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卧式金属罐容量计量中磕碰变形的处理方法 被引量:1
1
作者 黄俊 朱宁 +2 位作者 周艳 孙文颖 周小州 《仪器仪表标准化与计量》 2024年第4期21-23,共3页
本文针对卧式金属罐容量计量中磕碰变形的问题,提出了一套综合处理方法,介绍了几何测量法和容量比较法的基本原理及其在处理磕碰变形时的局限性,探讨了修正几何测量法的手动和自动修正方法,以及容量比较法的变形补偿技术,提出了利用高... 本文针对卧式金属罐容量计量中磕碰变形的问题,提出了一套综合处理方法,介绍了几何测量法和容量比较法的基本原理及其在处理磕碰变形时的局限性,探讨了修正几何测量法的手动和自动修正方法,以及容量比较法的变形补偿技术,提出了利用高精度电子秤和磁致伸缩液位计进行变形补偿的先进方法,并详细描述了一种快速容量检测方法及装置的原理、优点和结构。该方法通过提高测量效率和精度,减轻检定人员劳动强度,克服了传统技术的不足。 展开更多
关键词 卧式金属罐 容量计量 磕碰变形
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圆片级封装的无铅焊料凸点制作技术研究 被引量:3
2
作者 罗驰 叶冬 +1 位作者 刘建华 刘欣 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期501-503,508,共4页
对圆片级封装(WLP)的结构设计和关键工艺技术进行了研究;描述了凸点下金属(UBM)层的选择,凸点回流技术,以及凸点的质量控制技术;重点阐述了采用电镀制作无铅焊料凸点的方法。
关键词 圆片级封装 无铅焊料 凸点下金属 凸点
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用于圆片级封装的金凸点研制 被引量:5
3
作者 王水弟 蔡坚 +3 位作者 谭智敏 胡涛 郭江华 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期27-30,共4页
介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究。凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系... 介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究。凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系,得到了优化的厚胶光刻工艺。同时,研制了用于圆片级封装金凸点制作的垂直喷镀设备,选用不同的电镀液体系和光刻胶体系,对电镀参数进行了控制和研究。对制作的金凸点与国外同类产品的基本特性进行了对比,表明其已经达到可应用水平。 展开更多
关键词 金凸点 电镀 圆片级封装 厚胶光刻 溅射
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无铅互连凸点电迁移失效的四探针测量 被引量:4
4
作者 吴丰顺 张伟刚 +1 位作者 张金松 吴懿平 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期85-88,共4页
针对无铅互连电迁移失效这一高密度封装时面临的重要课题进行了研究.采用四探针法分别监测了电流密度为1.5×104A/cm2和2.2×104A/cm2时Sn3.5Ag0.5Cu互连凸点上电压的变化,发现电流密度为2.2×104A/cm2时凸点的平均电阻变... 针对无铅互连电迁移失效这一高密度封装时面临的重要课题进行了研究.采用四探针法分别监测了电流密度为1.5×104A/cm2和2.2×104A/cm2时Sn3.5Ag0.5Cu互连凸点上电压的变化,发现电流密度为2.2×104A/cm2时凸点的平均电阻变化率超过电迁移失效的临界值10%,分析了其微观结构的扫描电镜照片,所提出的发生电迁移失效的电流密度值为凸点设计提供十分有用的数据.对无铅互连凸点的电迁移失效过程和四探针测量法的测量误差进行了分析,提出了采用四凸点结构提高测量精度的改进措施. 展开更多
关键词 四探针测量法 电迁移 凸点下金属化层 倒装芯片
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LTCC电路基板大面积接地钎焊工艺设计 被引量:5
5
作者 解启林 朱启政 +1 位作者 林伟成 雷党刚 《应用基础与工程科学学报》 EI CSCD 2007年第3期358-362,共5页
提出了一种提高LTCC电路基板大面积接地钎焊的钎着率及可靠性的钎焊工艺设计.在LTCC电路基板接地面设置(Ni+M)复合金属膜层,根据试验测试比较,其耐焊性(>600s)明显优于常规金属化接地层(常规要求>50s);在LTCC电路基板的接地面的... 提出了一种提高LTCC电路基板大面积接地钎焊的钎着率及可靠性的钎焊工艺设计.在LTCC电路基板接地面设置(Ni+M)复合金属膜层,根据试验测试比较,其耐焊性(>600s)明显优于常规金属化接地层(常规要求>50s);在LTCC电路基板的接地面的一端预置"凸点",通过X射线扫描图对比分析,增加"凸点"的设计提高了大面积接地钎焊的钎着率.研究表明:新的钎焊工艺设计保证了LTCC电路基板大面积接地的钎焊可靠性和一致性. 展开更多
关键词 (Ni+M)复合金属膜层 耐焊性 凸点 钎着率
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无铅焊料的研究(4)——电迁移效应 被引量:3
6
作者 杨邦朝 苏宏 任辉 《印制电路信息》 2005年第10期60-64,72,共6页
电迁移是金属原子沿着电流方向的移动。阐述了无铅焊料中电迁移的物理特性,由于焊点的特殊几何形状,电流拥挤效应将发生在焊点与导线的接点处;电迁移效应导致无铅焊料中金属间化合物(IMC)的生成与溶解,以及焊点下的金属化层(UBM)的溶解... 电迁移是金属原子沿着电流方向的移动。阐述了无铅焊料中电迁移的物理特性,由于焊点的特殊几何形状,电流拥挤效应将发生在焊点与导线的接点处;电迁移效应导致无铅焊料中金属间化合物(IMC)的生成与溶解,以及焊点下的金属化层(UBM)的溶解和消耗,使原子发生迁移并会产生孔洞,造成焊点破坏,缩短了焊点平均失效时间(MTTF),从而带来可靠性问题。 展开更多
关键词 无铅焊料 电迁移 电流集聚 金属间化合物 焊点下金属化层 电迁移效应 无铅焊料 金属间化合物 电流方向 金属原子 可靠性问题 物理特性 几何形状 拥挤效应
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PtSi 256×256 IRCCD微型化封装技术研究
7
作者 邓光华 何剑 屈伟 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第A03期59-61,共3页
采用倒装焊接技术 ,实现了PtSi 2 56× 2 56IRCCD微型化封装。对金属凸点、引线衬底的制备以及倒装焊接技术进行了研究。
关键词 倒装焊接 微型化封装 PTSI
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薄膜金属化LTCC基板的薄膜阻碍层对共晶焊的影响 被引量:3
8
作者 吴申立 《电子工艺技术》 2001年第2期71-73,共3页
讨论了LTCC基板薄膜金属化技术中 ,有效阻碍层的选择对基板共晶焊的影响 ,实验结果表明 ,Ti/Ni是一种高可靠性的阻碍层 。
关键词 LTCC基板 薄膜金属化 共晶焊 阻碍层 剪切强度
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UBM凸点互连结构信号完整性分析
9
作者 梁颖 林训超 +2 位作者 黄春跃 邵良滨 张欣 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期9-12,113,共4页
建立了凸点下金属层(under bump metallization,UBM)和凸点互连结构仿真分析模型,基于HFSS软件对其高频条件下的信号完整性进行了研究.得到了UBM凸点互连结构表面电场强度分布,分析了UBM各层厚度及不同材料组合变化对UBM凸点互连结构信... 建立了凸点下金属层(under bump metallization,UBM)和凸点互连结构仿真分析模型,基于HFSS软件对其高频条件下的信号完整性进行了研究.得到了UBM凸点互连结构表面电场强度分布,分析了UBM各层厚度及不同材料组合变化对UBM凸点互连结构信号完整性的影响.结果表明,不同信号频率下电场强度在凸点及UBM各层表面分布不均匀,越接近UBM顶端电场强度越大;随信号频率的提高,UBM凸点互连结构的回波损耗增大而插入损耗减小;随镍层厚度、铜层厚度和钛层厚度的增加插入损耗减小;采用Ti-Wu-Au组合UBM凸点互连结构的信号完整性最好,Ti-Cu-Ni组合次之,而Cr-Ni-Au组合最差. 展开更多
关键词 凸点下金属层 电场强度 回波损耗 插入损耗 信号完整性
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Sn-37Pb焊球与Ni/NiP UBM界面反应特性研究 被引量:2
10
作者 田飞飞 刘清君 李勇 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第2期154-158,共5页
通过对共晶锡铅焊球与Ni/NiP UBM层扫描电镜界面微观组织观察和成分分析,研究了Sn-37Pb/Ni和Sn-37Pb/NiPUBM焊点界面反应特性。研究表明芯片侧界面IMC由Ni层到焊料的顺序为:靠近Ni层界面化合物为(Ni,Cu)3Sn,靠近焊料侧化合物为(Cu,Ni)6S... 通过对共晶锡铅焊球与Ni/NiP UBM层扫描电镜界面微观组织观察和成分分析,研究了Sn-37Pb/Ni和Sn-37Pb/NiPUBM焊点界面反应特性。研究表明芯片侧界面IMC由Ni层到焊料的顺序为:靠近Ni层界面化合物为(Ni,Cu)3Sn,靠近焊料侧化合物为(Cu,Ni)6Sn5;PCB板侧界面IMC包括靠近NiP层的NiSnP化合物和靠近焊料侧的(Cu,Ni)6Sn5化合物,NiSnP是由于Ni的扩散形成。PCB板侧NiP镀层中存在微裂纹缺陷,此裂纹缺陷会导致金属间化合物中产生裂纹,从而对焊点力学性能和可靠性产生不良的影响。 展开更多
关键词 共晶锡铅焊球 UBM层 界面反应
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倒装焊凸点材料及焊盘金属化 被引量:4
11
作者 郭志扬 金娜 郝旭丹 《微处理机》 2002年第2期20-22,26,共4页
详细讨论了各种材料形成的凸点和基板焊盘金属化方法的长处和不足
关键词 倒装焊 凸点 材料 焊盘金属化 集成电路
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MCM多层金属化及刻蚀技术研究 被引量:1
12
作者 刘瑞丰 郑俊哲 《微处理机》 2005年第1期7-8,共2页
本文介绍了MCM芯片制造过程,MCM的关键工艺技术,重点介绍了MCM多层金属化及其湿式刻蚀技术。
关键词 凸点 回流 多层金属化 刻蚀 UBM
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一种CMOS驱动器的晶圆级芯片尺寸封装
13
作者 刘秀博 王绍东 +1 位作者 王志强 付兴昌 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第10期779-783,共5页
采用晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)工艺完成了一款小型化CMOS驱动器芯片的封装。此WLCSP驱动器由两层聚酰亚胺(PI)层、重分配布线层、下金属层和金属凸点等部分构成。完成了WLCSP驱动器的设计,加工和电性能测试,并且对其进行了温度冲击、... 采用晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)工艺完成了一款小型化CMOS驱动器芯片的封装。此WLCSP驱动器由两层聚酰亚胺(PI)层、重分配布线层、下金属层和金属凸点等部分构成。完成了WLCSP驱动器的设计,加工和电性能测试,并且对其进行了温度冲击、振动和剪切力测试等可靠性试验。结果表明,经过晶圆级封装的CMOS驱动器体积为1.8 mm×1.2 mm×0.35 mm,脉冲上升沿为2.3 ns,下降沿为2.5 ns,开关时间为10.6 ns。将WLCSP的驱动器安装至厚度为1 mm的FR4基板上,对其进行温度冲击试验及振动试验后,凸点正常无裂痕。无下填充胶时剪切力为20 N,存在下填充胶时,剪切力为200 N。 展开更多
关键词 晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP) 重分配布线层 金属凸点 CMOS驱动器 剪切力
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FeNi合金UBM圆片级封装焊点剪切力研究
14
作者 奚嘉 陈妙 +3 位作者 肖斐 龙欣江 张黎 赖志明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期692-698,共7页
Fe Ni合金与无铅焊料反应速率低,生成的金属间化合物(IMC)较薄,有望作为圆片级封装(WLP)凸点下金属(UBM)层材料。对两种Fe Ni UBM以及一种Cu UBM圆片级封装样品进行回流、湿热以及预处理实验,并通过推球的方法,对其焊点进行剪切测试。... Fe Ni合金与无铅焊料反应速率低,生成的金属间化合物(IMC)较薄,有望作为圆片级封装(WLP)凸点下金属(UBM)层材料。对两种Fe Ni UBM以及一种Cu UBM圆片级封装样品进行回流、湿热以及预处理实验,并通过推球的方法,对其焊点进行剪切测试。通过断面与截面分析,研究其在不同处理条件下的金属间化合物生长情况,分析其断裂模式。结果表明,Fe Ni UBM焊点剪切力高于Cu UBM。Fe47Ni UBM与焊料反应生成的金属间化合物较薄,对于剪切力影响较小,而Fe64Ni UBM与焊料反应生成离散的Cu Ni Sn金属间化合物,对于其焊点强度有提高作用,Cu UBM与焊料反应生成较厚的金属间化合物,会明显降低焊点的剪切力。断面分析表明,Cu UBM会随焊球发生断裂,其强度明显小于Fe Ni UBM。 展开更多
关键词 圆片级封装(WLP) 凸点下金属(UBM) FeNi合金 剪切力 金属间化合物(IMC)
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Application of Electroless Fe-42Ni(P) Film for Under-bump Metallization on Solder Joint 被引量:3
15
作者 Haifei Zhou Jingdong Guo +1 位作者 Qingsheng Zhu Jianku Shang 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第1期7-12,共6页
Because Fe has a more negative standard reduction potential than Ni, the simultaneous electroless deposition of Fe and Ni is difficult. In this study, Fe-42Ni(P) electroless deposit was prepared by using disodium et... Because Fe has a more negative standard reduction potential than Ni, the simultaneous electroless deposition of Fe and Ni is difficult. In this study, Fe-42Ni(P) electroless deposit was prepared by using disodium ethylene diarnine tetraacetate (ETDA-2Na) as complexing agent to reduce the difference in the electrode potential between Ni2+ and Fe2+o The solderability and the interfacial reaction between Fe-42Ni(P) alloy and Sn were investigated. It was found that the electroless Fe-42Ni(P) alloy has excellent wettability with Sn. Moreover, the interfacial reaction rate between Fe-42Ni(P) and Sn is very slow. These results suggest that Fe-42Ni(P) alloy may become an attractive under-bump metallization (UBM). 展开更多
关键词 Under-bump metallization (UBM) Electroless Fe--42Ni(P) Sn SOLDERABILITY Interfacial reaction
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散热结构PCB的开发 被引量:4
16
作者 蔡积庆 《印制电路信息》 2006年第4期52-55,59,共5页
概述了利用金属蚀刻凸块的散热构造PCB的开发,可以满足小型情报终端和模组元件基板等的散热性和高密度布线的需要。
关键词 散热构造PCB 金属蚀刻凸块 AGSP工艺
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Econlith2000震波碎石系统脉冲通路撞击片制作及替用
17
作者 沈强 《医疗装备》 2011年第8期21-23,共3页
通过对Econlith2000震波碎石系统脉冲通路金属撞击片的原理、功能解析及其化学成分和金相组织的分析,在各种不锈钢材料的机械、物理性能的比较中,找到一种可替代原来撞击片材料的1Cr17Ni7,制作并替用。取代原来的进口产品,获得较好的经... 通过对Econlith2000震波碎石系统脉冲通路金属撞击片的原理、功能解析及其化学成分和金相组织的分析,在各种不锈钢材料的机械、物理性能的比较中,找到一种可替代原来撞击片材料的1Cr17Ni7,制作并替用。取代原来的进口产品,获得较好的经济效益。 展开更多
关键词 碎石系统金属撞击片 仿制 化学成分 金相组织 1Cr17Ni7
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半导体晶圆化学镍/金UBM工艺与设备 被引量:3
18
作者 刘勇 《电子工业专用设备》 2009年第12期7-13,共7页
介绍了半导体晶圆化学镍金UBM的工艺流程及其自动控制生产线,包括设备材料的要求及设备内部结构。在200mm的半导体晶圆上成功制作5μm化学镍/金UBM和18μm化学镍金凸点。在光学显微镜、表面轮廓仪和SEM下检测了化学镍/金镀层的表面形貌... 介绍了半导体晶圆化学镍金UBM的工艺流程及其自动控制生产线,包括设备材料的要求及设备内部结构。在200mm的半导体晶圆上成功制作5μm化学镍/金UBM和18μm化学镍金凸点。在光学显微镜、表面轮廓仪和SEM下检测了化学镍/金镀层的表面形貌。通过EDX分析化学镍/金UBM中的镍磷含量。3D自动光学检测了200mm晶圆上化学镍/金凸点的高度和共面性,讨论了镍/金凸点的剪切强度和失效模式,分析了生产中化学镍/金UBM的两种常见缺陷及成因。 展开更多
关键词 半导体晶圆 化学镍金 凸点下金属(UBM) 自动控制生产线
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电子封装金属微凸点制备技术研究进展 被引量:2
19
作者 王凌云 郑康 《电子机械工程》 2023年第6期1-8,共8页
起着电互连、热传递和机械支撑等重要作用的金属微凸点是基于面积阵列封装的关键。以球栅阵列封装(Ball Grid Array Packaging, BGA)、芯片尺度封装(Chip Scale Packaging, CSP)以及倒装芯片封装(Flip Chip Packaging, FCP)为代表的面... 起着电互连、热传递和机械支撑等重要作用的金属微凸点是基于面积阵列封装的关键。以球栅阵列封装(Ball Grid Array Packaging, BGA)、芯片尺度封装(Chip Scale Packaging, CSP)以及倒装芯片封装(Flip Chip Packaging, FCP)为代表的面积阵列封装形式凭借硅片利用率高、互连路径短、信号传输延时短以及寄生参数小等优点迅速成为当今中高端芯片封装领域的主流。然而,不同应用领域的微凸点具有尺寸跨度大、材料范围广的特点,很难有一种技术能实现全尺寸范围内不同材料金属微凸点的制备。文中综述了当前主流的微凸点制备技术,包括每种技术的优缺点及其适用范围、常见微凸点材料等,最后对当下微凸点制备技术的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 面积阵列封装 金属微凸点制备 球栅阵列封装 倒装芯片封装
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面向先进电子封装的扩散阻挡层的研究进展
20
作者 郑永灿 罗一鸣 +1 位作者 徐子轩 刘俐 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期28-40,共13页
功率器件作为电能转换的核心,在航天器、可再生能源汽车、高速列车和海底通信电缆等新电子领域的发展非常迅速。新一代功率器件对先进电子封装提出了更高、更快、更高效的要求,但是芯片互连焊点尺寸的显著减小导致焊点内部金属间化合物(... 功率器件作为电能转换的核心,在航天器、可再生能源汽车、高速列车和海底通信电缆等新电子领域的发展非常迅速。新一代功率器件对先进电子封装提出了更高、更快、更高效的要求,但是芯片互连焊点尺寸的显著减小导致焊点内部金属间化合物(IMCs)的生成急剧增加,对焊点的可靠性提出了挑战。在封装结构中,扩散阻挡层对于金属间化合物的产生有着重要影响,因此,高可靠性扩散阻挡层成为先进电子封装领域的研究热点之一。本文综述了近年来先进电子封装领域关于不同材料类型扩散阻挡层单质、二元化合物、三元化合物、复合材料和多层膜结构的研究进展。在此基础上总结扩散阻挡层的三种扩散阻挡机制,包括IMCs的晶粒细化、合金元素的偏析及抑制柯肯达尔空洞,同时分析阻挡层的几种失效机制,讨论扩散阻挡层对焊点可靠性的影响。最后指出现有扩散阻挡层研究仍处于制造工艺与材料性能探索阶段,未来可针对高熵合金、多物理场耦合作用、失效及扩散阻挡机理等方面展开深入和系统的研究。 展开更多
关键词 先进封装 金属间化合物 凸点下金属层 扩散阻挡性能 失效机制
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