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Design of low-offset low-power CMOS amplifier for biosensor application
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作者 Jin-Yong Zhang Lei Wang Bin Li 《Journal of Biomedical Science and Engineering》 2009年第7期538-542,共5页
A compacted and low-offset low-power CMOS am- plifier for biosensor application is presented in this paper. It includes a low offset Op-Amp and a high precision current reference. With a novel continuous-time DC offse... A compacted and low-offset low-power CMOS am- plifier for biosensor application is presented in this paper. It includes a low offset Op-Amp and a high precision current reference. With a novel continuous-time DC offset rejection scheme, the IC achieves lower offset voltage and lower power consumption compared to previous designs. This configuration rejects large DC offset and drift that exist at the skin-electrode interface without the need of external components. The proposed amplifier has been implemented in SMIC 0.18-μm 1P6M CMOS technol-ogy, with an active silicon area of 100 μm by 120 μm. The back-annotated simulation results demonstrated the circuit features the systematic offset voltage less than 80 μV, the offset drift about 0.27 μV/℃ for temperature ranging from –30℃ to 100℃ and the total power dissipation consumed as low as 37.8 μW from a 1.8 V single supply. It dedicated to monitor low amplitude biomedical signals recording. 展开更多
关键词 BIOMEDICAL Integrated CIRCUIT CMOS Ampli- fier low-offset and LOW-POWER DC OFFSET REJECTION Bio-medical Sensor
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基于磁性传感器的低失调温度补偿接口电路设计
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作者 樊华 常伟鹏 +5 位作者 王策 李国 刘建明 李宗霖 魏琦 冯全源 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1521-1528,共8页
面向磁性传感器在物联网(IoT)技术中的广泛应用,该文基于180 nm CMOS工艺设计了一种具有低失调电压,低温度漂移特性的霍尔传感器接口电路。针对霍尔传感器灵敏度的温度漂移特性,该文设计了一种感温电路并与查表法相结合,调节可编程增益... 面向磁性传感器在物联网(IoT)技术中的广泛应用,该文基于180 nm CMOS工艺设计了一种具有低失调电压,低温度漂移特性的霍尔传感器接口电路。针对霍尔传感器灵敏度的温度漂移特性,该文设计了一种感温电路并与查表法相结合,调节可编程增益放大器(PGA)的增益有效地降低了霍尔传感器的温度系数(TC)。在此基础上,通过在信号主通路中使用相关双采样(CDS)技术,极大程度上消除了霍尔传感器的失调电压。仿真结果表明,在–40°C~125°C温度范围内,霍尔传感器的TC从966.4 ppm/°C减小到了58.1 ppm/°C。信号主通路的流片结果表明,霍尔传感器的失调电压从25 mV左右减小到了4 mV左右,霍尔传感器的非线性误差为0.50%。芯片的总面积为0.69 mm^(2)。 展开更多
关键词 霍尔传感器 接口电路 温度补偿 低失调电压
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一种超低失调集成运算放大器的设计与实现 被引量:1
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作者 刘传兴 何贵昆 +1 位作者 马奎 杨发顺 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期143-150,共8页
基于双极型工艺设计了一种超低失调集成运算放大器。通过在差分输入级的有源负载处设计电阻修调网络来调整失调电压,并针对基极电流补偿不可控的问题设计了可修调的基极电流补偿结构来降低偏置电流,利用激光修调技术减小基极补偿结构引... 基于双极型工艺设计了一种超低失调集成运算放大器。通过在差分输入级的有源负载处设计电阻修调网络来调整失调电压,并针对基极电流补偿不可控的问题设计了可修调的基极电流补偿结构来降低偏置电流,利用激光修调技术减小基极补偿结构引入的随机失调,有效改善了输入级失调。增益级采用结型场效应晶体管(JFET)差分对管以获得高增益,输出级采用全npn晶体管的乙类输出结构可满足大功率输出需求。芯片实测数据表明:在全温度范围内,失调电压最大为-25.3μV,失调电压温漂为0.025μV/℃,输入偏置电流为-3.535 nA,输入失调电流为-0.825 nA。实现了超低的失调电压、电流和温漂。 展开更多
关键词 低失调 低温漂 基极电流补偿 激光修调 双极型工艺
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一种低功耗低失调的集成运算放大器
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作者 付玉 杜承钢 +2 位作者 闵睿 杨发顺 马奎 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期851-857,共7页
针对高精度、低功耗运放的需求,利用40V双极型工艺设计了一款电源电压为3~30V的低功耗、低失调集成运算放大器。该运放为单片四通道结构,利用一个不完全对称的二级运放,以减小电路的功耗,同时使得输入级失调得到有效改善。并且在输入级... 针对高精度、低功耗运放的需求,利用40V双极型工艺设计了一款电源电压为3~30V的低功耗、低失调集成运算放大器。该运放为单片四通道结构,利用一个不完全对称的二级运放,以减小电路的功耗,同时使得输入级失调得到有效改善。并且在输入级加入了一对射极跟随器,增大电路的输入阻抗,使得输入基极电流有效减小。芯片的测试结果表明,在-55~125℃的范围内,平均开环增益可以达到105.998dB,平均失调电压为159.27μV,平均输入偏置电流为-5.787nA,平均输入失调电流为-0.287nA,单个运放的平均电源电流为189.679μA。 展开更多
关键词 双极型工艺 低功耗 低失调 二级运放 射极跟随器 输入阻抗
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基于偏流补偿的低失调运算放大器的设计
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作者 李洪品 杨发顺 马奎 《微电子学与计算机》 2024年第5期140-146,共7页
基于双极型工艺,设计了一种具有低输入失调电压、低输入偏置电流的运算放大器。电路结构包含偏置电路、差分输入级电路、中间级电路和输出级电路。差分输入级电路采用共射-共基耦合对,能够降低失调电压,并且采用基极电流补偿结构抵消输... 基于双极型工艺,设计了一种具有低输入失调电压、低输入偏置电流的运算放大器。电路结构包含偏置电路、差分输入级电路、中间级电路和输出级电路。差分输入级电路采用共射-共基耦合对,能够降低失调电压,并且采用基极电流补偿结构抵消输入偏置电流在外围电路上所产生的影响,提高电路精度。中间级为整个电路提供增益,并且将双端输入信号转换为单端输出信号。输出级电路为AB类输出级,具有低静态功耗,能够提高电路效率,增大电路带负载能力并为负载提供更多功率。电路采用齐纳修调技术,在封装后对芯片进行修调,避免封装后引入的二次失调。流片后测试结果表明:在±15 V电源电压条件下,输入失调电压≤10μV,输入偏置电流≤3 nA,输入失调电流≤1.5 nA,大信号电压增益≥110 dB。 展开更多
关键词 运算放大器 低输入失调电压 低输入偏置电流 基极电流补偿 齐纳修调
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一种16位110 dB无杂散动态范围的低功耗SAR ADC
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作者 邢向龙 王倩 +3 位作者 康成 彭姜灵 李清 俞军 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期185-193,共9页
该文设计了一款16位、转换速率为625 kS/s的逐次逼近寄存器型模数转换器(SAR ADC)。改进的采样保持电路结构,优化了采样线性度和噪声性能。采用分段结构设计电容型数模转换器并使用混合方式的电容切换方案,减小面积和能耗。利用扰动注... 该文设计了一款16位、转换速率为625 kS/s的逐次逼近寄存器型模数转换器(SAR ADC)。改进的采样保持电路结构,优化了采样线性度和噪声性能。采用分段结构设计电容型数模转换器并使用混合方式的电容切换方案,减小面积和能耗。利用扰动注入技术提升ADC的线性度。比较器采用两级积分型预放大器减小噪声,利用输出失调存储技术及优化的电路设计减小了比较器失调电压和失调校准引入的噪声,优化并提升了比较器速度。芯片采用CMOS 0.18μm工艺设计和流片,ADC核心面积为1.15 mm^(2)。测试结果表明,在1 kHz正弦信号输入下,ADC差分输入峰峰值幅度达8.8 V,信纳比为85.9 dB,无杂散动态范围为110 dB,微分非线性为-0.27/+0.32 LSB,积分非线性为-0.58/+0.53 LSB,功耗为4.31 mW。 展开更多
关键词 模数转换器 数模转换器 低噪声比较器 失调校准 采样保持 逐次逼近寄存器
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一种低噪声可编程斩波电流反馈仪表放大器
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作者 王群虎 辛晓宁 +1 位作者 任建 陈疆川 《微处理机》 2024年第3期13-16,42,共5页
针对应用于Sensor AFE的可编程增益仪表放大器的低频噪声干扰问题,设计一款低噪声可编程增益斩波电流反馈仪表放大器。该设计采用斩波技术实现对以1/f噪声为代表的低频噪声的抑制。在设计中加入数模转化器,通过电流叠加的方式实现对传... 针对应用于Sensor AFE的可编程增益仪表放大器的低频噪声干扰问题,设计一款低噪声可编程增益斩波电流反馈仪表放大器。该设计采用斩波技术实现对以1/f噪声为代表的低频噪声的抑制。在设计中加入数模转化器,通过电流叠加的方式实现对传感器失调的补偿,解决由传感器失调导致仪表放大器性能下降的问题。采用可编程电阻网络,实现可编程增益放大,提升仪表放大器的通用能力。仪表放大器基于TSMC 0.18μm工艺,供电电压为2.7~3.6 V,通过调节电阻网络,实现16~2048倍放大,另外在传感器失调补偿范围和等效输入参考噪声参数上也较为理想。 展开更多
关键词 仪表放大器 斩波 低噪声 失调补偿
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国产电液伺服阀在可控震源上的测试分析
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作者 王光德 刘志刚 +1 位作者 马铁荣 王津 《物探装备》 2024年第1期31-34,共4页
电液伺服阀是可控震源电液转换的核心液压元器件,对可控震源输出力信号有着直接的影响,但可控震源工作环境恶劣,宽频,瞬时大流量以及高压高温、高可靠性等工作特点对电液伺服阀提出了严苛的要求,该设备一直以来依赖进口,近年来某型号国... 电液伺服阀是可控震源电液转换的核心液压元器件,对可控震源输出力信号有着直接的影响,但可控震源工作环境恶劣,宽频,瞬时大流量以及高压高温、高可靠性等工作特点对电液伺服阀提出了严苛的要求,该设备一直以来依赖进口,近年来某型号国产电液伺服阀开始在可控震源上进行应用试验,经过测试、改造,性能不断提升,本文总结分析了该产品在可控震源上进行的一些测试数据,希望能够为将来的实际应用提供一些技术上的参考。 展开更多
关键词 电液伺服阀 频宽 低频 高频 低压 偏置
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一种Brokaw结构的斩波稳定型带隙基准源设计
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作者 邬森宇 刘一婷 《微处理机》 2024年第2期8-12,共5页
针对传统带隙基准电压源在工艺误差的影响下输出电压精度较低的问题,设计一款低失调电压斩波稳定型带隙基准电压源。该带隙基准电压源包含带隙基准源核心、基准电流源、折叠式共源共栅放大器、斩波器、陷波滤波器等,通过斩波器和陷波滤... 针对传统带隙基准电压源在工艺误差的影响下输出电压精度较低的问题,设计一款低失调电压斩波稳定型带隙基准电压源。该带隙基准电压源包含带隙基准源核心、基准电流源、折叠式共源共栅放大器、斩波器、陷波滤波器等,通过斩波器和陷波滤波器配合使用滤除掉放大器的失调电压和低频噪声。使用TSMC 0.18μm CMOS工艺,在Cadence Virtuoso平台进行验证,仿真结果表明该带隙基准源能稳定输出1.228V基准电压,且具有较小的失调电压和较小的低频噪声,适用于高精度的应用场合。 展开更多
关键词 斩波调制 带隙基准 低失调 低噪声
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用于Pipelined-SAR模数转换芯片中的高精度比较器设计
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作者 张浩 刘威 《电子设计工程》 2024年第16期7-11,16,共6页
设计了一款可用于18 bit、2 Ms/s的流水线型逐次逼近型模数转换器(Pipelined-SAR ADC)的高精度比较器,该比较器的结构为三级预放大器+锁存器(latch),同时采用了一种失调电压消除技术,有效减小了比较器的失调电压。在TSMC 0.18μm的工艺... 设计了一款可用于18 bit、2 Ms/s的流水线型逐次逼近型模数转换器(Pipelined-SAR ADC)的高精度比较器,该比较器的结构为三级预放大器+锁存器(latch),同时采用了一种失调电压消除技术,有效减小了比较器的失调电压。在TSMC 0.18μm的工艺下,使用Spectre对比较器进行仿真,结果表明,该比较器在1.8 mW的功耗下,输入失调电压标准差为131μV,噪声电压为15μV,满足高精度和低功耗的要求。 展开更多
关键词 失调电压消除技术 低噪声 低功耗 比较器
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一种基于PJFET输入的高压摆率集成运算放大器
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作者 张子扬 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第3期272-278,共7页
基于双极型集成工艺设计并制作了一种高压摆率、低输入偏置电流、低输入失调电流的运算放大器。输入级采用p沟道结型场效应晶体管(PJFET)共源结构,有利于减小输入偏置电流,提高信号接收的灵敏度,实现高输入阻抗、低偏置电流、低输入失... 基于双极型集成工艺设计并制作了一种高压摆率、低输入偏置电流、低输入失调电流的运算放大器。输入级采用p沟道结型场效应晶体管(PJFET)共源结构,有利于减小输入偏置电流,提高信号接收的灵敏度,实现高输入阻抗、低偏置电流、低输入失调电流和高压摆率。增益级采用常规的共射放大电路结构。输出级采用互补推挽输出结构,提升了驱动负载的能力,并克服交越失真。测试结果表明:在电源电压±15 V、25℃环境温度下,开环电压增益为114.49 dB,正压摆率为12.33 V/μs,负压摆率为-9.76 V/μs,输入偏置电流为42.52 pA,输入失调电流为4.23 pA,输出电压摆幅为-13.56~14.16 V,共模抑制比为105.56 dB,电源抑制比为107.91 dB。 展开更多
关键词 PJFET输入级 双极型 高压摆率 宽频带 低失调电流
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智能高速铁路中基于低轨卫星网络的通信关键技术研究
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作者 张嘉驰 刘留 +2 位作者 周涛 蔺伟 梁轶群 《铁道学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期69-77,共9页
智能高速铁路是构建现代综合交通运输体系的重要组成部分,建立支持高移动性、高速率、高可靠性、高实时性的通信链路是列车安全运行的基石。针对高速铁路空间跨度范围大、轨旁通信设备成本高、越区切换频繁等问题,探讨基于低轨卫星互联... 智能高速铁路是构建现代综合交通运输体系的重要组成部分,建立支持高移动性、高速率、高可靠性、高实时性的通信链路是列车安全运行的基石。针对高速铁路空间跨度范围大、轨旁通信设备成本高、越区切换频繁等问题,探讨基于低轨卫星互联网技术实现车地通信的可能性及关键技术。分析智能高速铁路通信业务需求并根据不同的业务类型采用对应的专网或公网进行承载。研究了基于公网卫星互联网络的高速铁路无线接入架构。并在此基础上进一步探讨了面向智能高速铁路的卫星接入与低时延传输、星地链路多普勒频偏、星内/间波束切换等关键技术,以期实现低时延、高可靠的星地通信链路。 展开更多
关键词 智能高速铁路 低轨卫星网络 无线接入 低时延传输 多普勒频偏 波束切换
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LNG三偏心低温蝶阀密封副结构和密封比压研究
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作者 周位伟 刘伯圻 +1 位作者 刘诗梅 余晓光 《阀门》 2024年第8期951-958,共8页
在液化天然气(LNG)工况下,三偏心蝶阀的密封性能至关重要,而低温环境对密封副的影响尤为显著。本文旨在分析低温对三偏心蝶阀密封副的影响,并优化其结构和密封比压,以提高密封性能的可靠性。通过实际低温试验、CAE有限元仿真分析和理论... 在液化天然气(LNG)工况下,三偏心蝶阀的密封性能至关重要,而低温环境对密封副的影响尤为显著。本文旨在分析低温对三偏心蝶阀密封副的影响,并优化其结构和密封比压,以提高密封性能的可靠性。通过实际低温试验、CAE有限元仿真分析和理论计算,对密封圈、密封副和阀门力矩进行了综合研究。研究发现低温环境对密封副造成了一系列问题,通过优化设计,改善了密封副结构,并修正了密封比压的计算方法。优化后的三偏心蝶阀在超低温工况下展现出了稳定的密封性能,为LNG等低温工程的应用提供了技术支撑。 展开更多
关键词 超低温 三偏心蝶阀 LNG 密封比压 空分
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A novel low-offset dynamic comparator for sub-1-V pipeline ADCs 被引量:1
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作者 杨金达 王贤彪 +3 位作者 李立 程旭 郭亚炜 曾晓洋 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期93-97,共5页
A novel low-offset dynamic comparator for high-speed low-voltage analog-to-digital converters (ADCs) has been proposed.In the proposed comparator,a CMOS switch takes the place of the dynamic current sources in the d... A novel low-offset dynamic comparator for high-speed low-voltage analog-to-digital converters (ADCs) has been proposed.In the proposed comparator,a CMOS switch takes the place of the dynamic current sources in the differential comparator,which allows the differential input transistors still to operate in the saturation region at the comparing time.This gives the proposed comparator a low offset as the differential comparator while tolerating a sub-1-V supply voltage.Additionally,it also features a larger input swing,less sensitivity to common mode voltage,and a simple relationship between the input and reference voltage.This proposed comparator with two traditional comparators has been realized by SMIC 0.13μm CMOS technology.The contrast experimental results verify these advantages over conventional comparators.It has been used in a 12-bit 100-MS/s pipeline ADC. 展开更多
关键词 COMPARATOR high speed low voltage low offset ADC
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一种应用于Sensor AFE的可编程增益仪表放大器设计
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作者 任建 许少东 +1 位作者 辛晓宁 许智超 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第10期1250-1255,共6页
针对可编程增益仪表放大器(PGA)采集电阻传感器信号时,增益误差较大、噪声较高等问题,设计一种应用于模拟前端(AFE)测量电阻传感器信号的高性能PGA。采用了电压模放大器和电流反馈放大器双模式架构,实现信号的低增益和高增益的精确放大... 针对可编程增益仪表放大器(PGA)采集电阻传感器信号时,增益误差较大、噪声较高等问题,设计一种应用于模拟前端(AFE)测量电阻传感器信号的高性能PGA。采用了电压模放大器和电流反馈放大器双模式架构,实现信号的低增益和高增益的精确放大。数模转换器通过电压叠加和电流叠加的方式进行失调补偿。置位于不同增益倍数时,电路在两种模式下自动切换,以提高电路工作效率。电路设计基于TSMC 0.18μm工艺实现。后仿真结果表明,PGA在1~2048放大倍数的增益误差最大不超过0.04%,失调补偿范围±500 mV,在256倍放大倍数下,100 kHz处噪声的功率谱密度为17.5 nV/Hz^(1/2),在1~100 kHz带宽内输入参考噪声为5.79μV,输入阻抗大于1 MΩ,在电源电压1.8~3.6 V内正常工作。 展开更多
关键词 仪表放大器 高精度 失调补偿 低噪声 双模式
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短偏移瞬变电磁探测系统研究 被引量:1
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作者 薛国强 武欣 陈卫营 《地球物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期3514-3523,共10页
短偏移距瞬变电磁法是近年来发展出的新方法,具有信号强、带宽大的特点,现有国际主流装备是面向传统大收发距模式设计开发的窄带系统,研发小收发距模式下的大电流宽带系统,对于推广应用新方法具有重要意义.为此,本文提出大电流快关断发... 短偏移距瞬变电磁法是近年来发展出的新方法,具有信号强、带宽大的特点,现有国际主流装备是面向传统大收发距模式设计开发的窄带系统,研发小收发距模式下的大电流宽带系统,对于推广应用新方法具有重要意义.为此,本文提出大电流快关断发射、低噪声宽频带接收设计方案,攻克超高压恒压钳位技术,自适应可变阻尼技术等核心技术.在同等条件下有效发射功率提升约2.5倍,关断时间压缩近4倍;系统时域噪声水平0.1 nT/s,工作带宽25 kHz.装备系统在增大发射电流和降低噪声的同时,拓展了系统带宽,实现了装备系统与新方法的强匹配.新装备的研发将为我国3000 m以浅矿产资源精细探测做出贡献. 展开更多
关键词 短偏移瞬变电磁 大功率 大带宽 低噪声 自主研发
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一种低失调轨到轨集成运算放大器的设计 被引量:4
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作者 刘国庆 孙婧雯 +1 位作者 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第2期151-156,169,共7页
设计了一款低失调轨到轨运算放大器。通过利用两个晶体管的基极-发射极(BE)结压降和一个可修调电阻来钳制共射-共基组态中共基对管的集电极电位,同时用电阻代替输入级有源负载,有效抑制了电路失调;偏置电路使用温度系数相反的p型结型场... 设计了一款低失调轨到轨运算放大器。通过利用两个晶体管的基极-发射极(BE)结压降和一个可修调电阻来钳制共射-共基组态中共基对管的集电极电位,同时用电阻代替输入级有源负载,有效抑制了电路失调;偏置电路使用温度系数相反的p型结型场效应晶体管(p-JFET)与Cr-Si电阻结合,产生高精度、低温漂的电流;增益级与输入级组合为共射-共基结构,实现高增益;输出级采用AB类结构,保证轨到轨输出的同时提供足够的驱动能力。基于互补双极型工艺流片,测试结果表明:在电源电压±15 V,共模输入电压为0 V时,输出电压摆幅为-14.97~14.86 V,输入失调电流低于0.8 nA,大信号增益达到121 dB,压摆率为4.28 V/μs。该芯片可应用于便携式电信设备、电源控制与保护、采用轨到轨输入的传感器等领域。 展开更多
关键词 低失调 轨到轨 高精度 低温漂 互补双极型工艺
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一种低失调低温漂基准电压源设计 被引量:1
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作者 陈浩 邓红辉 +2 位作者 林昌海 舒孟杨 何超越 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第6期1037-1045,共9页
基于传统的Brokaw结构带隙基准源进行改进,采用无运放的Brokaw结构基准源,避免运算放大器带来的输入失调电压的影响,提高基准电压精度。针对不同工艺角下基准温度特性曲线零温度系数点变化导致温度系数变差的问题,设计了一种分段线性温... 基于传统的Brokaw结构带隙基准源进行改进,采用无运放的Brokaw结构基准源,避免运算放大器带来的输入失调电压的影响,提高基准电压精度。针对不同工艺角下基准温度特性曲线零温度系数点变化导致温度系数变差的问题,设计了一种分段线性温度补偿与电阻修调结合的补偿修调方案,对基准输出进行温度补偿的同时修调电压精度。相比于传统分段线性补偿法,该方案避免了在其他工艺角下分段补偿时出现的补偿不足或补偿过度的情况,实现了基准电压源输出在器件全工艺角组合下的低温度系数和高精度。电路基于TSMC 0.18μm BCD工艺设计。仿真结果表明,该电路在5 V电源电压下输出电压为1.201 V,输出失调电压为3.3 mV。在全工艺角下,-40℃~+125℃温度范围内,基准电压温度系数最大为7.48×10^(-6)/℃,输出电压为1.201(1±0.16%)V。 展开更多
关键词 高精度基准 温度补偿 低失调电压
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一种消除直流失调的自动频率校准低通滤波器 被引量:2
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作者 杨浩涵 乔树山 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期85-92,共8页
为了改善直接变频发射机中由于模拟基带信号直流失调引起的本振泄露问题,以及低通滤波器截止频率因工艺偏差、温度变化和芯片老化而漂移的问题,提出了一种具有直流失调消除功能的自动频率校准低通滤波器设计与实现方法。该滤波器在串行... 为了改善直接变频发射机中由于模拟基带信号直流失调引起的本振泄露问题,以及低通滤波器截止频率因工艺偏差、温度变化和芯片老化而漂移的问题,提出了一种具有直流失调消除功能的自动频率校准低通滤波器设计与实现方法。该滤波器在串行外设接口控制模式下,通过可调电容阵列,可以将截止频率区间配置为324~648 kHz;在自适应调谐模式下,提出了一种基于锁存比较器的数模混合校准结构,通过校准芯片的RC时间常数,在不同环境温度条件下得到的截止频率为373.8~393.3 kHz,相对于标称值383 kHz的调谐精度约为-2.4%~2.7%。采用0.18μm CMOS工艺芯片进行流片生产验证,调谐电路面积为0.045 mm 2,仅占主滤波器面积的约2.2%。在1.8 V电源电压下,整个滤波器的功耗约为6.08 mW,输入参考噪声约为38.49 nV/(Hz)1/2。 展开更多
关键词 直接变频发射机 低通滤波器 直流失调消除 自动校准
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一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器
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作者 张键 胡辉勇 +1 位作者 周远杰 何峥嵘 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第6期527-532,共6页
基于40 V高压互补双极性结型晶体管(BJT)兼容结型场效应晶体管(JFET)工艺,设计了一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器,介绍了放大器总体架构以及工作原理。电路内部采用JFET输入器件降低输入偏置电流,提高带宽,用修调电阻降低输入... 基于40 V高压互补双极性结型晶体管(BJT)兼容结型场效应晶体管(JFET)工艺,设计了一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器,介绍了放大器总体架构以及工作原理。电路内部采用JFET输入器件降低输入偏置电流,提高带宽,用修调电阻降低输入失调电压;采用四核跨导结构优化中间级提高运放的压摆率;输出级采用互补推挽输出结构防止交越失真,同时提高功率驱动能力;偏置电路利用JFET作恒流源,保证在不同工作电压下稳定供电。芯片流片测试结果表明,该放大器在±5~±13 V工作电压条件下,输入失调电压≤80μV;输入偏置电流≤1.5 pA;开环增益≥107 dB;增益带宽积≥25 MHz;压摆率≥50 V/μs。 展开更多
关键词 低失调电压 低输入偏置电流 高精度 结型场效应管输入放大器
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