InSb磁敏电阻脉冲涡流传感器的研究

脉冲涡流检测方法是涡流检测技术的一个新兴分支。因脉冲信号频带很宽,比单一频率正弦涡流衰减慢,其瞬态感应电压信号中就包含了有关缺陷的重要信息。本文分析了InSb磁敏电阻作为脉冲涡流检测元件的工作原理,设计了探头结构和调理电路,有效抑制了环境温度的干扰,并分析了应用InSb磁敏电阻的涡流探头检测金属裂纹特征的信息提取方法。实验结果表明,采用InSb磁敏电阻作为脉冲涡流检测传感器,具有较高的裂纹灵敏度,且可以较好地反映裂纹的深度。

InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器

介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测量的准确性可与国外同类产品相媲美。

分立型InSb磁敏电阻的研究

本文研究了利用N型InSb单晶生长中形成的,与[111]生长方向相垂直的载流子密度分布的层状不均匀性,研制出灵敏度磁阻比值R_B/R_O=3(B=0.3T)的磁敏电阻。它们的零磁场电阻R_O分别是20～100Ω和2×10～2×50Ω。同时对这种元件的可靠性进行了试验研究,失效率λ(t)达到小于1×10^(-5)h^(-1)的水平。

基于InSb磁敏电阻器的齿轮转速传感器

分析了InSb磁敏电阻器的工作原理和温度特性,讨论了利用偏置磁场作用于半桥磁敏电阻构成齿轮转速传感器的测试原理;针对半导体材料对温度十分敏感的特点,提出了利用浮动零点跟踪技术测试齿轮转速的方法,很好地克服了环境温度及磁场变化对磁敏电阻的影响。实验表明:其响应频率为0.5Hz～12kHz。

应用于伺服液压缸的磁阻式位移传感器研究

介绍了基于磁阻式位移传感器的特点、工作原理及传感芯片的结构,并把该传感器应用到直驱式电液伺服液压缸上。研究结果表明,磁阻式位移传感器具有很强的抗干扰和环境适应能力。

应用于电液伺服油缸的磁敏电阻式位移传感器研究

详细介绍了磁敏电阻式位移传感器特点、工作原理,芯片的结构,并将其应用于电液伺服油缸上。研究结果表明,磁敏电阻式位移传感器应用于电液伺服油缸上,具有很强的抗干扰和环境适应能力。

InSb-In共晶体薄膜磁阻式电流传感器

介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ,并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ,待测的 5 0Hz交流电流在 40～ 110mA之间变化时 ,输出电压在约 1V至约 3 .5V范围内变化 ,并且两者之间有比较好的线性关系 ,标准偏差 <0 .0 2。输出信号电压与本底噪声之比是 (2 4～ 46 ) :1。

基于InSb磁敏电阻器的脉冲涡流信号处理方法研究

脉冲涡流检测方法是涡流检测技术的一个新兴分支。分析了InSb磁敏电阻器作为脉冲涡流检测元件的工作原理。应用InSb磁敏电阻器的涡流探头检测金属裂纹特征的信息提取方法。对采集的信号首先通过同步累加法处理后再经多项式拟合、小波变换实现对信号的滤波与平滑,最终选用小波变换提取裂纹的特征。实验表明:采用InSb磁敏电阻器作为脉冲涡流检测敏感元件,具有较高的裂纹灵敏度,且可以较好地反映裂纹的深度。

用于角度位置测量的磁敏电阻特性实验研究

对磁敏电阻的阻值随其在磁场中的角度位置变化而改变这一特性进行了实验研究。结果表明:通过惠斯顿电桥及其放大电路,输出端的电压与磁敏电阻在磁场中的角度呈线性变化关系。该方法可用于汽车位置传感器中的角度、转速、磁场等的测量。

无巴克豪生噪声的薄膜磁头材料

对NiFe/SiO_2/NiFe薄膜可消除巴克豪生噪声及其对磁场梯度敏感的原理进行了分析,作为薄膜磁头材料进行了读取垂直磁记录信号实验,结果表明,这种薄膜是一种具有高分辨率的、低噪声的磁电阻磁头材料。

轴承套圈裂纹高速漏磁检测系统

为解决轴承套圈大批量、高速、高精的检测需求,将漏磁法运用于套圈的微细裂纹检测,提出了一种多轴承套圈内外壁双面同步高速漏磁检测方式,设计了多轴承套圈同步高速检测机构,同时使用磁屏蔽式仿形磁敏电阻阵列探头拾取微细裂纹产生的漏磁场并进行减少误判的信号处理,可满足多规格轴承套圈高速、高精的漏磁检测需求,每件检测速度仅需2 s,最小检出深度可达0.1 mm。

温度控制装置中的InSb-In磁敏电阻

研究了InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻(MR)的温度特性,并把这种磁敏电阻应用到温度控制领域,设计了一种基于InSb-In磁敏电阻的温度控制器,由InSb-In磁敏电阻温度采集电路、信号处理电路和控制执行电路三部分组成。实验结果表明,InSb-In磁敏电阻材料同其他温敏元件材料一样,具有很好的温度特性,其温度特性与热敏电阻NTC极为相近;用InSb-In磁敏电阻材料制作的温控器具有灵敏度高、控温范围宽的优点,在低温区其灵敏度可以高于30mV/℃,常温下也可达到23mV/℃左右。同时它还具有稳定性强、可靠性好、受环境因素影响小、结构简单紧凑、价格低廉、对材料要求低等诸多优点,是一种值得推广应用的新型材料温度开关。

新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器

研制的振动传感器是一种利用锑化铟 铟 (InSb In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器。与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比 ,这种传感器的灵敏度更高 ,频率响应宽。经实测 ,其提供的电信号的信噪比大于 60dB。这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制开关、自动控制开关等。

含有源磁控忆阻器的蔡氏电路混沌现象分析

文章利用Multisim仿真软件对含有有源忆阻器构成的蔡氏电路出现混沌的现象进行了仿真研究,并测绘给出L=18 mH、C_1=68 nF、C_2=6.8 nF时,电路发生混沌现象与R取值关系的相图及工作波形。仿真实验结果表明:当蔡氏电路中的电感L、电容一定时,随R增大,电路震荡由线性—混沌现象—线性,当R达到一定值时电路出现无震荡;当电路电容一定、电感L取值变化时,随L增大,电路出现混沌现象时所对应的R值增大;当电感L一定、改变电容取值时,随电容取值增大,电路出现混沌现象时对应的R取值变小。