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Fabrication of Diamond-like Carbon Films by Ion Assisted Middle Frequency Unbalanced Magnetron Sputtering 被引量:1
1
作者 ZHANG Yi-chen SUN Shao-ni +2 位作者 ZHOU Yi MA Sheng-ge BA De-chun 《Chinese Journal of Aeronautics》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第B12期119-125,共7页
Diamond-like carbon (DLC) films are deposited by the Hall ion source assisted by the mid-frequency unbalanced magnetron sputtering technique. The effects of the substrate voltage bias, the substrate temperature, the... Diamond-like carbon (DLC) films are deposited by the Hall ion source assisted by the mid-frequency unbalanced magnetron sputtering technique. The effects of the substrate voltage bias, the substrate temperature, the Hall discharging current and the argon/nitrogen ratio on the DLC film's performance were studied. The experimental results show that the film's surface roughness, the hardness and the Young's modulus increase firstly and then decrease with the bias voltage incrementally increases. Also when the substrate temperature rises, the surface roughness of the film varies slightly, but its hardness and Young's modulus firstly increase followed by a sharp decrease when the temperature surpassing 120 ℃. With the Hall discharging current incrementally rising, the hardness and Young's modulus of the film decrease and the surface roughness of the film on 316L stainless steel firstly decreased and then remains constant. 展开更多
关键词 fluid machinery and engineering diamond-like carbon films middle frequency unbalanced magnetron sputtering hall ion source
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Structure and Properties of Ti-Si-N Coatings Synthesized by Combining Cathode Arc and Middle-frequency Magnetron Sputtering 被引量:2
2
作者 杨种田 付德君 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2009年第5期702-705,共4页
Ti-Si-N composite coatings were synthesized on a novel combining cathode and middle-frequency magnetron sputtering system, designed on an industrial scale. Ti was produced from the arc target and Si from magnetron tar... Ti-Si-N composite coatings were synthesized on a novel combining cathode and middle-frequency magnetron sputtering system, designed on an industrial scale. Ti was produced from the arc target and Si from magnetron target during deposition. The influences of negative bias voltage and Si content on the hardness and microstructure of the coatings were investigated. The composite coatings prepared under optimized conditions were characterized to be nc-TiN/a-Si3N4 structure with grain sizes of TiN ranging from 8-15 nm and exhibited a high hardness of 40 GPa. The enhancement of the hardness is suggested to be caused by the nanograin-amorphous structure effects. 展开更多
关键词 Ti-Si-N composite coatings cathode assisted middle-frequency magnetron sputtering hardness structure
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Effects of Bias Voltage on the Structure and Mechanical Properties of Thick CrN Coatings Deposited by Mid-Frequency Magnetron Sputtering 被引量:6
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作者 容双全 何俊 +3 位作者 王红军 田灿鑫 郭立平 付德君 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第1期38-41,共4页
Thick CrN coatings were deposited on Si (111) substrates by electron source assisted mid-frequency magnetron sputtering working at 40 kHz. The deposition rate, structure, and microhardness of the coatings were stron... Thick CrN coatings were deposited on Si (111) substrates by electron source assisted mid-frequency magnetron sputtering working at 40 kHz. The deposition rate, structure, and microhardness of the coatings were strongly influenced by the negative bias voltage (Vb). The deposition rate reached 8.96 μm/h at a Vb of -150 V. X-ray diffraction measurement revealed strong CrN (200) orientation for films prepared at low bias voltages. At a high bias voltage of Vb less than -25 V both CrN (200) and (111) were observed. Large and homogeneous grains were observed by both atomic force microscopy and scanning electron microscopy in samples prepared under optimal conditions. The samples exhibited a fibrous microstructure for a low bias voltage and a columnar structure for VD less than -150 V. 展开更多
关键词 CRN middle-frequency magnetron sputtering bias voltage
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A cathodic arc enhanced middle-frequency magnetron sputter system for deposition of hard protective coatings 被引量:1
4
作者 HUANG Zhi-Hong YANG Bing FAN Xiang-Jun FU De-Jun 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2006年第3期135-138,共4页
关键词 阴极弧 中频磁控管溅射 类金刚石碳 内靶
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带有反向正脉冲的HiPIMS技术制备ta-C膜及性能研究
5
作者 何哲秋 冯利民 +2 位作者 李建中 石俊杰 高宣雯 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期96-103,共8页
目的提高切削刀具和耐磨零件的表面硬度和摩擦性能,延长工具的使用寿命。方法基于高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS),在每个脉冲周期尾部施加反向正脉冲,控制ta-C沉积过程,通过电镜测试、拉曼测试、XPS测试、纳米压痕硬度测试、摩擦磨损... 目的提高切削刀具和耐磨零件的表面硬度和摩擦性能,延长工具的使用寿命。方法基于高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS),在每个脉冲周期尾部施加反向正脉冲,控制ta-C沉积过程,通过电镜测试、拉曼测试、XPS测试、纳米压痕硬度测试、摩擦磨损实验分别分析脉冲频率、反向正脉冲能量对ta-C薄膜沉积速度、膜结构、硬度、结合强度、耐磨性能的影响。结果采用钨钢为基体进行实验,将频率从4000 Hz到1500 Hz依次降低,制备涂层。在频率为4000 Hz的处理条件下制备涂层时,ta-C膜层的厚度为479.2 nm,通过XPS可知,此时sp^(3)的原子数分数达到59.53%,硬度为32.65 GPa,且得到的薄膜在12.7 N时失效,耐磨性较差,摩擦因数约为0.163。在频率为1500 Hz的处理条件下制备涂层时,涂层各项性能均有所提升,ta-C膜层的厚度为488.6 nm,通过XPS可知,此时sp^(3)的原子数分数达到63.74%,硬度为40.485 GPa,且薄膜在14.9 N时失效,耐磨性较优,摩擦因数约为0.138。结论通过调节脉冲频率,可以有效提高ta-C薄膜的沉积效率,改善膜的结构和性能。随着沉积ta-C薄膜频率的降低,薄膜中sp^(3)的含量呈现增大趋势,摩擦因数也随之降低,有效改善了ta-C膜的耐磨性。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射技术 类金刚石膜 脉冲频率 结合力 硬度 耐磨性
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SiO_(2)溅射功率对Fe_(40)Co_(40)B_(20)-SiO_(2)软磁纳米颗粒膜磁性能的影响
6
作者 蒋云川 余忠 +4 位作者 李启帆 邬传健 蒋晓娜 孙科 兰中文 《磁性材料及器件》 CAS 2024年第2期1-4,共4页
用磁控溅射法沉积Fe_(40)Co_(40)B_(20)-SiO_(2)软磁纳米颗粒膜,对其微观结构和磁性能进行了分析。研究发现,随着SiO_(2)溅射功率的增高,Fe_(40)Co_(40)B_(20)-SiO_(2)薄膜粗糙度、截止频率、磁导率、饱和磁化强度均降低,薄膜电阻率增... 用磁控溅射法沉积Fe_(40)Co_(40)B_(20)-SiO_(2)软磁纳米颗粒膜,对其微观结构和磁性能进行了分析。研究发现,随着SiO_(2)溅射功率的增高,Fe_(40)Co_(40)B_(20)-SiO_(2)薄膜粗糙度、截止频率、磁导率、饱和磁化强度均降低,薄膜电阻率增大。在SiO_(2)溅射功率为500 W时,Fe_(40)Co_(40)B_(20)-SiO_(2)薄膜电阻率高达1973μΩ·cm,且截止频率也高达3.67 GHz。相较于未添加SiO_(2)的薄膜,其电阻率有了显著提升,且同样拥有较高的截止频率。因此,通过该方法制备的Fe_(40)Co_(40)B_(20)-SiO_(2)薄膜可有效应用于GHz频段的软磁薄膜电感。 展开更多
关键词 Fe_(40)Co_(40)B_(20)-SiO_(2)薄膜 磁控溅射 SiO_(2)溅射功率 磁性能 电阻率 截止频率
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Cr/CrN/CrNC/CrC/Cr-DLC梯度膜层的研究 被引量:9
7
作者 牛仕超 余志明 +3 位作者 代明江 林松盛 候惠君 李洪武 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2007年第3期34-38,共5页
采用中频磁控溅射结合离子源技术沉积Cr/CrN/CrNC/CrC/Cr-DLC膜层。利用扫描电镜(SEM)、电子能谱(EDS)、Raman光谱和俄歇深层剥层分别对膜层微观形貌、成分组成、键结构及梯度成分深层分布进行分析;采用努氏显微硬度计、摩擦磨损试验机... 采用中频磁控溅射结合离子源技术沉积Cr/CrN/CrNC/CrC/Cr-DLC膜层。利用扫描电镜(SEM)、电子能谱(EDS)、Raman光谱和俄歇深层剥层分别对膜层微观形貌、成分组成、键结构及梯度成分深层分布进行分析;采用努氏显微硬度计、摩擦磨损试验机、划痕仪及洛氏硬度计测评膜层机械性能。结果表明:采用中频磁控溅射可沉积出大面积Cr/CrN/CrNC/CrC/Cr-DLC梯度膜层;Cr溅射功率对C键结构影响不大,但表层DLC中Cr的含量和膜层厚度随中频功率增大而增大;随DLC中掺Cr量增多,膜层硬度及摩擦因数略有上升;采用梯度过渡层及掺入金属Cr提高了膜层附着力,但过高的中频功率使沉积离子能量偏高,膜层压应力增加反而降低了膜层附着性能。 展开更多
关键词 Cr-DLC 中频磁控溅射 离子源 附着力
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直流磁控溅射电源研制及输出特性研究 被引量:7
8
作者 曹珍恩 巩春志 +1 位作者 田修波 杨士勤 《真空》 CAS 北大核心 2008年第2期70-73,共4页
磁控溅射技术在薄膜制备领域广泛应用,电源是磁控溅射镀膜的关键设备之一。本文介绍了全桥逆变直流磁控溅射电源主电路和控制电路的设计,该电源输出功率2 kW,采用PI恒流控制,具有过流保护。通过阻性负载测试表明电源具有很好恒流特性,... 磁控溅射技术在薄膜制备领域广泛应用,电源是磁控溅射镀膜的关键设备之一。本文介绍了全桥逆变直流磁控溅射电源主电路和控制电路的设计,该电源输出功率2 kW,采用PI恒流控制,具有过流保护。通过阻性负载测试表明电源具有很好恒流特性,在输出功率超过400 W时电源效率比较高。利用氮气/氩气不锈钢靶直流磁控溅射实际的等离子体负载测试表明:在保证真空室内压力不变的前提下,随着氮气比例的增加,电压下降,但电源恒流效果好,工作稳定。 展开更多
关键词 磁控溅射 电源 全桥变换 恒流
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中频直流磁控反应溅射法制备掺铝氧化锌薄膜的研究 被引量:5
9
作者 林清耿 郜小勇 +1 位作者 刘玉芬 卢景霄 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期566-569,共4页
利用中频直流磁控反应溅射法(MF-DC-MS)在玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜。利用X射线衍射(XRD)、四探针法和分光光度计深入研究了衬底温度对AZO薄膜的结构、电学和光学特性的影响。研究结果表明3h的沉积使AZO薄膜丧失了(0... 利用中频直流磁控反应溅射法(MF-DC-MS)在玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜。利用X射线衍射(XRD)、四探针法和分光光度计深入研究了衬底温度对AZO薄膜的结构、电学和光学特性的影响。研究结果表明3h的沉积使AZO薄膜丧失了(002)c轴择优取向。随着衬底温度由210℃升高到270℃,AZO薄膜的电阻率从7.5×10-3Ω.cm降低到2.5×10-3Ω.cm。高于270℃后,电阻率又略有升高。电阻率的变化趋势可从薄膜微观结构的角度得到合理解释。随着衬底温度的升高,AZO薄膜的吸收边先发生了蓝移。高于270℃后,又发生了红移。利用Burstein-Moss效应分析了AZO薄膜吸收边的蓝移和红移。该结果和电阻率的结果相印证。 展开更多
关键词 中频直流反应磁控溅射 掺铝氧化锌薄膜 C轴择优取向 吸收边
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射频功率对Cu/Ag导电薄膜结构和性能的影响 被引量:2
10
作者 孙金池 刘正堂 +2 位作者 李阳平 冯丽萍 张兴刚 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期693-696,共4页
采用射频磁控溅射工艺以Cu/A g合金为靶材在高阻半导体Cd1-xZnxT e上制备导电薄膜。系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜电阻率、组织形貌及接触性能的影响。结果表明,沉积速率随溅射功率的增加呈线性增加,薄膜电阻率随功率增大而增... 采用射频磁控溅射工艺以Cu/A g合金为靶材在高阻半导体Cd1-xZnxT e上制备导电薄膜。系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜电阻率、组织形貌及接触性能的影响。结果表明,沉积速率随溅射功率的增加呈线性增加,薄膜电阻率随功率增大而增大。电流-电压关系(I-U)测试表明在高阻Cd1-xZnxT e上溅射Cu/A g薄膜后不经热处理已具有良好的欧姆接触性,溅射功率为100W时的接触性能好于功率40W时的接触性能。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 溅射功率 Cu/Ag导电薄膜 欧姆接触
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溅射功率对Sb薄膜负极材料循环性能的影响 被引量:3
11
作者 赵灵智 胡社军 田琴 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期652-654,共3页
采用射频磁控溅射法分别在100、200、300W和400W功率下制备了4种锂离子电池用Sb薄膜负极材料。通过X射线衍射光谱法(XRD)、扫描电子显微镜法(SEM)、电感耦合等离子体光谱分析法(ICP)、恒电流充放电对4种薄膜材料的结构、形貌及循环性能... 采用射频磁控溅射法分别在100、200、300W和400W功率下制备了4种锂离子电池用Sb薄膜负极材料。通过X射线衍射光谱法(XRD)、扫描电子显微镜法(SEM)、电感耦合等离子体光谱分析法(ICP)、恒电流充放电对4种薄膜材料的结构、形貌及循环性能等进行了表征。实验结果表明,随着溅射功率增加,Sb薄膜晶化程度加剧,结晶趋于完整,颗粒粗化。在相同溅射时间30min的情况下,当功率为300W时,获得的Sb薄膜电极具有最好的循环性能,首次嵌锂比容量达640mAh/g,20次循环后比容量维持在323mAh/g,容量保持率为51%。 展开更多
关键词 锂离子电池 负极 射频磁控溅射 溅射功率
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氩离子轰击对中频-直流磁控溅射铝薄膜耐蚀性能的影响 被引量:9
12
作者 王付胜 何鹏 +3 位作者 郁佳琪 胡隆伟 刘燕 陈亚军 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期185-194,共10页
目的研究氩离子轰击这种后处理工艺对TC4钛合金表面铝膜层结构和耐蚀性能的影响,为飞机钛合金紧固件的表面腐蚀防护工作提供理论依据。方法首先采用中频-直流相结合的磁控溅射离子镀方法在Ti-6Al-4V钛合金(TC4)基体表面制备铝膜,通过电... 目的研究氩离子轰击这种后处理工艺对TC4钛合金表面铝膜层结构和耐蚀性能的影响,为飞机钛合金紧固件的表面腐蚀防护工作提供理论依据。方法首先采用中频-直流相结合的磁控溅射离子镀方法在Ti-6Al-4V钛合金(TC4)基体表面制备铝膜,通过电化学方法研究膜层厚度和腐蚀时间对耐蚀性能的影响规律。其次,采用氩离子轰击工艺对膜层进行后处理,探讨氩离子轰击对膜层耐蚀性能的影响,同时利用SEM、EDS、AFM表征界面形貌,并分析耐蚀机理。最后,通过显微硬度仪和微纳米划痕仪测试膜层表面硬度和界面结合性能。结果随着膜层厚度从11.1μm增加至15.9μm,自腐蚀电流密度下降了76.6%,而当厚度由15.9μm增加至20.3μm时,自腐蚀电流密度又下降了24.3%。腐蚀浸泡时间达到24 h时,腐蚀产物在疏松氧化膜内的累积和覆盖阻碍了膜层的腐蚀;在48~72 h时,随着铝膜层相对疏松的腐蚀产物逐渐脱落,腐蚀逐渐加剧;浸泡至96h时,涂层表面出现宏观腐蚀坑。氩离子轰击后,膜层表面粗糙度增加,铝膜层自腐蚀电流密度由未轰击时的1.65×10^(-8)A/cm^2大幅度降低至7.29×10^(-10)A/cm^2。结论随着铝膜层厚度的增加,膜层耐蚀性逐渐增强。膜层在浸泡初期和中期,均具有较强的耐腐蚀性能;浸泡后期,膜层逐渐发生点蚀,耐蚀性能下降。表面氩离子轰击后,膜层的耐蚀性能、显微硬度和界面结合性能显著提高。 展开更多
关键词 中频-直流磁控溅射 铝膜层 氩离子轰击 耐腐蚀性能
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溅射功率对氧化铝薄膜结构和光学性能的影响 被引量:2
13
作者 唐晓红 黄美东 +2 位作者 王丽格 杜姗 刘春伟 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2013年第3期39-42,共4页
采用射频反应磁控溅射法,在K9双面抛光玻璃基底上制备了一系列不同溅射功率的Al2O3薄膜,并对部分薄膜进行退火处理.利用X线衍射法对Al2O3薄膜退火前后的晶体结构进行分析,采用椭圆偏振光谱仪对薄膜的厚度、折射率和消光系数进行测试和拟... 采用射频反应磁控溅射法,在K9双面抛光玻璃基底上制备了一系列不同溅射功率的Al2O3薄膜,并对部分薄膜进行退火处理.利用X线衍射法对Al2O3薄膜退火前后的晶体结构进行分析,采用椭圆偏振光谱仪对薄膜的厚度、折射率和消光系数进行测试和拟合.实验结果表明:测射功率在100~300 W时,沉积的Al2O3薄膜退火前后均为非晶态;薄膜在可见光范围内具有良好的透光性能,透射率接近90%,为透明膜;薄膜的沉积速率随溅射功率的增大而增大;薄膜在可见光波段的折射率n随波长的增大而减小,平均值随溅射功率的增大呈现出先增大后减小的变化趋势;薄膜消光系数k的平均值亦随溅射功率的增大呈现先增大后减小的变化趋势. 展开更多
关键词 氧化铝薄膜 射频磁控溅射 晶体结构 光学性能 溅射功率 折射率 消光系数
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RF偏置功率对磁控溅射AlN薄膜性能的影响 被引量:3
14
作者 李明月 霍彩红 韩东 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第4期261-265,共5页
采用射频(RF)反应磁控溅射法,以氩气和氮气为反应气体,在不同的RF偏置功率下,在Si(100)和Si(111)衬底上制备了具有六方纤锌矿结构的AlN薄膜。使用扫描电子显微镜(SEM)表征了薄膜的截面形貌和厚度;利用原子力显微镜(AFM)和X射... 采用射频(RF)反应磁控溅射法,以氩气和氮气为反应气体,在不同的RF偏置功率下,在Si(100)和Si(111)衬底上制备了具有六方纤锌矿结构的AlN薄膜。使用扫描电子显微镜(SEM)表征了薄膜的截面形貌和厚度;利用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)研究了RF偏置功率对Si(111)和Si(100)衬底上沉积的AlN薄膜微观结构和表面粗糙度的影响。结果表明,在RF偏置功率为5~15 W时,两种衬底均可生长(002)择优取向AlN薄膜。RF偏置功率为20 W时,AlN薄膜(002)择优取向变弱,薄膜质量变差。当RF偏置功率为10 W时,Si(111)和Si(100)两种衬底沉积的AlN薄膜的半高宽(FWHM)值和表面均方根粗糙度均最小,其表面均方根粗糙度的最小值分别为2.427和2.836 nm。 展开更多
关键词 氮化铝薄膜 反应磁控溅射 择优取向 射频(RF)偏置功率 表面形貌
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溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响 被引量:1
15
作者 任雪勇 谢泉 +4 位作者 杨吟野 肖清泉 杨创华 曾武贤 梁艳 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A04期1519-1521,共3页
采用射频磁控溅射技术在Si(100)衬底上沉积了si-ca-si薄膜,并在高真空条件下对样品进行退火处理,直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不同溅射功率对薄膜的晶体结构、表面(断面)形貌的影响,并对其光学性质进行了测试分析。结果表明... 采用射频磁控溅射技术在Si(100)衬底上沉积了si-ca-si薄膜,并在高真空条件下对样品进行退火处理,直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不同溅射功率对薄膜的晶体结构、表面(断面)形貌的影响,并对其光学性质进行了测试分析。结果表明:Ca2Si薄膜为立方结构且具有沿(111)向择优生长的特性,当溅射功率为120W时,Ca2Si薄膜变的均匀、致密,在400-800nm波长范围内,溅射功率对折射率n和吸收系数k的影响较小。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 Ca2Si薄膜 溅射功率
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ZnO∶Al绒面透明导电薄膜性能研究 被引量:2
16
作者 薛俊明 黄宇 +4 位作者 熊强 马铁华 孙建 赵颖 耿新华 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期504-508,共5页
利用中频脉冲磁控溅射方法,以掺杂质量2%Al的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO∶Al(ZAO)薄膜,利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在一定浓度的稀盐酸中浸泡一定时间,使其形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了溅射功率、工... 利用中频脉冲磁控溅射方法,以掺杂质量2%Al的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO∶Al(ZAO)薄膜,利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在一定浓度的稀盐酸中浸泡一定时间,使其形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了溅射功率、工作压力、腐蚀时间以及溶液浓度对绒面ZAO薄膜表面形貌的影响,并对腐蚀前后薄膜的电阻变化进行了分析。结果表明:低功率、低气压、腐蚀时间20 s、溶液浓度0.5%的条件下制备的绒面ZAO薄膜表面形貌较好,在硅薄膜太阳电池中具有潜在应用前景。 展开更多
关键词 凝聚态物理学 中频脉冲磁控溅射 ZnO:A1薄膜 绒面 溅射功率 工作气压
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功率参数对光电薄膜Mg_2Si择优取向的影响 被引量:2
17
作者 余志强 谢泉 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第3期438-440,共3页
采用射频磁控溅射设备,在硅(111)衬底上制备了光电半导体薄膜Mg2Si。通过X线衍射仪(XRD)和场致发射扫描电子显微镜(FESEM)对Mg2Si的晶体结构和微观形貌进行了表征,研究了功率参数对光电半导体薄膜Mg2Si外延择优取向的影响。结果表明,在6... 采用射频磁控溅射设备,在硅(111)衬底上制备了光电半导体薄膜Mg2Si。通过X线衍射仪(XRD)和场致发射扫描电子显微镜(FESEM)对Mg2Si的晶体结构和微观形貌进行了表征,研究了功率参数对光电半导体薄膜Mg2Si外延择优取向的影响。结果表明,在6090W的溅射功率范围内,硅基外延Mg2Si具有Mg2Si(220)的外延择优生长特性,且随着溅射功率的增加Mg2Si(220)晶面的衍射峰强度先增大后减小,在70 W溅射功率下Mg2Si(220)晶面的衍射峰强度最强。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 硅化二镁 功率参数 择优取向
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基于NiosⅡ嵌入式处理器的UMS电源研究 被引量:1
18
作者 郭庆吉 陈少磊 孙强 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2010年第11期93-95,共3页
研制了一台以NiosII嵌入式处理器为核心的非平衡磁控溅射(Unbalanced Magnetron Sputtering,简称UMS)高性能电源。采用片上可编程系统(System on a Programmable Chip,简称SOPC)的解决方案,结合嵌入式系统的优势,加入智能化复合控制策... 研制了一台以NiosII嵌入式处理器为核心的非平衡磁控溅射(Unbalanced Magnetron Sputtering,简称UMS)高性能电源。采用片上可编程系统(System on a Programmable Chip,简称SOPC)的解决方案,结合嵌入式系统的优势,加入智能化复合控制策略和高频DPWM多自由度调制方法,以满足等离子体负载特性及工艺需求。测试结果表明,该电源具备高稳流、高离子束电流多自由度输出特性以及优异的电弧管理能力,为UMS先进工艺的探索提供了良好的技术平台。 展开更多
关键词 电源 处理器 电弧管理 非平衡磁控溅射
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一种新型的中频交流等离子体电源 被引量:3
19
作者 陈侃松 顾豪爽 +1 位作者 孙奉娄 危立辉 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2006年第4期78-81,共4页
研制了一种新型的中频交流脉冲等离子体电源。该电源采用全桥逆变拓扑电路、PWM控制方式、输出功率叠加的方案,具有过流检测与保护功能。在等离子体负载下进行了抑制弧光放电和空心阴极效应的实验,结果表明:交流脉冲放电对弧光放电和空... 研制了一种新型的中频交流脉冲等离子体电源。该电源采用全桥逆变拓扑电路、PWM控制方式、输出功率叠加的方案,具有过流检测与保护功能。在等离子体负载下进行了抑制弧光放电和空心阴极效应的实验,结果表明:交流脉冲放电对弧光放电和空心阴极效应的抑制是非常有效的。它为解决材料表面处理中的难点(小孔、深孔、狭缝的处理)提供了一种新的方案;也为探索磁控溅射新工艺(交流孪生溅射技术)提供了研究设备。 展开更多
关键词 中频交流脉冲等离子体电源 弧光放电 空心阴极效应
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电源工作模式对中频磁控溅射沉积速率的影响 被引量:1
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作者 王军生 童洪辉 +1 位作者 赵嘉学 戴彬 《真空》 CAS 北大核心 2009年第1期37-41,共5页
在中频孪生靶磁控溅射实验装置上,研究了电源恒压、恒流、恒功率工作模式下沉积速率与气压、电参数之间的关系,得出不同工作模式下电压、电流、功率及频率、占空比对沉积速率的影响:恒流模式下沉积速率稳定性最好,恒压最差;气压变化时,... 在中频孪生靶磁控溅射实验装置上,研究了电源恒压、恒流、恒功率工作模式下沉积速率与气压、电参数之间的关系,得出不同工作模式下电压、电流、功率及频率、占空比对沉积速率的影响:恒流模式下沉积速率稳定性最好,恒压最差;气压变化时,恒功率、恒流工作模式有稳定沉积速率作用;恒流模式下,沉积速率随占空比升高而减小,随频率升高而增大。 展开更多
关键词 磁控溅射 电源工作模式 沉积速率
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