期刊文献+
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点 被引量:2
1
作者 宁彦卿 王志华 陈弘毅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期21-25,共5页
在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端。在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析。着重介绍了近年... 在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端。在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析。着重介绍了近年来在理论认识,低电压、低相位噪声和宽频率覆盖设计方面所做的努力。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 电感电容压控振荡器 交叉耦合 低电压 宽频带
下载PDF
一种双带宽UHF主从耦合式LC VCO
2
作者 马淋军 杨宁 +2 位作者 周晓迪 成立 严雪萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1224-1226,1247,共4页
为了满足无线通信系统应用需要,设计了一种主从耦合式LC压控振荡器(VCO)。基于0.18μm CMOS标准工艺,由一个5 GHz主VCO和两个起分频作用的从VCO组成,其中主VCO选用PMOS考毕兹差分振荡结构,在两个互补交叉耦合的从VCO的输出端之间设置... 为了满足无线通信系统应用需要,设计了一种主从耦合式LC压控振荡器(VCO)。基于0.18μm CMOS标准工艺,由一个5 GHz主VCO和两个起分频作用的从VCO组成,其中主VCO选用PMOS考毕兹差分振荡结构,在两个互补交叉耦合的从VCO的输出端之间设置有注入式NMOS器件以达到分频的目的。仿真及硬件电路实验结果表明,在1.8 V低电源电压下,5 GHz主VCO的调谐范围为4.68-5.76 GHz,2.5 GHz从VCO的调谐范围为2.32-2.84 GHz;在1 MHz的偏频下,5 GHz主VCO的相位噪声为118.2 dBc/Hz,2.5 GHz从VCO的相位噪声为124.4 dBc/Hz。另外,主从VCO的功耗分别为6.8 mW和7.9 mW,因此特别适用于低功耗、超高频短距离无线通信系统中。 展开更多
关键词 超高频 主从耦合式lcvco 相位噪声 无线通信系统
下载PDF
GHz VCO分析与设计 被引量:2
3
作者 李月梅 李哲英 《北京联合大学学报》 CAS 2008年第1期64-67,共4页
设计了一种用途广泛的VCO电路结构。所设计的VCO电路采用负阻差分振荡器的基本结构,主要对该电路进行了功耗分析,同时也对相位噪声、调谐范围、频率稳定性等方面进行了探讨。设计中采用电源电压为3.3 V,中心振荡频率约为2.44 GHz,21%的... 设计了一种用途广泛的VCO电路结构。所设计的VCO电路采用负阻差分振荡器的基本结构,主要对该电路进行了功耗分析,同时也对相位噪声、调谐范围、频率稳定性等方面进行了探讨。设计中采用电源电压为3.3 V,中心振荡频率约为2.44 GHz,21%的调谐范围,以及符合DCS-1800标准的低的相位噪声,重点是达到了较低的功耗。 展开更多
关键词 低功耗 压控振荡器 负阻lc差分vco 互补交叉耦合对 相位噪声
下载PDF
126.6~128.1 GHz基波压控振荡器设计 被引量:1
4
作者 苏国东 孙玲玲 +3 位作者 王翔 王尊峰 张胜洲 雷宇超 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1788-1795,共8页
采用65 nm CMOS工艺,设计一款基波压控振荡器(VCO).采用负阻单元的寄生电容与用户自定义电感形成VCO的电感-电容(LC)谐振网络.采用交叉耦合对管作为VCO的负阻单元,维持VCO的稳定输出信号.通过控制尾电流管的偏置电压大小调节交叉耦合管... 采用65 nm CMOS工艺,设计一款基波压控振荡器(VCO).采用负阻单元的寄生电容与用户自定义电感形成VCO的电感-电容(LC)谐振网络.采用交叉耦合对管作为VCO的负阻单元,维持VCO的稳定输出信号.通过控制尾电流管的偏置电压大小调节交叉耦合管的寄生电容,从而实现输出频率的调谐. VCO输出缓冲器(buffer)采用共源-共栅(Cascode)结构以减小负载电阻对电路振荡的影响.所设计的片上变压器实现了差分信号转单端信号功能,并与传输线、地-信号-地(GSG)焊盘实现了VCO输出匹配.测试结果表明,电路的输出频率范围为126.6~128.1 GHz,调谐范围为1.5 GHz.当电路工作频率为127.2 GHz时,输出功率为–26.8 dBm,偏频为1 MHz处相位噪声的仿真值为–86.3 dBc/Hz.该电路的芯片面积为405μm×440μm. 展开更多
关键词 压控振荡器(vco) lc谐振槽 交叉耦合对管 共源共栅结构 片上变压器 传输线 GSG焊盘
下载PDF
A 65 nm CMOS high efficiency 50 GHz VCO with regard to the coupling effect of inductors 被引量:1
5
作者 叶禹 田彤 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第7期123-127,共5页
A 50 GHz cross-coupled voltage controlled oscillator(VCO) considering the coupling effect of inductors based on a 65 nm standard complementary metal oxide semiconductor(CMOS) technology is reported.A pair of induc... A 50 GHz cross-coupled voltage controlled oscillator(VCO) considering the coupling effect of inductors based on a 65 nm standard complementary metal oxide semiconductor(CMOS) technology is reported.A pair of inductors has been fabricated,measured and analyzed to characterize the coupling effects of adjacent inductors. The results are then implemented to accurately evaluate the VCO's LC tank.By optimizing the tank voltage swing and the buffer's operation region,the VCO achieves a maximum efficiency of 11.4%by generating an average output power of 2.5 dBm while only consuming 19.7 mW(including buffers).The VCO exhibits a phase noise of-87 dBc/Hz at 1 MHz offset,leading to a figure of merit(FoM) of-167.5 dB/Hz and a tuning range of 3.8%(from 48.98 to 50.88 GHz). 展开更多
关键词 CMOS coupling effects INDUCTORS lc tank vco
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部