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Anomalous Magneto-Transport Behavior in Transition Metal Pentatelluride HfTe5 被引量:1
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作者 赵凌霄 黄筱淳 +9 位作者 龙雨佳 陈栋 梁慧 杨占海 薛面起 任治安 翁红明 方忠 戴希 陈根富 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2017年第3期107-111,共5页
There is a long-standing confusion concerning the physical origin of the anomalous resistivity peak in transition metal pentatelluride HfTe5. Several mechanisms, such as the formation of charge density wave or polaron... There is a long-standing confusion concerning the physical origin of the anomalous resistivity peak in transition metal pentatelluride HfTe5. Several mechanisms, such as the formation of charge density wave or polaron, have been proposed, but so far no conclusive evidence has been presented. In this work, we investigate the unusual temperature dependence of magneto-transport properties in HfTe5. It is found that a three-dimensional topological Dirac semimetal state emerges only at around Tp (at which the resistivity shows a pronounced peak), as manifested by a large negative magnetoresistance. This accidental Dirac semimetal state mediates the topological quantum phase transition between the two distinct weak and strong topological insulator phases in HfTe5. Our work not only provides the first evidence of a temperature-induced critical topological phase transition inHfTe5 but also gives a reasonable explanation on the long-lasting question. 展开更多
关键词 Anomalous magneto-transport Behavior in Transition Metal Pentatelluride HfTe5
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Magneto-transport properties of the off-stoichiometric Co_2MnAl film epitaxially grown on GaAs(001)
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作者 Zhifeng Yu Hailong Wang +2 位作者 Jialin Ma Shucheng Tong Jianhua Zhao 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2019年第5期51-54,共4页
We have investigated the magneto-transport properties of an off-stoichiometric full-Heusler alloy Co_2MnAl single-crystalline film. The Co_(1.65)Mn_(1.35)Al(CMA) film epitaxially grown on Ⅲ–Ⅴ semiconductor GaAs sub... We have investigated the magneto-transport properties of an off-stoichiometric full-Heusler alloy Co_2MnAl single-crystalline film. The Co_(1.65)Mn_(1.35)Al(CMA) film epitaxially grown on Ⅲ–Ⅴ semiconductor GaAs substrate exhibits perpendicular magnetic anisotropy. The resistivity of the CMA film increases with the temperature T decreasing from 300 to 5 K, showing a semiconducting-like transport behavior. Different activation energies are found in three temperature regions with transition temperatures of 35 and 110 K. In the meanwhile, the remanent magnetization can be described by T^(3/2) and T^2 laws in the corresponding medium and high T ranges, respectively. The transition at around 110 K could be attributed to the ferromagnetism evolving from localized to itinerant state. The Curie temperature of the CMA film is estimated to be ~640 K. The intrinsic anomalous Hall conductivity of ~55 Ω^(-1) cm^(-1) is obtained, which is almost twenty times smaller than that of Co_2MnAl. 展开更多
关键词 full-Heusler alloy magneto-transport property activation model MOLECULAR-BEAM epitaxy
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Magnetizations and magneto-transport properties of Ni-doped PrFeO_3 thin films
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作者 Feroz A.Mir S.K.Sharma Ravi Kumar 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第4期608-615,共8页
The present study reports the magnetizations and magneto-transport properties of PrFel_xNixO3 thin films grown by pulsed laser ablation technique on LaA103 snbstrates. From DC M/H plots of these films, weak ferromagne... The present study reports the magnetizations and magneto-transport properties of PrFel_xNixO3 thin films grown by pulsed laser ablation technique on LaA103 snbstrates. From DC M/H plots of these films, weak ferromagnetism or ferrimagnetism behaviors are observed. With Ni substitution, reduction in saturation magnetization is also seen. With Ni doping, variations in saturation field (Hs), coercive field (Hc), Weiss temperature (0), and effective magnetic moment (Pelf) are seen. A small change of magnetoresitance with application of higher field is observed. Various essential parameters like density of state (Nf) at Fermi level, Mott's characteristic temperature (To), and activation energy (Ea) in the presence of and in the absence of magnetic field are calculated. The present observed magnetic properties are related to the change of Fe-O bond length (causing an overlap between the oxygen p orbital and iron d orbital) and the deviation of the Fe-O-Fe angle from 180~. Reduction of magnetic domain after Ni doping is also explored to explain the present observed magnetic behavior of the system. The influence of doping on various transport properties in these thin films indicates a distortion in the lattice structure and single particle band width, owing to stress-induced reduction in unit cell volume. 展开更多
关键词 thin films magnetization FERROMAGNETISM FERRIMAGNETISM magneto-transport and distortion
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Magneto-Transport Properties of Insulating Bulk States in Bi(111) Films
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作者 庞斐 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第2期131-134,共4页
Magneto-transport properties of insulating bulk states in Bi(111) films are systematically investigated under the parallel field (BⅡ). We find that the magnetotransport of the Bll field is a more powerful tool to... Magneto-transport properties of insulating bulk states in Bi(111) films are systematically investigated under the parallel field (BⅡ). We find that the magnetotransport of the Bll field is a more powerful tool to distinguish the bulk states and the surface states. A large magnetoresistance (MR) up to 20% in the BⅡ field is induced by the insulating bulk states for the suppression of the backward scattering. With the increasing thickness, a positive MR(BⅡ) from magnetic induced boundary scattering appears in the semimetal films. As the thickness is reduced to 1Ohm, the positive MR(BⅡ) is induced by weak anti-localization from the surface states. 展开更多
关键词 In MR FILMS magneto-transport Properties of Insulating Bulk States in Bi
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利用迁移率谱技术研究p型碲镉汞材料 被引量:2
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作者 张可锋 林铁 +5 位作者 王妮丽 王仍 焦翠灵 林杏潮 张莉萍 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期301-304,共4页
窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于p材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μe/μh≈102),更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法准确有效地给出p型材料的电学... 窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于p材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μe/μh≈102),更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法准确有效地给出p型材料的电学参数.通过变温变磁场的霍尔测试对p型HgCdTe材料的磁输运特性进行了测试,结合迁移率谱技术确定了材料中各种载流子的迁移率,并给出了它们对电导的相对贡献,以及自然氧化对样品中各种载流子的影响. 展开更多
关键词 碲镉汞 磁输运 迁移率谱 自然氧化
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Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能 被引量:2
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作者 王仍 焦翠灵 +7 位作者 徐国庆 张莉萍 张可锋 陆液 杜云辰 邵秀华 林杏潮 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期432-436,共5页
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化,利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨... 采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化,利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨论了三种反常p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化.通过变磁场霍尔测量,分析了具有反型层Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜的迁移率谱,证实了由于表面电子、体电子以及体空穴混合导电造成的反常霍尔性能. 展开更多
关键词 Hg1-xCdxTe晶体 磁输运 迁移率谱 二次离子质谱
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掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究 被引量:1
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作者 仇志军 桂永胜 +6 位作者 崔利杰 曾一平 黄志明 疏小舟 戴宁 郭少令 禇君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期329-332,共4页
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气 ,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置 ,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为 4meV。此外 ,通过迁移率... 利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气 ,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置 ,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为 4meV。此外 ,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系 . 展开更多
关键词 单量子阱 二维电子气 输运 迁移率 载流子 拍频现象 掺杂 电子对 对称 能级
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“弱p型”和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究 被引量:3
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作者 张可锋 林杏潮 +5 位作者 张莉萍 王仍 焦翠灵 陆液 王妮丽 李向阳 《红外》 CAS 2011年第6期1-5,共5页
详细分析了两类碲镉汞(HgCdTe)材料的磁输运特性,并以此寻找两类材料的有效筛选方法。窄禁带HgCdTe是一种电子和空穴混合导电的多载流子体系材料。特别是"弱p型"材料,由于电子的迁移率比空穴的大两个数量级(b=μ_e/μ_h≈10~2),... 详细分析了两类碲镉汞(HgCdTe)材料的磁输运特性,并以此寻找两类材料的有效筛选方法。窄禁带HgCdTe是一种电子和空穴混合导电的多载流子体系材料。特别是"弱p型"材料,由于电子的迁移率比空穴的大两个数量级(b=μ_e/μ_h≈10~2),更容易受到少数载流子(电子)的干扰,因此通过单一磁场的霍尔测试无法区分性能很差的低迁移率n型材料和"弱p型"材料。通过变温变磁场的霍尔测试对两种碲镉汞材料的磁输运特性进行了测试,并结合迁移率谱技术分析了两者的差别。结果表明,利用迁移率谱技术可以很好地区分这两种碲镉汞材料。 展开更多
关键词 霍尔测量 HGCDTE 磁输运 迁移率谱
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基于地磁传感器的车辆检测算法 被引量:13
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作者 荣梅 黄辉先 徐建闽 《交通信息与安全》 2011年第3期43-46,共4页
地磁传感器是一种动态检测地磁场变化的感应设备。文中提出了基于地磁传感器的一种车辆检测方法,通过对地磁检测器所采集的数据进行预处理和波形特征提取来进行车辆信息的检测。利用安装在路面上的2个地磁感应器,和基于动态基值的波形... 地磁传感器是一种动态检测地磁场变化的感应设备。文中提出了基于地磁传感器的一种车辆检测方法,通过对地磁检测器所采集的数据进行预处理和波形特征提取来进行车辆信息的检测。利用安装在路面上的2个地磁感应器,和基于动态基值的波形特征提取算法,对车辆流量和车辆速度及车型等信息进行有效的检测,试验结果表明基于地磁感应的车辆检测方法的准确率高达98%。 展开更多
关键词 检测器 波形特征 地磁感应效应 智能交通系统
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Giant enhancement of superconductivity in few layers MoTe2 被引量:1
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作者 Yuan Gan Chang-Woo Cho +4 位作者 Alei Li Jian Lyu Xu Du Jin-Sheng Wen Li-Yuan Zhang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第11期79-83,共5页
Recently, the layered transition metal dichalcogenide 1 T MoTe2 has attracted considerable attention due to its non-saturating magnetoresistance, type-II Weyl semimetal properties, superconductivity, and potential can... Recently, the layered transition metal dichalcogenide 1 T MoTe2 has attracted considerable attention due to its non-saturating magnetoresistance, type-II Weyl semimetal properties, superconductivity, and potential candidate for twodimensional(2 D) topological insulator in the single-and few-layer limit. Here in this work, we perform systematic transport measurements on thin flakes of MoTe2 prepared by mechanical exfoliation. We find that MoTe2 flakes are superconducting and have an onset superconducting transition temperature Tc up to 5.3 K, which significantly exceeds that of its bulk counterpart. The in-plane upper critical field(Hc2||) is much higher than the Pauli paramagnetic limit, implying that the MoTe2 flakes have Zeeman-protected Ising superconductivity. Furthermore, the Tc and Hc2|| can be tuned by up to 320 mK and 400 mT by applying a gate voltage. Our result indicates that MoTe2 flake is a good candidate for studying exotic superconductivity with nontrivial topological properties. 展开更多
关键词 transition metal dichalcogenide WEYL SEMIMETAL ISING SUPERCONDUCTIVITY magneto-transport
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As掺杂碲镉汞多载流子体系电学特性研究
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作者 周文政 代娴 +2 位作者 林铁 徐庆庆 褚君浩 《广西大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期821-826,共6页
用液相外延(LPE)方法在CdZnTe衬底上生长了厚度为14.19μm的Hg1-xCdxTe样品。在Hg1-xCdxTe中进行As掺杂,获得低温下的p型导电材料。对As掺杂Hg1-xCdxTe样品进行了磁输运测试,获得磁电阻和Hall电阻在不同温度下随磁场的变化曲线。用最... 用液相外延(LPE)方法在CdZnTe衬底上生长了厚度为14.19μm的Hg1-xCdxTe样品。在Hg1-xCdxTe中进行As掺杂,获得低温下的p型导电材料。对As掺杂Hg1-xCdxTe样品进行了磁输运测试,获得磁电阻和Hall电阻在不同温度下随磁场的变化曲线。用最大熵原理迁移率谱结合多载流子拟合(MEPMS+MCF)的分析方法,获得样品中参与导电的载流子种类,以及每种载流子浓度和迁移率随温度的变化。结果表明,在20~280 K的温度范围,空穴的浓度开始随温度的升高不断增加,到100 K后,空穴的浓度随温度的升高逐渐减小。其迁移率在低温区随温度的升高逐渐减小,到100 K后,迁移率随温度的升高逐渐增加。在100~280 K的温度范围,本征激发的电子开始参与导电,其浓度随温度的升高不断增加,迁移率随温度的升高不断减小。用MEPMS+MCF分析方法获得的零场电阻与实验结果很好符合。 展开更多
关键词 HG1-XCDXTE 磁输运 载流子浓度 载流子迁移率
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In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气的零场自旋分裂
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作者 周文政 代娴 +4 位作者 林铁 商丽燕 崔利杰 曾一平 褚君浩 《广西大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1027-1031,共5页
用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子... 用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)。对该样品在低温下进行了磁输运测试,得到了2DEG纵向电阻(磁电阻)和横向电阻(Hall电阻)在不同温度下随磁场的变化曲线。观察到磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡和由零场自旋分裂引起的SdH振荡在低场下的拍频效应。也观察到Hall电阻出现量子Hall效应所特有的Hall平台。对Hall电阻在低场部分的直线拟合获得2DEG的Hall浓度,并根据Hall浓度和零场电导获得2DEG的Hall迁移率。对磁电阻曲线的快速傅立叶变换(fast Fourier trans-form,FFT)分析获得的2DEG浓度与Hall浓度一致。对拍频节点进行分析,获得了2DEG的自旋轨道耦合常数,并由此得到了零场自旋分裂能、自旋弛豫时间、自旋进动长度等实现自旋器件的相关参数。 展开更多
关键词 量子阱 二维电子气 磁输运 零场自旋分裂
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具有高光学传输效率的FT—IR磁光光谱仪
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作者 刘普霖 史国良 +5 位作者 王培刚 陈敏挥 陆卫 朱景兵 刘卫军 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期271-274,共4页
采用一种新的设计方案,研制、组装成一套具有高光学传输效率的傅里叶变换红外磁光光谱测试系统。介绍了该系统的结构和特点,并给出了检验的结果和典型的磁光光谱。
关键词 磁光光谱 光谱议 傅氏变换
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Measurement and Analysis of Temperature Dependent Resistance of La0.67Ca/Sr0.33MnO3 CMR Samples Using LabVIEW
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作者 Sunita Keshri Leena Joshi +1 位作者 Sanat Kumar Mukherjee V. F. Kraǐdenov 《Journal of Electromagnetic Analysis and Applications》 2010年第6期372-375,共4页
In this paper we report design of one virtual instrument for the measurement of resistance as a function of temperature. The program has been developed using the National Instruments’ graphical programming language ... In this paper we report design of one virtual instrument for the measurement of resistance as a function of temperature. The program has been developed using the National Instruments’ graphical programming language ‘LabVIEW’ and has been run for the measurement of magnetoresistance of some colossal magnetoresistive (CMR) compounds, . 展开更多
关键词 CMR MANGANITES magneto-transport Properties LABVIEW Program Virtual Instrument
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基于TMR传感器的车辆检测分类算法研究 被引量:1
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作者 吴兆明 《声学技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期596-601,共6页
车辆检测与分类是智能交通运输系统研究的核心技术之一,具有广泛的应用前景。深入研究了隧穿磁阻(Tunneling Magneto Resistance,TMR)传感器的产生机理,结合双节点动态采样机制以及车辆波形窗口斜率拐点的加权欧氏距离算法,提出了一种基... 车辆检测与分类是智能交通运输系统研究的核心技术之一,具有广泛的应用前景。深入研究了隧穿磁阻(Tunneling Magneto Resistance,TMR)传感器的产生机理,结合双节点动态采样机制以及车辆波形窗口斜率拐点的加权欧氏距离算法,提出了一种基于TMR传感器的车辆检测技术。经道路车辆检测数据显示,与感应线圈检测法等相比,该检测方法功耗低、使用寿命长,且不易受外界环境影响,能实时、精确地检测车流量及速率,完成车辆类型的识别与分类。 展开更多
关键词 隧道磁阻传感器 车辆检测 智能交通 欧氏距离
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(Ga,Mn)As磁电输运性质的研究进展 被引量:3
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作者 罗佳 向钢 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1-7,共7页
综述了Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体(Ga,Mn)As磁电性质的研究进展,尤其是(Ga,Mn)As单层膜和多层膜结构的磁电输运性质的详细研究状况。关于(Ga,Mn)As的结构与物理性质的信息可由单层膜的反常霍尔效应、平面霍尔效应、电阻对温度的依赖关系与磁阻... 综述了Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体(Ga,Mn)As磁电性质的研究进展,尤其是(Ga,Mn)As单层膜和多层膜结构的磁电输运性质的详细研究状况。关于(Ga,Mn)As的结构与物理性质的信息可由单层膜的反常霍尔效应、平面霍尔效应、电阻对温度的依赖关系与磁阻各向异性等磁电输运性质测量得到;而多层膜中观察到的自旋阀效应、自旋相关散射与层间交互耦合等现象,对加深稀磁半导体的基本物性认识、拓展稀磁半导体的实际应用空间非常重要。最后总结并展望了(Ga,Mn)As未来的发展趋势。 展开更多
关键词 磁电输运性质 反常霍尔效应 自旋阀效应 平面霍尔效应
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单根Co(81)Cu(19)/Cu多层纳米线电学性质的原位测量 被引量:4
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作者 张军伟 马鸿斌 +7 位作者 全香凝 曾雪 胡玥 关超帅 邓霞 李华 张铭杰 彭勇 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期558-566,共9页
磁电阻效应是衡量磁结构单体性能的最重要指标。随着对磁电阻效应的不断研究和应用,不仅诞生了与电子自旋相关的自旋电子学理论,同时也促进了电子学器件的快速发展,这不仅为基础物理的理论研究提供了实验根基,也将促进今后大规模高科技... 磁电阻效应是衡量磁结构单体性能的最重要指标。随着对磁电阻效应的不断研究和应用,不仅诞生了与电子自旋相关的自旋电子学理论,同时也促进了电子学器件的快速发展,这不仅为基础物理的理论研究提供了实验根基,也将促进今后大规模高科技产业的形成。随着半导体加工工艺技术的不断提高,电子学器件的基本结构单元已经达到了纳米量级,这将引起一些纳米范畴的特性对其宏观性能的调控和影响。基于此,全面掌握纳米磁结构单体基本的物理特性是非常必要的,对其全面了解和精确测量能够进一步推动自旋电子学器件的应用和发展。本文应用电化学沉积法制备了CoCu/Cu多层纳米线,且在电镜下对单根CoCu/Cu多层纳米线的磁电特性进行了原位测试。通过对多层纳米线电特性的测量,不仅获得了多层纳米线的基本物理参数,还得到了直观、清晰的物理图像,这为磁结构单体今后的发展和应用提供了可靠的理论基础和实际指导。 展开更多
关键词 纳米磁结构单体 电镜原位 磁输运测量仪 CoCu/Cu磁性多层纳米线 电学特性
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三角形石墨烯量子点阵列的磁电子学特性和磁输运性质 被引量:3
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作者 胡锐 范志强 张振华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第13期255-265,共11页
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了三角形石墨烯纳米片用不同连接方式拼接而成的四种一维量子点阵列(1D QDAs)的磁电子学性质和磁输运性质.结合能计算表明所有1D QDAs是非常稳定的.特别是研究发现1D QDAs的电子和磁性质不仅... 基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了三角形石墨烯纳米片用不同连接方式拼接而成的四种一维量子点阵列(1D QDAs)的磁电子学性质和磁输运性质.结合能计算表明所有1D QDAs是非常稳定的.特别是研究发现1D QDAs的电子和磁性质不仅依赖于磁性态,也明显依赖于连接方式,如在无磁态时,不同量子点阵列(QDAs)可为金属或窄带隙半导体.在铁磁态时,不同QDAs能为半金属(half-metal)或带隙不同的双极化磁性半导体.而在反铁磁态时,不同QDAs为带隙不等的半导体.这些结果意味着连接方式对有效调控纳米结构电子和磁性质扮演重要的角色.1D QDAs呈现的半金属或双极化磁性半导体性质对于发展磁器件是非常重要的,而这些性质未曾在本征石墨烯纳米带中出现.同时,我们也研究了一种阵列的磁器件特性,发现其拥有完美的(100%)单或双自旋过滤效应,尤其是呈现超过109%的巨磁阻效应. 展开更多
关键词 三角形石墨烯纳米片 一维量子点阵列 磁电子学性质 磁输运性质
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液态金属物性参数对自蒸发磁流体发电系统输运作用的影响 被引量:3
19
作者 郑星文 鹿鹏 +1 位作者 杨培杰 黄护林 《江苏大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期163-167,共5页
采用数值模拟的方法,使用CFD软件Fluent对金属钠的相变传热及气液两相流动输运进行了模拟计算,依次改变流体物性参数进行对比模拟,得出流体物性参数对两相流输运作用的影响.结果表明:液态金属的密度、热导率越大,热容越小,对两相流的输... 采用数值模拟的方法,使用CFD软件Fluent对金属钠的相变传热及气液两相流动输运进行了模拟计算,依次改变流体物性参数进行对比模拟,得出流体物性参数对两相流输运作用的影响.结果表明:液态金属的密度、热导率越大,热容越小,对两相流的输运作用越有利;黏度对两相流的输运作用不明显;为避免流体在出口截面形成环状流降低发电效率,液态金属出口体积分数不宜小于20%. 展开更多
关键词 两相流输运 液态金属 自蒸发推动 磁流体 数值模拟
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Pr替代La_(5/8)Ca_(3/8)MnO_3体系的磁性与电输运特性
20
作者 杨聚刚 敬超 +3 位作者 曹桂新 杨勇 曹世勋 张金仓 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期505-511,共7页
系统地研究了多晶La5/8-xPrxCa3/8MnO3(x=0,0.10,0.13,0.15)体系的磁性和电输运特性,并报道了这一体系的电阻率极小值行为.X射线粉末衍射测量表明,所有的样品都具有较好的单相结构;电输运和磁性测量结果表明,随掺杂量的增大,居里温度Tc... 系统地研究了多晶La5/8-xPrxCa3/8MnO3(x=0,0.10,0.13,0.15)体系的磁性和电输运特性,并报道了这一体系的电阻率极小值行为.X射线粉末衍射测量表明,所有的样品都具有较好的单相结构;电输运和磁性测量结果表明,随掺杂量的增大,居里温度Tc和绝缘体-金属转变温度TMI都向低温区移动.在较低温度下电阻率表现出了极小值现象,而这一现象随外加磁场的增大逐渐受到抑制,对此现象从强电子-电子相互作用角度进行了分析讨论.在Tc和TMI转变温.度区域,样品表现出较大的磁电阻效应.样品在高温下的电输运行为可根据可变程跃迁机制得到很好的解释. 展开更多
关键词 Pr替代 La5/8-xPrxCa3/8MnO3 电输运与磁性 磁电阻
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