库仑场对量子线中强耦合极化子性质的影响

采用改进的线性组合算符和幺正变换方法研究了库仑场对抛物量子线中强耦合极化子的性质的影响.计算了抛物量子线中强耦合束缚极化子的基态能量、振动频率和声子平均数.讨论了这些量对库仑束缚势和约束强度的依赖关系.数值计算结果表明:量子线中强耦合束缚极化子的基态能量随库仑束缚势的增加而减少,随约束强度的增加而增大;振动频率和电子周围的光学声子平均数均随库仑束缚势的增加而增加.

表面磁极化子的光学声子平均数

采用Tokuda改进的线性组合算符、Lagrange乘子和变分法,讨论了强、弱耦合表面磁极化子的性质。计 算了极化子的基态能量和光学声子平均数。以AgCl和ZnS晶体为例进行了数值计算。讨论了表面磁极化子振 动频率、基态能量和光学声子平均数与磁场B和拉格朗日乘子u的关系。

抛物量子线中强耦合极化子的有效质量

采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,在考虑电子与LO声子相互作用情况下,研究了抛物量子线中强耦合极化子的有效质量和光学声子平均数。通过数值计算,讨论了约束强度ω0 和拉格朗日乘子u对极化子的有效质量m*和光学声子平均数N及极化子振动频率λ的影响。计算结果表明:有效质量m*和光学声子平均数N及极化子振动频率λ都随着约束强度ω0 和拉格朗日乘子u的增加而增大。

量子阱中极化子的声子平均数

采用有效质量近似下的变分法,考虑到电子同时与表面光学声子和体纵光学声子相互作用,研究了无限深量子阱中极化子的表面光学声子平均数,体纵光学声子平均数和光学声子平均数。讨论了电子与体纵光学声子耦合强度α,阱宽L和势垒材料A lxGa1-xAs中A l的含量x对上述光学声子平均数的影响。以GaAs/A lxGa1-xAs量子阱为例进行了数值计算。结果表明:量子阱中表面光学声子平均数随耦合强度α,阱宽L和A l含量x增大而增大。量子阱中体纵光学声子平均数随耦合强度α,阱宽L的增大而增大。光学声子平均数随耦合强度α,阱宽L和A l含量x的增大而增大。

抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量和光学声子平均数

讨论电子与体纵光学(LO)声子弱耦合时对抛物量子线中极化子性质的影响。采用Tokuda改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,导出了抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量和光学声子平均数随拉格朗日乘子变化的规律及极化子振动频率随量子线约束强度的变化规律。并以ZnS量子线为例进行了数值计算,结果表明:抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量m*和光学声子平均数N随着拉格朗日乘子u的增加而增大;该结论与体材料中结论基本一致,但量子线中的效应比体材料更明显,表明量子线对电子约束的增强,使极化子效应更明显。同时,极化子振动频率λ随约束强度ω0的增强而增大。

半导体量子阱中弱耦合磁极化子的性质(英文)

采用线性组合算符和改进的LLP变分法,研究了在考虑电子自旋情况下无限深量子阱中弱耦合磁极化子的性质。导出了弱耦合磁极化子的声子平均数、基态能量和电子自旋能量与磁极化子基态能量之比的绝对值的表达式。并对两种不同阱材料的量子阱进行了数值计算,结果表明:磁极化子的声子平均数随电子-LO声子耦合常数和阱宽的增加而增大,并且最终随着阱宽的增加而趋于体情况下的极限值;由于电子自旋能的作用使磁极化子的基态能量由不考虑电子自旋下的一条分裂为两条,并且它随阱宽和电子-LO声子耦合常数的增加而减小,随回旋共振频率(磁场)的增加而增大。电子自旋作用能否忽略由回旋共振频率和阱材料本身的性质决定。

磁场和耦合强度对极化子有效质量和平均声子数的影响

应用线性组合算符和幺正变换方法,研究磁场和耦合强度对极化子有效质量和平均声子数的影响.数值计算表明:极化子的有效质量随耦合强度的增加而增加,这是由于耦合强度增加时,电子与晶格振动之间的相互作用增加所致;而磁场强度增加时,有效质量是先增加,达到一个极大值后,再逐渐减少,出现共振现象.平均声子数随耦合强度的增加而增加,当磁场强度大于共振时的磁场强度时,随磁场强度的增加而减少,反之,结论相反.

非对称量子点中极化子的声子平均数

采用线性组合算符和幺正变换方法研究非对称量子点中强、弱耦合极化子的声子平均数的性质,导出了量子点中强、弱耦合极化子的声子平均数和振动频率随量子点的横向和纵向受限强度、电子-声子耦合强度的变化关系。对RbCl晶体进行数值计算,结果表明非对称量子点中强耦合极化子的振动频率和声子平均数随量子点的横向和纵向的受限强度的增强而迅速增大,随电子-声子耦合强度的增强而增大。

非对称量子点中磁极化子声子平均数的温度特性

采用Huybrechts线性组合算符法和Lee-Low-Pines(LLP)幺正变换法,研究了非对称抛物量子点内弱耦合磁极化子的振动频率和声子平均数的温度依赖性。数值计算结果表明,非对称量子点中弱耦合磁极化子的振动频率随量子点的横向受限强度、纵向受限强度和外磁场回旋频率的增加而增大,弱耦合磁极化子的声子平均数随电子-声子耦合强度的增加而增大,随温度的升高而减小。

磁场中多原子晶体中极化子的激发能量

研究磁场中多原子晶体中极化子的激发态的性质。采用线性组合算符和幺正变换方法,分别导出强、弱耦合情形下磁极化子的激发能量和平均声子数。结果表明,磁极化子的激发能量和平均声子数不仅包括不同支LO声子与电子耦合的贡献,而且还存在不同支LO声子间相互作用所贡献的附加项。

非对称量子点中磁极化子的声子平均数

采用线性组合算符方法研究了非对称量子点中强、弱耦合磁极化子的声子平均数的性质。导出了非对称量子点中强、弱耦合磁极化子的声子平均数和振动频率随量子点的横向和纵向受限强度,电子-声子耦合强度的变化关系。对RbCl晶体进行数值计算,结果表明非对称量子点中强、弱耦合磁极化子的声子平均数和振动频率随量子点的横向和纵向受限强度和电子-声子耦合强度的增大而迅速增大。

库仑场对非对称量子点中强耦合极化子声子平均数的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法研究库仑场对非对称量子点中强耦合极化子振动频率和声子平均数的影响。导出量子点中强耦合束缚极化子振动频率和声子平均数随量子点的横向和纵向有效受限长度,库仑束缚势和电子-声子耦合强度的变化关系。数值计算结果表明:非对称量子点中强耦合束缚极化子的振动频率和声子平均数随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大。随库仑束缚势和电子-声子耦合强度的增加而增大。

抛物量子点中弱耦合激子的光学声子平均数(英文)

研究了电子-体纵光学声子弱耦合情况下,抛物量子点中激子的性质。在有效质量近似下,采用线性组合算符和幺正变换方法研究了抛物量子点中弱耦合激子的基态能量和光学声子平均数。以GaAs半导体为例进行了数值计算,结果表明:弱耦合情况下,激子的光学声子平均数基态的能量和量子点受限强度的增大而减小,随量子点半径的增大而增大。

量子点中极化子的速率对光学声子平均数的影响

研究了量子点中极化子的性质。采用Tokuda改进的线性组合算符法、拉格朗日乘子法和变分法,导出了量子点中极化子的振动频率和声子平均数,讨论了在强弱耦合情况下极化子的速率对光学声子平均数的影响。研究结果表明,光学声子平均数随极化子的速率增加而增大。

抛物量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的光学声子平均数

采用线性组合算符和幺正变换方法研究库仑场对抛物量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数的影响。导出量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数随量子点的有效受限长度、库仑束缚势和磁场的回旋共振频率的变化关系。数值计算结果表明:弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的回旋共振频率和库仑束缚势的增加而增加,表现出奇特的量子尺寸效应。

有限温度下磁极化子中的平均光学声子数

采用线性组合算符方法 ,导出了有限温度下磁极化子中的平均光学声子数 ,讨论了平均声子数与温度T。

量子线中强耦合极化子的温度效应

采用Tokuda改进的线性组合算符法和有效质量下的变分法,研究在抛物势作用下,同时考虑电子与LO声子相互作用时,温度对量子线中强耦合极化子特性的影响。对RbCl晶体所作的数值计算结果表明,量子线中强耦合极化子的基态能量、平均数和光学声子平均数均随温度的升高而增加。

晶体中磁极化子的声子平均数

研究晶体磁极化子光学声子平均数的性质,采用Tokuda改进的线性组合算符、Lagrange乘子和变分法讨论了晶体中强、弱耦合磁极化子的振动频率、基态能量和光学声子平均数与磁场B和拉格朗日乘子u的关系。以RbCl和GaAs晶体为例进行了数值计算,结果表明:磁极化子的振动频率随磁场B和拉格朗日乘子u的增加而增大;基态能量随拉格朗日乘子u的增加而增大,随磁场B的增加而减小;光学声子平均数随拉格朗日乘子u的增加而增大。

抛物量子点中极化子的声子平均数

采用幺正变换及线性组合算符法,导出抛物量子点中极化子的声子平均数,讨论了强、弱耦合的两种极限情况.结果表明,电子周围的声子平均数随着电子-声子耦合强度的增加而增大.

三角量子阱中弱耦合极化子声子平均数研究

在三角量子阱中,考虑电子和光学声子的弱耦合,用线性组合算符和幺正变换相结合的方法,导出了三角量子阱中弱耦合极化子的声子平均数表达式,发现了电-声子耦合系数和声子平均数的线性关系.结果表明电声子耦合强度对声子平均数的影响不可忽略,以半导体弱耦合材料为例讨论了两者之间明确的比例性,此结果在实际研究中有一定的指导意义.