基于SMIC 0.18 CMOS工艺,设计了一个工作频率为5.8 GHz的差分低噪声放大器。针对低功耗电路的设计要求,通过在输入级增加电容实现了限定功耗下的输入和噪声同时匹配。仿真结果表明,设计的低噪声放大器具有良好的综合性能指标。增益为22....基于SMIC 0.18 CMOS工艺,设计了一个工作频率为5.8 GHz的差分低噪声放大器。针对低功耗电路的设计要求,通过在输入级增加电容实现了限定功耗下的输入和噪声同时匹配。仿真结果表明,设计的低噪声放大器具有良好的综合性能指标。增益为22.47 d B,噪声系数为1.167 d B,输入反射系数(S11)、输出反射系数(S22)、反向隔离度(S12)分别为-24.74 d B、-17.37 d B、-31.52 d B。在1.5 V电源电压下,功耗为17.3 m W。展开更多
采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了一个低电压低功耗的低噪声放大器(Locked Nucleic Acid,LNA)。分析了在低电压条件下LNA的线性度提高及噪声优化技术。使用Cadence Spectre RF仿真表明,在2.4 GHz的工作频率下,功率增益为19.65 d B,输入...采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了一个低电压低功耗的低噪声放大器(Locked Nucleic Acid,LNA)。分析了在低电压条件下LNA的线性度提高及噪声优化技术。使用Cadence Spectre RF仿真表明,在2.4 GHz的工作频率下,功率增益为19.65 d B,输入回波损耗S11为-12.18 d B,噪声系数NF为1.2 d B,1 d B压缩点为-17.99 d Bm,在0.6 V的供电电压下,电路的静态功耗为2.7 m W,表明所设计的LNA在低电压低功耗的条件下具有良好的综合性能。展开更多
文摘基于SMIC 0.18 CMOS工艺,设计了一个工作频率为5.8 GHz的差分低噪声放大器。针对低功耗电路的设计要求,通过在输入级增加电容实现了限定功耗下的输入和噪声同时匹配。仿真结果表明,设计的低噪声放大器具有良好的综合性能指标。增益为22.47 d B,噪声系数为1.167 d B,输入反射系数(S11)、输出反射系数(S22)、反向隔离度(S12)分别为-24.74 d B、-17.37 d B、-31.52 d B。在1.5 V电源电压下,功耗为17.3 m W。
文摘采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了一个低电压低功耗的低噪声放大器(Locked Nucleic Acid,LNA)。分析了在低电压条件下LNA的线性度提高及噪声优化技术。使用Cadence Spectre RF仿真表明,在2.4 GHz的工作频率下,功率增益为19.65 d B,输入回波损耗S11为-12.18 d B,噪声系数NF为1.2 d B,1 d B压缩点为-17.99 d Bm,在0.6 V的供电电压下,电路的静态功耗为2.7 m W,表明所设计的LNA在低电压低功耗的条件下具有良好的综合性能。