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GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As QWIP暗电流特性HRTEM研究 被引量:5
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作者 胡小英 刘卫国 +3 位作者 段存丽 蔡长龙 韩军 刘钧 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第9期3057-3060,共4页
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μm,外电极压焊点面积为80μm×80μm的单元样品两种。用变温液氮制冷系统对样品进行77~30... 采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μm,外电极压焊点面积为80μm×80μm的单元样品两种。用变温液氮制冷系统对样品进行77~300 K暗电流特性测试。结果显示,器件暗电流曲线呈现出正负偏压的不对称性。利用高分辨透射扫描电镜(HRTEM)获得样品纳米尺度横断面高分辨像,分析结果表明:样品横断面处存在不同程度的位错及不均匀性。说明样品内部穿透位错造成相位分离是引起量子阱光电性能变差的根本原因,不同生长次序中AlGaAs与GaAs界面的不对称性与掺杂元素的扩散现象加剧了暗电流曲线的不对称性。 展开更多
关键词 量子阱红外探测器 GAAS/ALGAAS 金属有机物化学气相沉积 暗电流 高分辨透射扫描电镜
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GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱红外探测器光谱特性研究 被引量:3
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作者 胡小英 刘卫国 +2 位作者 段存丽 蔡长龙 关晓 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第8期2305-2308,共4页
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长Ga As/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μm,外电极压焊点面积为80μm×80μm单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77... 采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长Ga As/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μm,外电极压焊点面积为80μm×80μm单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77K液氮温度光谱响应测试。实验结果显示1#,2#样品峰值响应波长分别为8.43μm,8.32μm,与根据薛定谔方程得到器件理论峰值波长8.5μm间误差分别为1.0%,2.1%。实验结果说明MOCVD技术可以满足QWIP生长制备工艺要求,且器件电极压焊点位置与面积大小对器件峰值波长影响不大,而对峰值电流有一定影响。 展开更多
关键词 GA As/Al0.3Ga0.7As 量子阱红外探测器 金属有机物化学气相沉积法 光谱特性
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4英寸SiC衬底上高性能GaN HEMT材料 被引量:2
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作者 尹甲运 房玉龙 +2 位作者 盛百城 蔡树军 冯志红 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第7期430-433,共4页
使用金属有机气相沉积(MOCVD)设备在4英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘SiC衬底上进行了GaN HEMT结构材料的生长。GaN外延材料(002)和(102)面X射线摇摆曲线半高宽分别为166和238 arcsec,表面粗糙度(Rms)(5μm×5μm)达到0.174 nm,表明GaN... 使用金属有机气相沉积(MOCVD)设备在4英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘SiC衬底上进行了GaN HEMT结构材料的生长。GaN外延材料(002)和(102)面X射线摇摆曲线半高宽分别为166和238 arcsec,表面粗糙度(Rms)(5μm×5μm)达到0.174 nm,表明GaN外延材料具有较好的晶体质量。另外,喇曼测试发现整个4英寸GaN外延材料应力分布比较均匀,与3英寸GaN外延材料相比应力没有增加。通过非接触霍尔测得GaN HEMT结构材料二维电子气的迁移率达到2 153 cm2/(V.s)、面密度为9.49×1012 cm-2,方块电阻相对标准偏差1.1%,表现出良好的电学性能和均匀性。 展开更多
关键词 SIC衬底 GaN HEMT 位错 迁移率 金属有机气相沉积(MOCVD)
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非对称结构大功率940nm量子阱激光器
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作者 蒋锴 李沛旭 +3 位作者 张新 汤庆敏 夏伟 徐现刚 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期110-114,共5页
为改善940 nm大功率InGaAs/GaAs半导体激光器输出特性,通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布,并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件。采用低压金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长技术,获得了低内吸收系数的高质量外... 为改善940 nm大功率InGaAs/GaAs半导体激光器输出特性,通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布,并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件。采用低压金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长技术,获得了低内吸收系数的高质量外延材料,通过实验数据计算得到激光器材料内吸收系数仅为0.44mm^(-1)。进而通过管芯工艺制作了条宽100μm、腔长2000μm的940 nm半导体激光器器件。25℃室温10 A直流连续(CW)测试镀膜后器件阈值电流251 mA,斜率效率1.22 W/A,最大输出功率达到9.6 W,最大光电转化效率超过70%。 展开更多
关键词 量子阱激光器 大功率 非对称结构 INGAAS/GAAS 金属有机物化学气相沉积
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6英寸硅基GaN HEMT外延材料的制备 被引量:1
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作者 白欣娇 袁凤坡 +3 位作者 王文军 房玉龙 李晓波 李浩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期359-363,368,共6页
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在6英寸(1英寸=2.54 cm)Si(111)衬底上,使用多层不同Al摩尔组分的AlGaN插入层技术,成功生长出厚度为2.9μm无裂纹(扣除边缘2 mm)的GaN外延层,解决了大尺寸外延片的翘曲度问题,并在此基... 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在6英寸(1英寸=2.54 cm)Si(111)衬底上,使用多层不同Al摩尔组分的AlGaN插入层技术,成功生长出厚度为2.9μm无裂纹(扣除边缘2 mm)的GaN外延层,解决了大尺寸外延片的翘曲度问题,并在此基础上生长了全结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)外延片。采用X射线双晶衍射对外延材料结构进行了表征。Hall测试结果表明,HEMT外延材料的迁移率为2 080 cm^2/(V·s),方块电阻为279.8Ω/,电荷面密度为1.07×10^(13)cm^(-2)。采用喇曼光谱仪对GaN的应力进行了表征,GaN的喇曼E2(h)峰位于567.02 cm^(-1),表面受到的张应力为0.170 6 GPa,由于GaN外延层受到的张应力很小,说明插入多层AlGaN后应力已经释放。汞探针C-V测试二维电子气浓度较Hall测试结果偏低,可能是在C-V测试时肖特基势垒接触会降低载流子浓度。 展开更多
关键词 Si GAN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) AlGaN插入层
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Synthesis, characterization, and thermostability of bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)barium(Ⅱ) 被引量:1
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作者 Teng Zhang Hong-Wei Gu +2 位作者 Fa-Zhu Ding Fei Qu Shao-Tao Dai 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第1期67-74,共8页
The metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) technique is a promising process for high-tem- perature superconductor YBa2Cu307_6(YBCO) preparation. In this technique, it is a challenge to obtain barium precu... The metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) technique is a promising process for high-tem- perature superconductor YBa2Cu307_6(YBCO) preparation. In this technique, it is a challenge to obtain barium precursors with high volatility. In addition, the purity, evaporation characteristics, and thermostability of adopted precursors in whole process will decide the quality and reproducible results of YBCO film. In the present report, bis(2,2,6,6-tetramethyl- 3,5-heptanedionato)barium(II) (Ba(TMHD)2) was synthe- sized, and its structure was identified by PTIR, 1H NMR, 13C NMR, and ESI-MS spectroscopy. Subsequently, the thermal properties and the kinetics of decomposition were systemati- cally investigated by nonisothermal thermogravimetric anal- ysis methods. Based on the average apparent activation energy evaluated by the Ozawa, Kissinger, and Friedman methods, the volatilization process was discussed, and all results show that Ba(TMHD)2 is unstable and highly sensitive to the change of temperature during the whole evaporation process. There- fore, it is very important to choose suitable volatilization technology and conditions for avoiding Ba(TMHD)2 break- down (or thermal aging) during MOCVD process. Subse- quently, the possible conversion function is estimated through the Coats-Redfern method to characterize the evaporation patterns and follows a phase boundary reaction mechanism by the contracting surface equation with average activation energy of 118.7 kJ.mo1-1. 展开更多
关键词 Ba(TMHD)2 metal-organic chemical vapordeposition (MOCVD) SYNTHESIS Thermostability
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Influence of substrate temperature on in situ-textured ZnO thin films grown by MOCVD
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作者 Yajuan ZHENG Xiangbin ZENG Xiaohu SUN Diqiu HUANG 《Frontiers of Optoelectronics》 CSCD 2013年第3期270-274,共5页
The influence of substrate temperature on microstructure, electrical and optical properties of in situ- textured zinc oxide (ZnO) films fabricated by metal organic chemical vapor deposition (MOVCD) had been invest... The influence of substrate temperature on microstructure, electrical and optical properties of in situ- textured zinc oxide (ZnO) films fabricated by metal organic chemical vapor deposition (MOVCD) had been investigated. Results indicated that the substrate tempera- ture played a very important role on preparation of ZnO thin film. With the raising of temperature, firstly ZnO crystals were perpendicular to the substrate, then they were grown inclining toward the substrate, finally ZnO crystals grown in layers but not regular. Consequently, ZnO film surface morphology changed from smooth to a pyramid structure and then disappeared little by little. Moreover, it was also found in this study that ZnO film was characterized with high crystallinity, low resistivity (2.17 x 10 2) and high transmittance (〉 80%). These results suggested that ZnO thin film is suitable for front electrode of silicon thin film solar cell. 展开更多
关键词 metal organic chemical vapor deposition(movcd in situ-textured zinc oxide (ZnO) thin film temperature
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