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INTERFACE REACTION IN MAGNETIC MULTILAYERS 被引量:47
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作者 G.H. Yu, M.H Li, F. W Zhu, X.F. Cui and J.L. Jin ( Department of Materials Physics, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China) ( State key laboratory for Advanced Metals and Materials, University of Science and Technology Beijing 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2001年第6期479-484,共6页
Ta/NiO/NiFe/Ta multilayers were prepared by rf reactive and dc magnetron sputtering. The exchange coupling field (Hex) between NiO and NiFe reached 120O e. The composition and chemical states at the interface region o... Ta/NiO/NiFe/Ta multilayers were prepared by rf reactive and dc magnetron sputtering. The exchange coupling field (Hex) between NiO and NiFe reached 120O e. The composition and chemical states at the interface region of NiO/NiFe were studied using the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and peak decomposition technique. The results show that there are two thermodynamically favorable reactions at NiO/NiFe interface: NiO+Fe=Ni+FeO and 3NiO+2Fe=3Ni+Fe2O3. The thickness of the chemical reaction as estimated by angle-resolved XPS was about 1-1.5 nm. These interface reaction products are magnetic defects, and we believe that the Hex and the coercivity (Hc) of NiO/NiFe are affected by these defects. Moreover, the results also show that there is an intermixing layer at the Ta/NiO (and NiO/Ta) interface due to a thermodynamically favorable reaction: 2Ta+5NiO+Ta2O5. This interface reaction has an effect on the exchange coupling as well. The thickness of the intermixing layer as estimated by XPS depth-profiles was about 8-10 nm. 展开更多
关键词 FABRICATION Interfaces (materials) Magnetic materials magnetronS reaction kinetics sputtering
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衬底温度对射频磁控溅射制备氮化硅薄膜的影响 被引量:18
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作者 孙科沸 李子全 李鑫 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期516-519,共4页
采用射频磁控反应溅射技术,以N2和Ar为反应气体在普通玻璃表面沉积了氮化硅(SiN)薄膜;利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量耗散谱、台阶仪和紫外-可见光谱,研究了不同衬底温度对SiN薄膜的相结构、表面形貌和成分、薄膜厚度以及... 采用射频磁控反应溅射技术,以N2和Ar为反应气体在普通玻璃表面沉积了氮化硅(SiN)薄膜;利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量耗散谱、台阶仪和紫外-可见光谱,研究了不同衬底温度对SiN薄膜的相结构、表面形貌和成分、薄膜厚度以及光性能的影响。结果表明;制备的SiN薄膜为富硅结构;提高衬底温度,可增加光学带隙;当衬底温度为450℃时,薄膜由尺寸约为40 nm的SiN晶粒组成,且在紫外-可见光区的透过率高达90%。 展开更多
关键词 氮化硅薄膜 射频磁控反应溅射 衬底温度
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掺氮类金刚石薄膜的显微结构和光谱学研究 被引量:12
3
作者 李合琴 何晓雄 +2 位作者 王淑占 巫邵波 赵之明 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期225-229,共5页
本文利用射频磁控溅射法,以高纯N2、Ar混合气体为溅射气体,用高纯石墨靶在Si(100)基片上制备出掺氮的类金刚石薄膜(DLC∶N)。拉曼光谱(Raman)测试表明该薄膜仍然是类金刚石结构,对其进行拟合后得两个特征峰,分别是在1342.9 cm-1的D峰和1... 本文利用射频磁控溅射法,以高纯N2、Ar混合气体为溅射气体,用高纯石墨靶在Si(100)基片上制备出掺氮的类金刚石薄膜(DLC∶N)。拉曼光谱(Raman)测试表明该薄膜仍然是类金刚石结构,对其进行拟合后得两个特征峰,分别是在1342.9 cm-1的D峰和1555.3 cm-1的G峰,ID/IG=0.45;X射线光电子能谱(XPS)表明薄膜含氮量为24%,XPS光谱的C1s和N1s的芯能级证实了薄膜中的碳氮进行了化合,形成了C-N、C=N、C≡N,说明薄膜中形成了非晶碳氮结构;傅里叶变换红外透射光谱(FTIR)也表明了薄膜中碳氮进行了化合;扫描电子显微镜(SEM)结果表明,实验所制备的薄膜表面均匀、致密、光滑,从横截面图像观察,薄膜与衬底结合紧密,薄膜的厚度大约为150 nm。 展开更多
关键词 射频磁控反应溅射 掺氮类金刚石薄膜 X射线光电子能谱 拉曼光谱 傅里叶变换红外透射光谱 扫描电子显微镜
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射频磁控溅射制备纳米晶Ni-Mo催化阴极及其表征 被引量:3
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作者 黄金昭 徐征 +2 位作者 李海玲 亢国虎 王文静 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期909-913,共5页
利用射频磁控溅射方法制备了纳米晶N i-Mo合金薄膜,并将其用作太阳能光电化学制氢的阴极催化膜.采用XRD,EDS,SEM和AFM对膜的晶型、成分、表面形貌以及晶粒尺寸进行了表征.用稳态极化曲线和电化学交流阻抗谱对膜的析氢电化学特性进行了测... 利用射频磁控溅射方法制备了纳米晶N i-Mo合金薄膜,并将其用作太阳能光电化学制氢的阴极催化膜.采用XRD,EDS,SEM和AFM对膜的晶型、成分、表面形貌以及晶粒尺寸进行了表征.用稳态极化曲线和电化学交流阻抗谱对膜的析氢电化学特性进行了测试.结果表明,在较高的工作压强、较低的衬底温度和较远的靶距下沉积的膜有较好的电化学性能,晶粒的细化以及膜中Mo含量的增加有助于析氢催化活性的提高,在电流密度为100 mA/cm2时析氢过电势为177.7 mV,电化学脱附是膜上析氢反应的控制步骤. 展开更多
关键词 磁控溅射 Ni-Mo合金 析氢反应 纳米晶
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Si/SiNx超晶格材料的非线性光学特性 被引量:4
5
作者 申继伟 郭亨群 +3 位作者 吕蓬 徐骏 陈坤基 王启明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1045-1049,共5页
采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiNx超晶格材料。利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性,实验结果表明,样品的非线性折射率为负值... 采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiNx超晶格材料。利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性,实验结果表明,样品的非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收。由实验数据得到材料的三阶非线性极化率实部和虚部分别为1.27×10-7,1.51×10-8esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率值大5个数量级。对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应的增强。 展开更多
关键词 Si/SiN 超晶格 三阶非线性极化率 Z-扫描 射频磁控反应溅射
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Cr掺杂对GLC薄膜结构及其摩擦学性能的影响 被引量:15
6
作者 王佳凡 王永欣 +2 位作者 陈克选 李金龙 郭峰 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期206-213,共8页
采用磁控溅射方法制备类石墨碳膜(GLC)及掺杂金属Cr的类石墨碳膜(GLC-Cr),利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱仪(XPS)、纳米压痕仪等测试技术对比分析两薄膜样品的结构及机械性能,利用UMT-3多功能摩擦... 采用磁控溅射方法制备类石墨碳膜(GLC)及掺杂金属Cr的类石墨碳膜(GLC-Cr),利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱仪(XPS)、纳米压痕仪等测试技术对比分析两薄膜样品的结构及机械性能,利用UMT-3多功能摩擦磨损试验机考察其在大气、去离子水、发动机油3种环境下的摩擦学性能.结果表明:本实验参数下制备的类石墨碳膜中,Cr的掺杂促使了类石墨碳膜中sp2杂化键的形成,降低了GLC薄膜的硬度及弹性模量,但在3种不同环境下均使得类石墨碳膜的摩擦学性能得到明显改善.其中水介质的存在可明显降低类石墨碳膜的摩擦系数,而油润滑介质虽未使得其摩擦系数明显降低,但其摩擦曲线波动性及磨损率均最小. 展开更多
关键词 磁控溅射 GLC膜 CR掺杂 摩擦学性能
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RB-SiC表面改性Si涂层的制备与性能 被引量:4
7
作者 苑永涛 刘红 +2 位作者 邵传兵 陈益超 方敬忠 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1281-1284,共4页
为了获得高质量光学表面的碳化硅反射镜,利用射频磁控溅射方法,在直径70 mm的RB-SiC基片上沉积了厚约100μm的Si改性涂层,对改性层进行超光滑加工,并对改性层的表面形貌及性能进行了测试。ZYGO表面粗糙度仪测试结果表明,抛光后Si改性涂... 为了获得高质量光学表面的碳化硅反射镜,利用射频磁控溅射方法,在直径70 mm的RB-SiC基片上沉积了厚约100μm的Si改性涂层,对改性层进行超光滑加工,并对改性层的表面形貌及性能进行了测试。ZYGO表面粗糙度仪测试结果表明,抛光后Si改性涂层表面粗糙度均方根值达到了0.496 nm;X射线衍射仪测试显示,制备Si改性涂层为多晶结构;使用拉力机做附着力测试,结果表明膜基附着力大于10.7 MPa。证明采用磁控溅射技术制备的Si改性涂层均匀、致密、附着力好,能够满足RB-SiC材料表面改性要求。 展开更多
关键词 RB-SIC 射频磁控溅射 表面改性 表面粗糙度
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透明导电薄膜在不同衬底上的性能对比研究 被引量:3
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作者 陆峰 徐成海 +3 位作者 闻立时 曹洪涛 裴志亮 孙超 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期5-7,共3页
为了对比研究不同透明衬底上ZnO:Al(ZAO)薄膜的性能,采用直流反应溅射法制备薄膜,并对其作EDS、XRD和电学测试分析。结果表明:所制备的ZAO薄膜具有典型的ZnO晶体结构;沉积在玻璃基片上的ZAO薄膜,Al,O含量高于沉积在透明聚酯塑料基片上的... 为了对比研究不同透明衬底上ZnO:Al(ZAO)薄膜的性能,采用直流反应溅射法制备薄膜,并对其作EDS、XRD和电学测试分析。结果表明:所制备的ZAO薄膜具有典型的ZnO晶体结构;沉积在玻璃基片上的ZAO薄膜,Al,O含量高于沉积在透明聚酯塑料基片上的,而Zn的含量则相反;在两种衬底上获得的ZAO薄膜电阻率分别为4.5×10-4Ω·cm和9.73×10-4Ω·cm,可见光透射率分别达到87.7%和81.5%。由此可见:用直流反应磁控溅射法在不同衬底上都能获得可见光透射率达到80%以上的ZAO薄膜;相比而言,在玻璃衬底上获得的ZAO薄膜电阻率低,而在透明聚酯塑料上沉积的ZAO薄膜透射性好。 展开更多
关键词 ZAO薄膜 衬底 直流磁控溅射 性能 XRD衍射分析 电阻率 透射率
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富硅氮化硅薄膜的制备及其发光特性 被引量:7
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作者 曾友华 郭亨群 王启明 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期209-212,共4页
采用射频磁控反应溅射法制备了氮化硅薄膜。利用X射线衍射谱(XRD)、红外光谱(IR)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),通过与氮气中和空气中退火薄膜比较,对原沉积薄膜进行了成分与结构和发光特性研究。研究发现原沉积薄膜是部分晶化的富硅氮... 采用射频磁控反应溅射法制备了氮化硅薄膜。利用X射线衍射谱(XRD)、红外光谱(IR)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),通过与氮气中和空气中退火薄膜比较,对原沉积薄膜进行了成分与结构和发光特性研究。研究发现原沉积薄膜是部分晶化的富硅氮化硅薄膜,薄膜中晶态氮化硅颗粒的平均粒径为33 nm;在氮气中退火后,纳米颗粒增大;在空气中退火后,薄膜被氧化,晶态颗粒消失。在4.67 eV的光激发下,原沉积薄膜中观测到7个强的PL峰,其峰位分别为3.39,3.24,3.05,2.82,2.61,2.37和2.11 eV。在氮气和空气中退火后,PL峰位和强度有变化。对其光致发光机制进行了探讨,认为硅悬挂键≡Si,氮悬挂键=N,硅错键≡Si-Si≡以及与氧有关的缺陷在富硅氮化硅薄膜高强度荧光发射中起主导作用。 展开更多
关键词 纳米材料 氮化硅薄膜 射频磁控反应溅射 光致发光 退火
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磁控溅射制备Cu_(1-x)Co_xO复合氧化物的催化析氧 被引量:2
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作者 张骞 魏子栋 +5 位作者 刘灿 盂娣 齐学强 陈四国 王耀琼 李莉 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1803-1808,共6页
采用直流反应磁控溅射法制备了Cu1-xCoxO(0.02≤x≤0.14)复合氧化物电极。利用XRD、EDS和SEM分析技术对沉积氧化物的晶体结构、化学组成及表面形貌进行了表征,并利用循环伏安、线性扫描及电化学交流阻抗对沉积氧化物电极的电化学性能进... 采用直流反应磁控溅射法制备了Cu1-xCoxO(0.02≤x≤0.14)复合氧化物电极。利用XRD、EDS和SEM分析技术对沉积氧化物的晶体结构、化学组成及表面形貌进行了表征,并利用循环伏安、线性扫描及电化学交流阻抗对沉积氧化物电极的电化学性能进行了测试。XRD分析结果显示复合氧化物Cu1-xCoxO具有CuO单斜晶体结构,不存在氧化钴独立相。电化学测试结果表明Cu1-xCoxO复合氧化物电极对水氧化反应的催化活性远高于CuO和Co3O4电极,更好的催化活性、较低的电阻和高的表面粗糙度是Cu1-xCoxO复合氧化物电极催化活性提高的主要原因。生成最优Cu1-xCoxO(0.02≤x≤0.14)复合氧化物的溅射功率为45W(Co)、100W(Cu)。 展开更多
关键词 析氧反应 磁控溅射 水电解
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纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备及非线性光学性质研究 被引量:4
11
作者 吕蓬 郭亨群 +1 位作者 申继伟 王启明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期44-47,共4页
采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(nc-Si/SiNx)复合薄膜。通过X射线能谱(EDS)、红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见吸收光谱(UV-vis)的测定,对薄膜进行了组分、键合状态、结构及光学带隙的表征。采... 采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(nc-Si/SiNx)复合薄膜。通过X射线能谱(EDS)、红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见吸收光谱(UV-vis)的测定,对薄膜进行了组分、键合状态、结构及光学带隙的表征。采用皮秒激光运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-8esu和10-8m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性增强的原因归因于量子限域效应。 展开更多
关键词 nc-Si/SiNx薄膜 射频磁控反应溅射 光学非线性 量子限域效应 Z扫描
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纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性 被引量:2
12
作者 申继伟 郭亨群 +2 位作者 曾友华 吕蓬 王启明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期820-823,共4页
为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料。利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),对不同工艺条件下薄膜样品的成分... 为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料。利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),对不同工艺条件下薄膜样品的成分、结构和发光特性进行研究,发现在制备的富硅氮化硅薄膜材料中形成了纳米硅颗粒,并计算出其平均尺寸。在510 nm光激发下,观察到纳米硅发光峰,对样品发光机制进行了讨论,认为其较强的发光起因于缺陷态和纳米硅发光。 展开更多
关键词 射频磁控反应溅射 氮化硅薄膜 纳米硅 光致发光
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掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce^(3+)薄膜发光性能的影响 被引量:3
13
作者 闫绍峰 骆红 +2 位作者 廖国进 巴德纯 闻立时 《真空》 CAS 北大核心 2009年第2期33-37,共5页
应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为23sccm,氧流量为5sccm,室温下溅射时间为90分钟的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能。通过X光能量散射谱(EDS)和光... 应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为23sccm,氧流量为5sccm,室温下溅射时间为90分钟的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能。通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+。Al2O3:Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域。 展开更多
关键词 三氧化二铝薄膜 中频反应磁控溅射 掺杂浓度 光致发光 CE
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nc-Si/SiNx超晶格薄膜实现Nd:YAG激光器调Q和锁模 被引量:2
14
作者 王国立 郭亨群 +4 位作者 苏培林 张春华 王启明 徐骏 陈坤基 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期905-909,共5页
采用射频磁控反应溅射法制备a-Si/SiNx超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒。把nc-Si/SiNx薄膜作为饱和吸收体插入Nd:YAG激光器腔内,在腔长较短时,实现1.06μm激光的被动调Q运转,获得最小脉宽23ns的调Q单脉冲输出,当腔长增加到124cm... 采用射频磁控反应溅射法制备a-Si/SiNx超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒。把nc-Si/SiNx薄膜作为饱和吸收体插入Nd:YAG激光器腔内,在腔长较短时,实现1.06μm激光的被动调Q运转,获得最小脉宽23ns的调Q单脉冲输出,当腔长增加到124cm时,获得平均脉宽35ps的锁模脉冲序列。根据实验现象结合薄膜结构,分析了材料调Q与锁模的产生机制,并研究了不同工作条件下的调Q输出性能。 展开更多
关键词 激光技术 nc—Si/SiN 超晶格薄膜 调Q 锁模 射频磁控反应溅射
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纳米Si/SiN_x薄膜的制备及对Nd∶YAG激光器的被动调Q 被引量:3
15
作者 吕蓬 郭亨群 +2 位作者 王加贤 李立卫 申继伟 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期163-165,170,共4页
为了研究纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料的被动调Q特性,采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理在单晶硅衬底上制备该薄膜,用该样品作为可饱和吸收体,在凹-平腔中实现了氙灯抽运Nd∶YAG激光器的被动调Q运转,在抽运重复频率1Hz情况下获得脉宽... 为了研究纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料的被动调Q特性,采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理在单晶硅衬底上制备该薄膜,用该样品作为可饱和吸收体,在凹-平腔中实现了氙灯抽运Nd∶YAG激光器的被动调Q运转,在抽运重复频率1Hz情况下获得脉宽最小可达19ns的调Q单脉冲输出。并且研究了该薄膜结构特性、激光器参数,如抽运电压、腔长对调Q脉冲输出性能产生的影响。在此基础上,对实验现象产生的原因做了分析讨论。结果表明,纳米硅镶嵌氮化硅薄膜有一定的调Q效果,具有潜在的研究及应用价值。 展开更多
关键词 激光技术 射频磁控反应溅射 纳米硅镶嵌氮化硅薄膜 ND:YAG激光器 被动调Q
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磁控溅射Cu/Al多层膜的固相反应 被引量:2
16
作者 汪伟 卢柯 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期1-4,共4页
采用磁控溅射技术制备了原子比为2:1、调制周期Λ分别为20和5 nm的Cu/Al多层膜.用X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM)和热分析(DSC)等技术研究了多层膜的固相反应. Λ=20 nm的多层膜样品中铜和铝膜均沿(111)方向择优生长,加热至145℃时生成α... 采用磁控溅射技术制备了原子比为2:1、调制周期Λ分别为20和5 nm的Cu/Al多层膜.用X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM)和热分析(DSC)等技术研究了多层膜的固相反应. Λ=20 nm的多层膜样品中铜和铝膜均沿(111)方向择优生长,加热至145℃时生成α—Cu固溶体,超过191℃时生成γ2-Cu9Al4相.制备态Λ=5 nm的样品有α—Cu生成.加热时γ2-Cu9Al4的生成温度显著降低(134℃).测定了Λ=20 nm多层膜样品中α—Cu和γ2-Cu9Al4的形成激活能分别为0.56 eV和0.79 eV,后者与文献值相符. 展开更多
关键词 磁控溅射 Cu/Al多层膜 固相反应 纳米薄膜
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合成GaN粗晶体棒的研究 被引量:1
17
作者 董志华 薛成山 +6 位作者 庄惠照 王书运 高海永 田德恒 吴玉新 何建廷 刘亦安 《微纳电子技术》 CAS 2005年第3期119-122,共4页
利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜。然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒。直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道。该晶体棒被认为是在Ga2O3薄膜与NH3自组装反应过程中形... 利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜。然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒。直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道。该晶体棒被认为是在Ga2O3薄膜与NH3自组装反应过程中形成。该工艺可为合成大尺寸GaN一维结构提供一条新的途径。 展开更多
关键词 磁控溅射 自组装反应 GaN晶体棒
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纳米反应多层膜的制备及应用 被引量:1
18
作者 蒋小军 王军 +3 位作者 沈金朋 李瑞 杨光成 黄辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期139-144,共6页
纳米反应多层膜是指两种或两种以上不同材料按一定厚度在衬底上交替沉积形成的薄膜材料。纳米反应多层膜是一种新结构形式的纳米含能材料,可在较低的能量刺激下发生放热反应,产生的热量足以使反应区以特定的速度自持传播,具有反应瞬间... 纳米反应多层膜是指两种或两种以上不同材料按一定厚度在衬底上交替沉积形成的薄膜材料。纳米反应多层膜是一种新结构形式的纳米含能材料,可在较低的能量刺激下发生放热反应,产生的热量足以使反应区以特定的速度自持传播,具有反应瞬间完成、放热量大等特点。由于结构可自行设计以及不同于单层膜的特殊性能,纳米反应多层膜可广泛应用于微电子器件、微机械系统(MEMS)等领域。对近年来国内外纳米反应多层膜的制备方法、反应机理以及在器件应用等方面的研究进行了综述,主要分析讨论了机械加工、蒸发镀膜和磁控溅射3种制备方法的优缺点,并对今后纳米反应多层膜的研究方向及研究重点进行了展望。 展开更多
关键词 纳米反应多层膜 磁控溅射 自持反应 纳米含能器件
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Zr/C纳米自蔓延反应薄膜制备及表征 被引量:2
19
作者 杜军 杨吉哲 王尧 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期98-102,共5页
目的研究物理气相沉积技术制备Zr/C纳米多层自蔓延反应薄膜的可行性,以及多层膜的结构和反应特征。方法利用扫描电镜法(SEM)、透射电镜法(TEM)、能谱分析法(EDS)、X射线衍射法(XRD)、差示扫描量热法(DSC)等手段,对薄膜的微观形貌、周期... 目的研究物理气相沉积技术制备Zr/C纳米多层自蔓延反应薄膜的可行性,以及多层膜的结构和反应特征。方法利用扫描电镜法(SEM)、透射电镜法(TEM)、能谱分析法(EDS)、X射线衍射法(XRD)、差示扫描量热法(DSC)等手段,对薄膜的微观形貌、周期结构、成分组成、晶体结构及反应特征等进行表征,分析了薄膜的沉积时间、结构周期、层间结构、反应温度等工艺参数对多层膜结构和性能的影响。结果 Zr层的沉积速率为27 nm/min,C层的沉积速率为11.8 nm/min。薄膜中存在单质Zr(002)和Zr(101)峰,C以非晶形态存在。Zr/C多层膜的表面形貌呈"菜花状",Zr层与C层结构清晰,分布均匀。透射电镜观察Zr层与C层界面,发现两者之间存在一定厚度的界面反应层,表明沉积过程中两者之间发生了轻微扩散或是预先反应。DSC发现,600℃时Zr/C多层膜发生放热反应,但反应前后多层膜质量未发生明显变化。结论利用物理气相沉积技术可制备较纯的Zr/C纳米多层自蔓延反应薄膜,自蔓延反应时,Zr层与C层之间发生快速的剧烈放热反应,并有Zr C生成,无其他产物生成。 展开更多
关键词 磁控溅射 Zr/C纳米薄膜 自蔓延反应 制备工艺 表征
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退火温度和ZnO缓冲层对氨化Ga_2O_3/ZnO薄膜合成GaN纳米结构的影响 被引量:1
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作者 王书运 庄惠照 高海永 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期568-570,591,共4页
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜。分析结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN薄膜向棒状和... 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜。分析结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN薄膜向棒状和线状形态转变。同时分析了ZnO缓冲层对形成GaN纳米结构的影响。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 GAN薄膜 ZnO缓冲层 氨化反应
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