实现对多条完全带隙的调控,并进一步拓宽完全带隙形成超宽带隙。研究结果可为研发可调低频减振降噪产品提供一定的理论参考。 展开更多
关键词 声学 声子晶体 有限元法 局域共振 低频超宽带隙 带隙可调性
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新型单相超材料的低频带隙和振动特性研究
10
作者 杨红云 张昭展 +5 位作者 王硕 延浩 丁千 董兴建 孙永涛 燕群 《航空科学技术》 2024年第8期36-55,共20页
低频振动和噪声的抑制一直是工程中的重要问题。本文提出了一种新型的单相超材料结构,有望应用于噪声控制。基于布洛赫(Bloch)定理和有限元方法(FEM),数值分析了这种新型结构的带隙特性和带隙形成机制,参数化分析了带隙与几何尺寸的依... 低频振动和噪声的抑制一直是工程中的重要问题。本文提出了一种新型的单相超材料结构,有望应用于噪声控制。基于布洛赫(Bloch)定理和有限元方法(FEM),数值分析了这种新型结构的带隙特性和带隙形成机制,参数化分析了带隙与几何尺寸的依赖关系,用三维色散曲面、频率等值线、相速度和群速度等探究了波在结构中的传播特性,而且分析了有限尺寸晶格中的弹性波衰减,验证了带隙的存在对弹性波的有效抑制作用。结果表明,该新型结构具备优异的带隙特性,带隙对几何尺寸较敏感,可由此实现带隙的可调性,该新型结构能对1000Hz频率以内的弹性波起到很好的抑制。为低频超材料结构的设计开辟了一条思路。 展开更多
关键词 低频带隙 波传播 振动抑制 群速度 相速度
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基于大厚度六方氮化硼中子探测器的制备 被引量:1
11
作者 刘敬润 曹炎 +8 位作者 刘晓航 范盛达 王帅 陈曦 刘洪涛 刘艳成 赵江滨 何高魁 陈占国 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第3期415-419,共5页
六方氮化硼是一种中子敏感材料。介绍了使用低压气相化学沉积在1673K下以大约20μm/h的生长速率制备了高质量203μm厚的六方氮化硼。在氮化硼的两侧沉积厚度为100nm的金电极,制备了垂直结构的六方氮化硼中子探测器。该器件的电学性质表... 六方氮化硼是一种中子敏感材料。介绍了使用低压气相化学沉积在1673K下以大约20μm/h的生长速率制备了高质量203μm厚的六方氮化硼。在氮化硼的两侧沉积厚度为100nm的金电极,制备了垂直结构的六方氮化硼中子探测器。该器件的电学性质表明制备的六方氮化硼材料的迁移率寿命的乘积(μτ)为2.8×10^(-6)cm^(2)/V,电阻率为1.5×10^(14)Ω·cm。在850V电压下,该探测器对热中子的探测效率为34.5%,电荷收集效率为60%。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 六方氮化硼 中子探测 低压气相化学沉积 深紫外光电探测器
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DPP基窄带隙聚合物光伏型探测器性能研究
12
作者 周渊 郭鹏智 王晓峰 《兰州交通大学学报》 CAS 2024年第1期140-150,共11页
有机/聚合物光探测器以其光谱选择可控、带隙可调、制备工艺简单、易于实现大面积柔性器件等突出优点,一直备受关注。选择结构简单的3,3′-双甲氧基取代的联二噻吩(OT)、3,4-二甲氧基噻吩(O)和3,6-二甲氧基噻并[3,2-b]噻吩(OTT)等寡聚... 有机/聚合物光探测器以其光谱选择可控、带隙可调、制备工艺简单、易于实现大面积柔性器件等突出优点,一直备受关注。选择结构简单的3,3′-双甲氧基取代的联二噻吩(OT)、3,4-二甲氧基噻吩(O)和3,6-二甲氧基噻并[3,2-b]噻吩(OTT)等寡聚噻吩单元作富电子单元,吡咯[3,4-c]吡咯-1,4-二酮(DPP)作缺电子单元,制备系列D-A型窄带隙共轭聚合物POT-DPP,PO-DPP和POTT-DPP,并对聚合物的热稳定性、吸收光谱、聚集状态、能级及其光伏型探测器件的光伏性能、电荷迁移、复合损失过程及比探测率(D*)等进行了系统研究。其中含更大共轭平面的POTT-DPP:PC71BM的光探测器的探测性能最佳,在400 nm和850 nm处的D*分别为1.87×10^(11)Jones和1.67×10^(11)Jones,这主要受益于器件中高且平衡的空穴/电子迁移率,能更好地抑制双分子复合、陷阱辅助复合以及形成更有利的光敏层表面形貌。此项工作证明,通过增大D-A型共轭聚合物主链上的富电子单元的有效共轭面积,可以调节聚合物的带隙,促进探测器件载流子迁移,抑制其复合,从而促进光伏型光探测器件性能的显著提升。 展开更多
关键词 3 6-二甲氧基噻并[3 2-b]噻吩 窄带隙 聚合物光探测器 比探测率
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一种低成本高精度欠压保护电路
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作者 张睿宸 隋继超 +1 位作者 贺章擎 万美琳 《微电子学与计算机》 2024年第7期74-80,共7页
提出了一种低成本、高精度欠压保护电路。采用负反馈电路将电源采样电压、带隙基准负温度系数电压和带隙基准正温度系数电压分散于两条不同的支路中;通过对电阻比例进行合理的设计,两条支路的输出电压差能够同时包含电源的采样电压和精... 提出了一种低成本、高精度欠压保护电路。采用负反馈电路将电源采样电压、带隙基准负温度系数电压和带隙基准正温度系数电压分散于两条不同的支路中;通过对电阻比例进行合理的设计,两条支路的输出电压差能够同时包含电源的采样电压和精准的带隙基准电压。在采用比较器对该两条支路输出电压差进行比较后,等效实现了对电源采样电压和基准电压的比较。所提电路结构简单,避免使用了启动电路、偏置电路等辅助电路,精准地实现电源电压与基准电压的比较,同时实现了高精度和低成本。基于HHGRACE 0.11μm工艺对上述欠压保护电路进行了设计和版图实现。后仿真结果显示,当电源电压正常为3.60 V,欠压保护点下降阈值设计为2.44 V,上升阈值设计为2.50 V时,在不同工艺角情况下,温度范围为-40℃~125℃时,欠压点最大偏差为120 mV(6σ),功耗为21μW,整个电路的面积为18000μm^(2)。 展开更多
关键词 欠压保护 带隙基准 CMOS工艺 低成本 高精度
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一种3×10^(-6)/℃的超低温漂带隙基准源
14
作者 娄义淳 杜承钢 +3 位作者 闵睿 郑倩 杨发顺 马奎 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期742-748,共7页
基于40 V双极型工艺,利用Brokaw型带隙基准源模型,设计了一种宽输入电压范围、超低温漂的带隙基准源。在Brokaw模型的基础上改进核心带隙基准电路设计,使用不同温度系数电阻的补偿方法对基准源的温漂进行二阶补偿;偏置电路使用改进的基... 基于40 V双极型工艺,利用Brokaw型带隙基准源模型,设计了一种宽输入电压范围、超低温漂的带隙基准源。在Brokaw模型的基础上改进核心带隙基准电路设计,使用不同温度系数电阻的补偿方法对基准源的温漂进行二阶补偿;偏置电路使用改进的基极-发射极电压作为电流源,利用电流镜为其他模块提供电流;在钳位运放中引入负反馈,以提高电路的输入电压范围。芯片实测数据表明,在4~36 V的工作电压范围内,2.5 V和3 V输出电压的温漂系数均小于3×10^(-6)/℃;2.5 V和3 V输出电压的线性调整率分别为7.3μV/V和2.5μV/V,实现了超低的温度漂移和线性调整率。 展开更多
关键词 双极型 带隙基准源 超低温漂 Brokaw模型 二阶补偿
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一种Brokaw结构的斩波稳定型带隙基准源设计
15
作者 邬森宇 刘一婷 《微处理机》 2024年第2期8-12,共5页
针对传统带隙基准电压源在工艺误差的影响下输出电压精度较低的问题,设计一款低失调电压斩波稳定型带隙基准电压源。该带隙基准电压源包含带隙基准源核心、基准电流源、折叠式共源共栅放大器、斩波器、陷波滤波器等,通过斩波器和陷波滤... 针对传统带隙基准电压源在工艺误差的影响下输出电压精度较低的问题,设计一款低失调电压斩波稳定型带隙基准电压源。该带隙基准电压源包含带隙基准源核心、基准电流源、折叠式共源共栅放大器、斩波器、陷波滤波器等,通过斩波器和陷波滤波器配合使用滤除掉放大器的失调电压和低频噪声。使用TSMC 0.18μm CMOS工艺,在Cadence Virtuoso平台进行验证,仿真结果表明该带隙基准源能稳定输出1.228V基准电压,且具有较小的失调电压和较小的低频噪声,适用于高精度的应用场合。 展开更多
关键词 斩波调制 带隙基准 低失调 低噪声
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周期性多层排桩低频隔振及衰减域拓宽研究
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作者 高赟杰 姚文山 +2 位作者 王子立 李泰灃 王业顺 《铁道建筑》 北大核心 2024年第2期118-123,共6页
针对10 Hz以下的低频轨道交通振动,提出一种截面带孔软体层多层桩,通过频散曲线研究软体层填充率对带隙的影响;通过频域分析,研究排桩数量影响,并提出带隙中心频率连续的排桩组合方式来拓宽衰减域;最后,通过时域曲线研究组合排桩对宽低... 针对10 Hz以下的低频轨道交通振动,提出一种截面带孔软体层多层桩,通过频散曲线研究软体层填充率对带隙的影响;通过频域分析,研究排桩数量影响,并提出带隙中心频率连续的排桩组合方式来拓宽衰减域;最后,通过时域曲线研究组合排桩对宽低频振动的衰减性能。结果表明:降低软体层填充率可以有效降低带隙频率,极易获得10 Hz以下的低频带隙;当软体层填充率大于80%时带隙频率随软体层填充率减小而迅速减小,当软体层填充率小于80%时带隙频率随软体层填充率减小而缓慢减小;中心频段连续时多类排桩组合频率响应曲线和单类排桩类似,可以平稳拓宽衰减域,且桩基类型越多衰减域越宽;组合多层排桩可以对宽低频振动波产生良好阻隔效应,隔振的根本原因是大部分入射波在排桩局域共振作用下转变成了反射波。 展开更多
关键词 周期结构 多层填充桩 低频带隙 拓宽衰减域 轨道交通
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一种高精度低功耗带隙基准电压源的设计
17
作者 王鑫宇 姜丹丹 颜哲 《成都信息工程大学学报》 2024年第5期560-566,共7页
基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种高精度低功耗二阶温度补偿带隙基准电压源。该电路利用双极型晶体管基极-发射极电压的叠加来产生一个二阶温度补偿电压,并与一阶温度补偿电压加权相加得到一个低温度系数的基准电压。带隙基准电压源内... 基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种高精度低功耗二阶温度补偿带隙基准电压源。该电路利用双极型晶体管基极-发射极电压的叠加来产生一个二阶温度补偿电压,并与一阶温度补偿电压加权相加得到一个低温度系数的基准电压。带隙基准电压源内部放大器结构采用折叠型共源共栅放大器来提高带隙基准电压源的精度。电路采用3~3.6 V电压供电,基准输出电压为1.2555 V左右。仿真结果表明,在-55℃~125℃,典型情况下的温度系数为2.03 ppm/℃,电路PSRR在低频时可达-78 dB,整体静态电流只有10.8μA。与常规带隙基准电压源电路相比,该电路具有低功耗、高精度、高电源电压抑制比、宽工作电压和结构简单等优点。 展开更多
关键词 带隙基准 低功耗 二阶补偿 低温度系数 电源抑制比
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一种采用激光修调的高精度带隙基准电压源
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作者 韩前磊 王成皓 +1 位作者 钟道鸿 杨伟伟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期906-911,共6页
基于Brokaw带隙基准模型设计了一种高精度、低温漂的基准电压源。采用金属薄膜电阻的低温漂特性降低基准电压的温漂系数,并通过后期的激光修调实现基准电压的高精度输出;采用p型基区电阻的正温漂特性,引入一个正温度系数的二阶电压分量... 基于Brokaw带隙基准模型设计了一种高精度、低温漂的基准电压源。采用金属薄膜电阻的低温漂特性降低基准电压的温漂系数,并通过后期的激光修调实现基准电压的高精度输出;采用p型基区电阻的正温漂特性,引入一个正温度系数的二阶电压分量,实现带隙基准电压的二阶曲率补偿,进一步减小输出基准电压的温漂系数。采用双极型工艺完成设计,对电路进行测试。测试结果表明,5~36 V的电源电压范围内可稳定输出2.5 V、3 V的基准电压,输出电压温漂为2.17×10^(-6)/℃,输出电压误差绝对值为0.15 mV,线性调整率为2.85μV/V,输出短路电流为44.35 mA,静态电流为0.68 mA。 展开更多
关键词 带隙基准 高精度 低温漂 激光修调 曲率补偿
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新型低功耗低温漂带隙基准电路设计
19
作者 孙丰毅 李建成 《中国集成电路》 2024年第3期50-53,77,共5页
本文提出了一种新型参考电压电路设计方式,其产生的输出参考电压,又被称为带隙基准,具有超低功耗、低温漂系数的特点,电路简单易于实现,非常适合于低功耗领域芯片设计的应用。与传统的带隙基准电路不同,此电路利用具有负温度系数的双极... 本文提出了一种新型参考电压电路设计方式,其产生的输出参考电压,又被称为带隙基准,具有超低功耗、低温漂系数的特点,电路简单易于实现,非常适合于低功耗领域芯片设计的应用。与传统的带隙基准电路不同,此电路利用具有负温度系数的双极晶体管基极-发射极电压和工作在亚阈值区域具有正温度系数的MOS管栅极-源极电压相加权,构成一个带隙基准电压。设计采用110nm半导体工艺,电源电压1.8V,在典型工艺角下,-40℃~105℃温度范围内平均功耗电流为948nA,温漂系数为11.64ppm/℃。 展开更多
关键词 低功耗 低温漂 带隙基准 负温度系数 亚阈值 正温度系数
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基于低电压与高PSRR的带隙电压基准源设计
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作者 杨永念 《集成电路应用》 2024年第1期38-40,共3页
阐述对低电压、高电源抑制比(PSRR)的带隙电压基准源设计,分析带隙电压基准源的特点,结合原电路设计的局限性,设计了低电压、高PSRR的带隙电压基准源电路结构。仿真分析表明,仿真的结果和理论分析结果保持一致,所设计电路在低压模拟电... 阐述对低电压、高电源抑制比(PSRR)的带隙电压基准源设计,分析带隙电压基准源的特点,结合原电路设计的局限性,设计了低电压、高PSRR的带隙电压基准源电路结构。仿真分析表明,仿真的结果和理论分析结果保持一致,所设计电路在低压模拟电路以及数字信号处理系统中有较好适用性。 展开更多
关键词 电路设计 低电压 高PSRR 带隙电压基准源
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