液晶磁控偏光特性的研究

利用偏光干涉理论,通过对BL-009型向列相液晶透射比的测试,分析了液晶透射比随磁场的变化情况,并对液晶的磁控双折射效应进行了研究.实验在室温20℃下用JG-3型连续可调磁场仪对液晶盒施加垂直于其表面的磁场,用CT5A型特斯拉计准确读出磁场强度数值,使液晶盒光轴方向与起偏镜和检偏镜偏振方向成45°,分别测出了起偏镜和检偏镜偏振方向平行和垂直时的透射光强度.通过数学函数拟合,得出了液晶的双折射率随磁场的变化规律,即:当磁场强度大于液晶的阈值磁场时,拟合函数能很好地描述液晶磁控双折射率的变化规律.

液晶红外磁控双折射效应的研究

利用JG-3型连续可调谐磁场仪搭建实验装置,红外1350 nm激光器做光源,测量了偏振光通过磁场作用下BL-009型向列相液晶的透射光强度和旋转角度,详细分析了磁场对液晶透射比和液晶旋光性能的影响,对实验结果进行了理论分析,得出了液晶透射比和旋光角随磁场方向变化的结论。同时,通过实验测试,对液晶的阈值磁场强度进行了讨论。