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Design and synthesis of liquid crystal copolyesters with high-frequency low dielectric loss and inherent flame retardancy 被引量:3
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作者 Shi-Yu Zhang Teng Fu +3 位作者 Yue Gong De-Ming Guo Xiu-Li Wang Yu-Zhong Wang 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2023年第5期621-625,共5页
Ultra-low dielectric loss(Df)and low dielectric constant(Dk)materials are urgently required in highspeed and large-capacity transmission,in which the wholly aromatic liquid crystal polymer(LCP)has gained attention due... Ultra-low dielectric loss(Df)and low dielectric constant(Dk)materials are urgently required in highspeed and large-capacity transmission,in which the wholly aromatic liquid crystal polymer(LCP)has gained attention due to its excellent dielectric properties.However,the relationship between molecular structure and dielectric properties is still not clear.In this study,two copolyesters containing phenyl or naphthyl structures are synthesized,as well as the effects of benzene and naphthalene mesogens on dielectric properties are investigated.The synthesized copolyesters containing naphthalene structure have good comprehensive properties with high thermal stability(T_(5%)=479℃ and T_g=195-216℃),inherent flame retardance(LOI=33.0-35.0 and UL-94 V-0 level at 0.8 mm),low Dk(2.9-3.0@10 GHz)and low Df(0.0027-0.0047@10 GHz).Naphthalene mesogen can reduce the dielectric loss more significantly than benzene at high frequency by reducing the density and mobility of polarizable groups,which leads to the effectively limited dipole polarization in copolyesters.Consequently,we proposed a new strategy for designing low Dk and low Df materials. 展开更多
关键词 Liquid crystal polymer low dielectric loss low dielectric constant Naphthalene structure Flame retardant
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Temperature-frequency dependence and mechanism of dielectric properties for γ-Y_2Si_2O_7
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作者 侯志灵 曹茂盛 +1 位作者 袁杰 宋维力 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第1期510-514,共5页
This paper reports that single-phase γ-Y2Si2O7 is prepared via a sufficient blending and cold-pressed sintering technique from Y2O3 powder and SiO2 nanopowder. It studies the dielectric properties of γ-Y2Si2O7 as a ... This paper reports that single-phase γ-Y2Si2O7 is prepared via a sufficient blending and cold-pressed sintering technique from Y2O3 powder and SiO2 nanopowder. It studies the dielectric properties of γ-Y2Si2O7 as a function of the temperature and frequency. The γ-Y2Si2O7 exhibits low dielectric loss and non-Debye relaxation behaviour from 25 to 1400℃ in the range of 7.3 18 GHz. The mechanism for polarization relaxation of the as-prepared γ-Y2Si2O7 differing from that of SiO2 is explained. Such particular dielectric properties could potentially make specific attraction for extensive practical applications. 展开更多
关键词 γ-Y2Si2O7 dielectric properties structural relaxation polarization low dielectric loss
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Low-loss Cd-substituted Mg ferrites with matching impedance for high-frequency-range antennas
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作者 Gongwen Gan Dainan Zhang +7 位作者 Jie Li Gang Wang Xin Huang Yan Yang Yiheng Rao Xueying Wang Huaiwu Zhang Ray T.Chen 《Journal of Magnesium and Alloys》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第4期1403-1413,共11页
The effects of Cd^(2+) ions on the microstructure,magnetic properties,and dielectric properties of Bi_(2)O_(3)-added MgFe_(2)O_(4) ferrites(Cd_(x)Mg_(1-x)Fe_(2)O_(4),x=0.00,0.15,0.30 and 0.45)are obtained by adopting ... The effects of Cd^(2+) ions on the microstructure,magnetic properties,and dielectric properties of Bi_(2)O_(3)-added MgFe_(2)O_(4) ferrites(Cd_(x)Mg_(1-x)Fe_(2)O_(4),x=0.00,0.15,0.30 and 0.45)are obtained by adopting the solid-state reaction method at a low temperature(910℃).The objective is to achieve matching impedances,low magnetic and dielectric losses(tanδμand tanδε,respectively),and a relatively large miniaturization factor to reduce antenna size.Experimental results indicate that the cations occupying the tetrahedral(A)and octahedral(B)ion sites are redistributed,resulting in an enhanced super-exchange interaction between the two sublattices.As a result,improved magnetization,including the increase in saturation magnetization(41.74 emu/g)and decrease in coercivity(63.75 Oe),is realized.The real part of permeability(μ')also increases with increasing concentration of Cd^(2+) ions.When x is 0.15,matching impedances with equivalent μ'and ε'values are obtained over a long frequency range(1–150MHz).Moreover,the formation of a dense microstructure guarantees that losses occur at low orders of magnitude(tanδμ≈10−2 and tanδε≈10−3).Accordingly,these properties afford wide application perspectives for the proposed compounds in the high-frequency region,i.e.,from high-frequency to very-high-frequency bands. 展开更多
关键词 Cd-substituted Mg compounds Magnetic properties dielectric properties Matching impedance low loss High frequency antenna
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典型压电材料在液氮低温环境下的压电性能
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作者 刘岳鹏 朱子环 +1 位作者 周磊 王晓宇 《理化检验(物理分册)》 CAS 2024年第11期30-34,共5页
对压电材料进行阻抗测试可以获取压电振子等效电路的谐振频率和模型参数。对压电材料在室温及液氮低温下的性能进行测试。结果表明:不同压电材料在室温与液氮低温下的谐振频率、介电常数、机电耦合系数、介质损耗等参数存在较大的差异;... 对压电材料进行阻抗测试可以获取压电振子等效电路的谐振频率和模型参数。对压电材料在室温及液氮低温下的性能进行测试。结果表明:不同压电材料在室温与液氮低温下的谐振频率、介电常数、机电耦合系数、介质损耗等参数存在较大的差异;在液氮低温环境下,压电材料的谐振电阻、谐振频率、介质损耗都存在不同程度的增大,介电常数、平面机电耦合系数均存在不同程度的减小,液氮低温环境会对BaTiO3及钛酸锶钡的介质损耗造成不可逆的影响。 展开更多
关键词 压电材料 液氮低温环境 等效电路 谐振频率 介质损耗
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CaO-B_(2)O_(3)-SiO_(2)微晶玻璃的制备及介电性能
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作者 卫志洋 王晓东 +3 位作者 苏腾 陈欢乐 高峰 苗洋 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2024年第4期1274-1283,共10页
低介电常数、低介电损耗的微晶玻璃是制造低温共烧陶瓷基板的重要材料。本文采用熔融水淬法制备了CaO-B_(2)O_(3)-SiO_(2)(CBS)微晶玻璃,重点研究了m(CaO)/m(SiO_(2))质量比、B_(2)O_(3)含量对CBS微晶玻璃介电性能的影响。结果表明:CBS... 低介电常数、低介电损耗的微晶玻璃是制造低温共烧陶瓷基板的重要材料。本文采用熔融水淬法制备了CaO-B_(2)O_(3)-SiO_(2)(CBS)微晶玻璃,重点研究了m(CaO)/m(SiO_(2))质量比、B_(2)O_(3)含量对CBS微晶玻璃介电性能的影响。结果表明:CBS微晶玻璃的主要晶相有Ca_(3)Si_(3)O_(9)、Ca_(2)B_(2)O_(5)、CaB_(2)O_(4)、SiO_(2)和Ca_(2)SiO_(4)。随着m(CaO)/m(SiO_(2))质量比的增加,介电常数增加,介电损耗先降低后增加;硅灰石相的增多使介电损耗从2.87×10^(-3)降到1.36×10^(-3),介电损耗随着SiO_(2)、Ca_(2)B_(2)O_(5)和CaB_(2)O_(4)含量的增加而增大。随着B_(2)O_(3)含量的增加,介电常数先增加后减少,而介电损耗则相反。当m(CaO)/m(SiO_(2))质量比为0.89、B_(2)O_(3)含量为15%(质量分数)时,在900℃烧结3 h,CBS微晶玻璃的热膨胀系数为7.16×10^(-6)℃^(-1),介电常数为5.85,介电损耗为1.37×10^(-3)(10 GHz)。 展开更多
关键词 CaO-B_(2)O_(3)-SiO_(2) 微晶玻璃 介电常数 介电损耗 微观结构 低温共烧
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基于极化-去极化电流法的老化PVC电缆绝缘性研究
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作者 温才权 韦鑫 +5 位作者 王杰 周凯 李轩毅 龚薇 黎柏城 李亚伟 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期107-114,共8页
电缆老化会使绝缘失效,导致短路乃至火灾事故的发生。为研究低压电缆老化后的绝缘性能,对电缆中采用的聚氯乙烯(PVC)绝缘材料进行加速老化实验,通过对样本极化-去极化的电流数据进行分析,得到直流电导率、低频介质损耗因数等参数的变化... 电缆老化会使绝缘失效,导致短路乃至火灾事故的发生。为研究低压电缆老化后的绝缘性能,对电缆中采用的聚氯乙烯(PVC)绝缘材料进行加速老化实验,通过对样本极化-去极化的电流数据进行分析,得到直流电导率、低频介质损耗因数等参数的变化规律,并利用热失重和傅里叶红外光谱测试老化样本的理化性能。结果表明,随着老化时间的增加,极化电流、去极化电流、电导率和低频介质损耗因数均增大。热失重分析和傅里叶红外光谱分析结果则进一步表明,长时间的高温老化会使PVC电缆绝缘的氯含量减少,阻燃性降低,PVC分子链断裂,羟基、甲基、亚甲基和C=C等官能团含量增加,电缆老化加剧,最终导致电缆的绝缘性下降。 展开更多
关键词 极化-去极化电流法 聚氯乙烯电缆 绝缘性 电导率 低频介损
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配电电缆试验方法的研究现状和发展趋势
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作者 王超 陈云 +4 位作者 肖佳朋 黄韬 吴春芳 甄威扬 郝艳捧 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期173-184,220,共13页
配电电缆是电网设备的重要组成部分,其绝缘缺陷引发局部放电、整体绝缘老化是导致电缆故障的主要原因。为预防电缆故障、保证配网安全可靠运行,研究配电电缆试验方法具有重要意义。文中总结国内外现行试验标准;阐述配电电缆各种试验方... 配电电缆是电网设备的重要组成部分,其绝缘缺陷引发局部放电、整体绝缘老化是导致电缆故障的主要原因。为预防电缆故障、保证配网安全可靠运行,研究配电电缆试验方法具有重要意义。文中总结国内外现行试验标准;阐述配电电缆各种试验方法的原理和试验规程,包括工频电压试验、串联谐振电压试验、振荡波电压试验、超低频正弦波电压试验、超低频余弦方波电压试验;重点综述振荡波和超低频电压试验方法的研究现状和存在问题,讨论电缆局放特性;最后总结上述试验方法的优缺点,探讨其在配电电缆绝缘状态诊断应用的主要发展趋势。 展开更多
关键词 配电电缆 耐压试验 局放 介质损耗 串联谐振 振荡波 超低频
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硅基低介质损耗树脂的合成及研究
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作者 杨昊东 周友 唐安斌 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2024年第4期49-55,共7页
为了改善双马来酰亚胺(BMI)树脂的韧性、溶解性,提高BMI树脂在高频高速覆铜板领域的应用性,本文采用有机硅与D936型BMI树脂合成了一种有机硅改性双马来酰亚胺树脂(Si-D936)。采用红外、核磁、凝胶渗透色谱对Si-D936的特征结构和硅基-D93... 为了改善双马来酰亚胺(BMI)树脂的韧性、溶解性,提高BMI树脂在高频高速覆铜板领域的应用性,本文采用有机硅与D936型BMI树脂合成了一种有机硅改性双马来酰亚胺树脂(Si-D936)。采用红外、核磁、凝胶渗透色谱对Si-D936的特征结构和硅基-D936单体进行了表征,同时探究了不同硅含量对Si-D936溶解性能、耐热性能、力学性能以及10 GHz下介电性能的影响。结果表明:与改性前的D936相比,Si-D936在丁酮中的溶解性能得到明显改善,质量溶解度最高能达到30%(室温),但随着Si含量的增加,Si-D936的分子量增大,溶解性能略有下降;Si-D936固化后具有良好的热学性能,但随着Si含量增加,耐热性能和残碳率逐渐下降;有机硅改性可改善D936树脂的力学性能,其中SiD936-1(D936与HMM的物质的量之比为3∶1)固化物的冲击强度和拉伸强度较D936分别提升了35%和24.6%,随着Si含量的进一步增加,改性树脂的交联程度受到影响,树脂的冲击强度、弯曲强度、拉伸强度下降;有机硅改性D936树脂后,改性树脂的介电性能得到改善,介质损耗因数从0.009 4减小到0.007 2(10 GHz)。 展开更多
关键词 双马来酰亚胺 有机硅 低介质损耗
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反式环己基(三)联苯类液晶化合物微波介电性能分析
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作者 袁骞 涂友兰 +5 位作者 雷孟龙 吕培文 吴胜莉 张智勇 陈红梅 汪相如 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1145-1154,共10页
目前微波移相器用液晶材料大多以高双折射率多联苯类或多苯乙炔类液晶化合物作为主要组分,但这些液晶化合物在使用时不可避免地存在粘度大、介电损耗偏高或光热稳定性较差等缺点。反式环己基(三)联苯类液晶化合物具有相对较低的粘度、... 目前微波移相器用液晶材料大多以高双折射率多联苯类或多苯乙炔类液晶化合物作为主要组分,但这些液晶化合物在使用时不可避免地存在粘度大、介电损耗偏高或光热稳定性较差等缺点。反式环己基(三)联苯类液晶化合物具有相对较低的粘度、高热稳定性等特点,普遍用在显示器件之中,但在微波介电性能方面的研究报道较少。本文选择性合成了6个异硫氰基反式环己基联苯和三联苯类液晶化合物,测试了它们的相态和微波(10~30 GHz)介电性能,利用密度泛函理论(DFT),通过分子模拟计算了它们的偶极矩和极化率,并与相关结构的多联苯类液晶化合物的性能进行比较,探讨其反式环己基结构对液晶分子的微波介电性能的影响。实验结果表明,异硫氰基反式环己基(三)联苯类液晶化合物不仅其熔点相对较低(<90℃)、向列相温度范围宽(86~160℃),而且在10~30 GHz时的介电损耗低(≤7.25×10^(-3)),使其微波的品质因素相对较高(η≥30),适于作为微波用液晶材料的有效组份。 展开更多
关键词 反式环己基(三)联苯 微波用液晶 低介电损耗 宽温向列相态 合成
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La掺杂对(In_(0.5)Nb_(0.5))_(0.10)Ti_(0.90)O_(2)陶瓷微观结构和介电性能的影响
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作者 张翠玲 陈建宾 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期182-187,共6页
In和Nb共掺杂TiO_(2)(INTO)陶瓷在100 kHz以下的巨大介电常数源于内部势垒层电容效应。根据这种电容效应,通过增加晶界对介电性能的贡献来降低其低频介电损耗。因此,将La掺杂到INTO陶瓷中,通过细化晶粒并增加晶界数量来降低陶瓷制备过... In和Nb共掺杂TiO_(2)(INTO)陶瓷在100 kHz以下的巨大介电常数源于内部势垒层电容效应。根据这种电容效应,通过增加晶界对介电性能的贡献来降低其低频介电损耗。因此,将La掺杂到INTO陶瓷中,通过细化晶粒并增加晶界数量来降低陶瓷制备过程中的能耗。结果表明,La掺杂减小了INTO陶瓷的晶粒尺寸,增加了陶瓷中晶界的数量,并且陶瓷中析出LaNbTiO_(6)二次相,在陶瓷晶粒之间形成高阻态的相界,降低陶瓷的低频介电损耗,优化了陶瓷介电常数的频率稳定性。 展开更多
关键词 共掺杂TiO_(2)陶瓷 内阻挡层电容效应 低频介电损耗 晶界数量 相界
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高储能聚合物电介质材料研究进展 被引量:7
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作者 刘文凤 刘标 程璐 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期1046-1054,共9页
储能薄膜电容器因其功率密度高、工作电压高、自愈特性好以及可靠性高的优势,被广泛应用于智能电网、电动汽车和电力调节中。但聚合物电介质材料偏低的储能密度和较大的介电损耗限制了储能薄膜电容器的轻量化、小型化以及可靠性发展。... 储能薄膜电容器因其功率密度高、工作电压高、自愈特性好以及可靠性高的优势,被广泛应用于智能电网、电动汽车和电力调节中。但聚合物电介质材料偏低的储能密度和较大的介电损耗限制了储能薄膜电容器的轻量化、小型化以及可靠性发展。文章综述了基于优化复合电介质材料高储能密度和低介电损耗的最新研究进展,涉及复合电介质材料的结构特性、介电性能、电气强度以及储能机理,比较和分析了提高聚合物电介质材料储能特性的几种常用策略,包括多组分无机填料共填充、纳米表面改性、多层结构复合、分子结构设计、薄膜表面沉积涂覆等方法对其储能特性的提升规律与调控机制,最后对高储能聚合物电介质材料的现存问题以及未来发展方向进行了总结与展望。 展开更多
关键词 聚合物材料 复合电介质 高储能密度 低介电损耗 电气强度
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一种高耐热低羟基含磷环氧树脂的合成及性能研究 被引量:1
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作者 叶伦学 唐文东 +1 位作者 邹静 曹静 《化工技术与开发》 CAS 2023年第12期24-26,31,共4页
本文以萘醌、DOPO、酚醛环氧树脂及异氰酸酯为原料,合成了一种高耐热低羟基含磷环氧树脂。将其与酚醛及苯并噁嗪树脂混胶后,浸在玻纤布中经压板固化后,通过示差扫描量热(DSC)测试了板材的玻璃化转变温度T_(g);采用平板电容法测试了树脂... 本文以萘醌、DOPO、酚醛环氧树脂及异氰酸酯为原料,合成了一种高耐热低羟基含磷环氧树脂。将其与酚醛及苯并噁嗪树脂混胶后,浸在玻纤布中经压板固化后,通过示差扫描量热(DSC)测试了板材的玻璃化转变温度T_(g);采用平板电容法测试了树脂的介电性能,并测试了树脂的吸水率、阻燃性能、羟基当量等。结果表明,板材的玻璃化转变温度T_(g)高于170℃,板材具有较低的介电常数和介质损耗,D_(k)<3.50,D_(f)<0.01,吸水率<0.2%,阻燃达到V0级,作为覆铜板的基础树脂材料时,具有低介电、低介损、高T_g、低吸水、V0级阻燃等优良的综合性能。 展开更多
关键词 低羟基含磷环氧树脂 低介电常数 低介质损耗 低吸水率 高耐热
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应用于微波领域的液晶材料调查研究
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作者 郝晓春 李娟丽 王振宇 《科技资讯》 2023年第16期116-119,共4页
随着科学技术的不断发展,液晶介质已较为普遍应用于光电显示器当中。因此,该文介绍了应用于微波领域的液晶材料及其应具备的物理特性,以及目前研究发展的瓶颈。调查了液晶材料在微波器件领域应用的具体情况,梳理国内外在该领域专利布局... 随着科学技术的不断发展,液晶介质已较为普遍应用于光电显示器当中。因此,该文介绍了应用于微波领域的液晶材料及其应具备的物理特性,以及目前研究发展的瓶颈。调查了液晶材料在微波器件领域应用的具体情况,梳理国内外在该领域专利布局较多的机构,对这些机构申请的专利情况进行调查,并对液晶材料的发展趋势进行总结并提出后续研究的相关建议。 展开更多
关键词 微波器件 液晶材料 低介电损耗 微波领域
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Sr_(1-x)Er_(x)TiO_(3)陶瓷的巨介电性能研究
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作者 蒲永平 张贤 +2 位作者 张金波 宁亚婷 上阳超 《陕西科技大学学报》 北大核心 2023年第4期104-111,共8页
选用“两性”稀土Er^(3+)离子掺杂SrTiO_(3)陶瓷,采用传统固相法制备出了在空气下烧结的具有巨介电低损耗的Sr_(1-x)Er_(x)TiO_(3)陶瓷.结果表明,当x=0.012,该陶瓷显示出巨介电行为,在1 kHz下具有17 790的介电常数,在1 MHz下具有14 363... 选用“两性”稀土Er^(3+)离子掺杂SrTiO_(3)陶瓷,采用传统固相法制备出了在空气下烧结的具有巨介电低损耗的Sr_(1-x)Er_(x)TiO_(3)陶瓷.结果表明,当x=0.012,该陶瓷显示出巨介电行为,在1 kHz下具有17 790的介电常数,在1 MHz下具有14 363的介电常数,在1 kHz下具有0.02的介电损耗.在巨介电、低介电损耗的材料中,存在着“电子钉扎”现象,电子的局域极化使介电常数增大;而在此过程中,由于限制了电子的长程移动,从而降低了介质损耗. 展开更多
关键词 SrTiO_(3) 巨介电常数 低介电损耗 两性掺杂
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基于超低频介损和U-I滞回曲线的XLPE电缆水树老化状态评估 被引量:3
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作者 王璨 赵学童 +3 位作者 张杰 姜茜 杨丽君 廖瑞金 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第13期5261-5270,共10页
为准确地评估交联聚乙烯(cross linked polyethylene,XLPE)电缆的水树老化程度,该文提出一种基于超低频介损和U-I滞回曲线的评估方法。对3组XLPE样本分别进行0、96和168h的加速水树老化,老化结束后采用快速超低频介损设备(very-low freq... 为准确地评估交联聚乙烯(cross linked polyethylene,XLPE)电缆的水树老化程度,该文提出一种基于超低频介损和U-I滞回曲线的评估方法。对3组XLPE样本分别进行0、96和168h的加速水树老化,老化结束后采用快速超低频介损设备(very-low frequency dielectric loss detector,iFDS)在1mHz~1kHz范围内测试不同水树老化状态的XLPE电缆的介电频谱和不同频率下U-I滞回曲线。结果发现:水树老化后的电缆段在超低频段(1mHz~0.1Hz)的介损值显著增大,并在0.002和0.1Hz附近出现两个明显的松弛损耗峰。老化越严重的试样,U-I滞回曲线形变越严重。水树老化后电缆绝缘中产生了新的松弛极化过程,相较于单一频率0.1Hz下的介损值,超低频介电谱能够提供更丰富的绝缘状态信息。在1mHz下,U-I滞回曲线特性的偏转角变化率与曲线形变率均随超低频介损值的上升而增大,能够更加准确地评估电缆绝缘的水树老化程度。将超低频介损结合U-I滞回曲线可以有效地评估电缆绝缘的水树老化程度。 展开更多
关键词 水树老化 XLPE电缆 超低频介损 U-I滞回曲线 评估方法
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基于Prony算法-准同步序列的超低频介损测量方法 被引量:1
16
作者 焦裕鹏 王玮 贾明娜 《电子测量技术》 北大核心 2023年第15期170-177,共8页
超低频介质损耗因数测量方法,由于测量信号频率低导致采样时间长,采集数据量大,且在非同步采样时,快速傅里叶变换存在频谱泄露和栅栏效应,影响对介质损耗因数的精确测量。为降低测量信号采样时间和采集数据量,以及非同步采样时频谱泄露... 超低频介质损耗因数测量方法,由于测量信号频率低导致采样时间长,采集数据量大,且在非同步采样时,快速傅里叶变换存在频谱泄露和栅栏效应,影响对介质损耗因数的精确测量。为降低测量信号采样时间和采集数据量,以及非同步采样时频谱泄露和栅栏效应,提出一种基于Prony算法-准同步序列的超低频介损测量方法,利用Prony算法并结合据辨识方法,对采样电压信号的基波频率进行预估,通过Newton插值算法,实现对电压和电流信号的准同步插值重构,获得采样信号的准同步序列,由FFT及介损等效电路模型,对准同步序列进行求解,实现对超低频介质损耗因数的求取。在频率波动、谐波含量变化、介损角变化和不同信噪比的噪声下测量介质损耗因数。仿真结果表明,该方法在软件上实现了准同步采样,有效降低了栅栏效应和频谱泄露对介质损耗因数测量的影响,并且采样时间短,采集数据量少,测量精度高,适用于对超低频介质损耗因数的精确测量。 展开更多
关键词 超低频 PRONY算法 数据辨识 Newton插值 准同步序列 FFT 介质损耗因数
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含氟三苯乙炔异硫氰酸酯液晶合成及其微波性能 被引量:3
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作者 李世伟 胡旭 +3 位作者 罗晨潇 刘之禾 张智勇 汪相如 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2023年第12期1682-1692,共11页
近年来,随着液晶微波移相器技术的研究发展,如何降低液晶材料高频介电损耗已成为微波通讯器件发展的关键问题。本文设计合成了7种具有较宽向列相温度范围(89.5~127.7℃)的含氟三苯乙炔异硫氰酸酯液晶化合物(Ⅰ1-Ⅰ7),其中Ⅰ1-Ⅰ3具有相... 近年来,随着液晶微波移相器技术的研究发展,如何降低液晶材料高频介电损耗已成为微波通讯器件发展的关键问题。本文设计合成了7种具有较宽向列相温度范围(89.5~127.7℃)的含氟三苯乙炔异硫氰酸酯液晶化合物(Ⅰ1-Ⅰ7),其中Ⅰ1-Ⅰ3具有相对较低的熔点(45.8~67.2℃);将其与溶剂液晶侧乙基三苯二炔类组合物(M)按一定质量比混合后,采用矩形谐振腔微扰法测试其在微波频段(11~33 GHz)时的介电性能,并通过分子模拟计算探讨了分子结构和取代基对液晶在高频下介电性能的影响。结果表明,对于所合成的液晶化合物,其分子偶极矩和极化率越大,其介电常数和高频介电损耗也越大;在分子末端烷基引入支链不仅可以降低熔点,还会减小分子的偶极矩和介电常数,使其损耗降低;在苯环之间插入乙炔键不仅能够增加分子的π-电子共轭体系、介电常数和双折射率,还能降低其介电损耗;与异硫氰基相连的苯环侧位被二氟原子对称取代(X1和X2)化合物的介电各向异性(Δεr>1.025)大于中心苯环侧位二氟原子对称取代化合物(X_(3)和X_(4)),但后者的介电损耗较低。 展开更多
关键词 含氟三苯乙炔 异硫氰基液晶 高介电各向异性 低介电损耗
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Sm掺杂SrTiO_(3)陶瓷的高介电常数和超低介电损耗性能研究
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作者 李晨琳 黄楚 +2 位作者 刘康 袁志 刘来君 《西安工业大学学报》 CAS 2023年第4期303-314,共12页
为了在SrTiO_(3)优异的性能基础上,在宽温度及频率范围内实现高介电常数与低介电损耗共存,文中采用固相合成法,通过在钛酸锶的A位掺杂三价稀土离子Sm制备了Sr_(1-3 x/2)Sm_(x)TiO_(3)(x分别为0.0050,0.0075,0.0100,0.0125)陶瓷材料,并... 为了在SrTiO_(3)优异的性能基础上,在宽温度及频率范围内实现高介电常数与低介电损耗共存,文中采用固相合成法,通过在钛酸锶的A位掺杂三价稀土离子Sm制备了Sr_(1-3 x/2)Sm_(x)TiO_(3)(x分别为0.0050,0.0075,0.0100,0.0125)陶瓷材料,并对其相组成、微观结构和介电、存储性能进行了表征与分析。研究结果表明:经过N 2气氛对陶瓷样品进行退火处理后,所制备的Sr_(1-3 x/2)Sm_(x)TiO_(3)(SST)陶瓷样品均具有介电常数高且介电损耗较低,在较宽的范围内频率和温度稳定性优良的性能;在室温1 kHz下不同掺杂含量的陶瓷样品介电常数均在50000以上,介电损耗小于0.025;掺杂量为x=0.0100时,Sr_(0.985)Sm_(0.01)TiO_(3)陶瓷在低于10 kHz频率范围内同时得到大于60000较高的介电常数和小于0.025的低介电损耗,且拥有较大的弛豫激活能和电导激活能。 展开更多
关键词 钛酸锶 巨介电常数 低介电损耗 激活能 界面极化
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低介电损耗高力学强度氟树脂膜及其柔性覆铜板的制备研究 被引量:3
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作者 王洋 张黄平 徐莎 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2023年第8期22-26,共5页
以可熔性聚四氟乙烯(PFA)为基体树脂,首先用聚合物和无机填料对树脂进行共混改性和填充改性,配置悬浮液;然后将悬浮液依次经过涂布和烧结,制备氟树脂基膜;最后将氟树脂基膜与铜箔一起压合制备柔性覆铜板(FC‐CL)。结果表明:制备得到的F... 以可熔性聚四氟乙烯(PFA)为基体树脂,首先用聚合物和无机填料对树脂进行共混改性和填充改性,配置悬浮液;然后将悬浮液依次经过涂布和烧结,制备氟树脂基膜;最后将氟树脂基膜与铜箔一起压合制备柔性覆铜板(FC‐CL)。结果表明:制备得到的FCCL介电损耗为0.0015(10 GHz),抗张强度为38 MPa,吸水率为0.05%,耐锡焊性测试中(300℃,10 s,3次)无分层、氧化、起泡现象,剥离强度大于1.0 kgf/cm,具有较佳的综合性能。 展开更多
关键词 氟树脂 抗张强度 低介电损耗 共混改性
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Cu^(2+)和Mn^(2+)取代对低温烧结NiZn铁氧体材料微波电磁性能的影响
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作者 袁红兰 冯涛 +2 位作者 罗建成 彭梓 肖永成 《磁性材料及器件》 CAS 2023年第2期6-10,共5页
采用普通陶瓷工艺制备了低温烧结微波多晶尖晶石NiZn铁氧体粉料,分别采用干压成型工艺和流延成型工艺制备了铁氧体样品。研究了Cu^(2+)、Mn^(2+)取代对材料微观形貌、微波性能的影响。研究表明,Cu^(2+)取代促进NiZn铁氧体晶粒生长,当Cu^... 采用普通陶瓷工艺制备了低温烧结微波多晶尖晶石NiZn铁氧体粉料,分别采用干压成型工艺和流延成型工艺制备了铁氧体样品。研究了Cu^(2+)、Mn^(2+)取代对材料微观形貌、微波性能的影响。研究表明,Cu^(2+)取代促进NiZn铁氧体晶粒生长,当Cu^(2+)取代量x在0.22~0.25范围时,样品致密化程度较高,材料有较低的电磁损耗。Cu^(2+)取代量x=0.22时,在880~920℃烧结温度下均获得单一的尖晶石NiZn结构;烧结温度为900℃时,材料具有高的饱和磁化强度4πM_(s)、低的气孔率P,介电损耗角正切tanδ_(ε)、铁磁共振线宽ΔH最小。Mn^(2+)取代使材料的铁磁共振线宽ΔH降低,但tanδ_(ε)增大,Mn^(2+)取代量控制在0.04~0.06范围,材料的综合性能较好。干压成型和流延成型制备的材料均具有比较小的电磁损耗,ΔH小于130 Oe,tanδ_(ε)小于5×10^(-4),满足LTCF技术应用要求。 展开更多
关键词 尖晶石铁氧体 低温烧结 取代 铁磁共振线宽 介电损耗
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