一种非接触型位移传感器的研究

介绍了一种基于磁场测量原理的非接触型直线位移传感器,该位移传感器采用强磁性金属膜磁敏电阻器作为敏感元件,通过测量磁场强度随位移的变化,实现物体位移的非接触测量。详细介绍了传感器的结构、测量原理,并进行了传感器的标定实验。该位移传感器具有结构简单、信噪比高、重复性好、精度高、可实现非接触测量,可广泛应用测量环境恶劣,且要求较高精度和可靠性的场合。

地磁异常的铁路来车检测装置与方法

文中设计了一种适用于客运专线的铁路来车监测装置.利用各向异性型磁阻传感器检测列车引起的地磁异常,将信号进行放大后用A/D转换器进行数据采集,并根据动车组列车磁异常信号的特性,利用ARM处理器实现了前向差分数据驱动的单中间变量状态机车辆检测算法.结果表明该装置能够有效采集到列车引起的地磁异常信号,来车检测算法能有克服地磁场缓变、接触网电流磁场和突发噪声等干扰.该系统能有效检测出铁路线路上运行的车辆,并且具有低功耗、易于安装等特点.

一种基于InSb磁敏电阻器的接近开关

介绍了锑化铟(InSb)磁阻式接近开关的工作原理,设计了信号处理电路,并对其动态性能进行了测试。实验结果表明:径向间距为4 mm时,接近开关动作距离大于8 mm,回差距离小于0.06 mm,重复定位精度优于0.04 mm,可适用于工作频率0～5 kHz范围内的铁磁性物质检测。该接近开关灵敏度高,开关动态特性较好,且结构简单,成本低,可以实现规模化生产。

电子束蒸发法制备Co/Ru多层膜的微观结构与磁电阻

采用电子束蒸发法制备具有不同Co层厚度的Co/Ru多层膜。采用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、扫描电镜(TEM)等对多层膜的微观结构进行观察与分析,研究多层膜微观结构对多层膜磁阻性能的影响,并探讨多层膜磁阻的产生机理。结果表明:Co层的厚度tCo对于薄膜的微观结构和磁阻性能有很大影响,当tCo≥0.8 nm时Co/Ru多层膜以层状方式连续生长,且tCo越大,薄膜结晶越完整,薄膜呈现负磁阻效应;当tCo=0.5 nm时,Co/Ru多层膜为岛状生长,Co/Ru界面的不对称性使得薄膜出现正磁阻效应。

基于InSb-In磁阻元件的液体流量计的设计

设计了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制作而成的液体流量计，该流量计中的转动涡轮由磁钢材料制作，当转动的涡轮叶片靠近InSb-In共晶体薄膜磁阻元件时引起其阻值的变化，进而产生交变信号。经过对信号的处理，单片机进行计数，可以得到瞬时流量和累积流量。本流量计采用西6mm管径设计，实验中采用自来水作为被测液体，每脉冲代表液体流量为0．8776mL，其有效测量量程为0．05—0．5m^3／h，测量误差在±0．4％左右，能满足低流速测量工业现场的使用要求，并能降低制造成本。

基于交流通电的钢球微细裂纹电磁检测方法

提出了一种基于交流通电测磁的钢球表层微细裂纹检测方法,首先,通过有限元仿真得到钢球表面微细裂纹所产生漏磁场的磁感应强度的数量级,验证检测方法的可行性;然后,选择高灵敏度隧道磁敏电阻传感器拾取磁场信号,并设计了弧形差分阵列探头实现全覆盖扫查;最后,分析通电电流频率和强度对不同深度和走向裂纹产生的磁感应强度的影响,优化了交流激励参数。试验结果表明:随着交流电频率的增大,漏磁场逐渐减小,扰动电流产生的扰动磁场逐渐增大;随电流增强,磁场呈增大趋势。另外,设计了一套钢球微细裂纹检测系统,采取沿钢球表面螺旋展开扫查,机械手配合钢球的旋转运动,实现钢球表面的全覆盖自动化无损检测。

基于InSb-In磁阻元件的液体流量开关设计

介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制作而成的液体开关。此种液体开关是利用液体流动时的冲击力推动置于液体管道中的涡轮转动。该涡轮由磁钢材料制作，当转动的涡轮叶片靠近InSb—In共晶体薄膜磁阻元件时引起其阻值的变化，进而产生交变信号。经过对信号的处理，最后送入单片机进行计数，当脉冲频率低于某一设定值或高于某一设定值时，通过单片机输出高电平，起到报警的目的。本流量开关是基于四分管设计，其监测的流量范围为1．5～8．4L／min。

半导体磁场传感器过去和未来

经过半个多世纪的发展,半导体磁场传感器在科研、开发、生产和应用的各个方面都得到了巨大的发展。每年,全世界有数以十亿计的半导体磁场传感器投入使用,在人类社会生活的各个方面发挥着越来越来重要的作用。我们希望透过发展过程中出现的某些曲折,引发一些新的思考;从现实的进展中看到未来可能发展的趋势,受到更多的鼓舞。

高压直流输电优势微观分析

从微观角度分析了交流输电、低压直流输电和高压直流输电过程中霍尔电场强弱的问题,认为交流输电和低压直流输电由于产生的霍尔电场过强,使得载流子在晶格势场中的能态升高,减小了载流子功函数,提高了载流子从导体表面逸出的概率,表现为磁阻增大;而采取高压交流输电,由于降低了载流子漂移运动速度,大大削弱了霍尔电场,使得载流子在晶格势场中的能态变化不大,载流子功函数减小不多,载流子从导体表面逸出的概率不高,减小了磁阻.因此,高压直流输电是电路上能量损耗最小的输电方式.

变频调速应用技术(六) 第三讲 选好系统上变频(下)

本文介绍了能耗电路的选择和自制:变频器主电路的测量问题;以及改变传动比的作用等。

InSb磁敏无接触电位器

本文介绍半导体InSb磁敏无接触电位器的工作原理、结构、特点、技术特性、封装及应用。

自旋阀多层膜磁化翻转场的调控和磁电阻特性

用磁控溅射方法制备Ta/CoFe/Fe/Au/Fe/IrMn/Ta和Ta/CoFe1/Au/CoFe2/IrMn/Ta两种多层膜结构的自旋阀,并优化各功能层的溅射参数有效调控了磁化翻转场和磁电阻特性。根据TEM确定了样品多层膜的微观结构和膜厚,使用VSM和加磁场四探针法分别测量了样品的磁滞回线和磁电阻(MR)特性曲线。结果表明,样品中隔离层Au的厚度与MR值之间存在振荡衰减的关系;而钉扎层、自由层和被钉扎层的厚度直接影响各膜层的矫顽力和饱和磁化强度等磁学性能,进而改变MR值。各层厚度为6/6/3.8/6/9/6 nm的Ta/CoFe1/Au/CoFe2/IrMn/Ta结构自旋阀,具有最佳的MR值。