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Achieving a sub-10 nm nanopore array in silicon by metal-assisted chemical etching and machine learning 被引量:3
1
作者 Yun Chen Yanhui Chen +9 位作者 Junyu Long Dachuang Shi Xin Chen Maoxiang Hou Jian Gao Huilong Liu Yunbo He Bi Fan Ching-Ping Wong Ni Zhao 《International Journal of Extreme Manufacturing》 EI 2021年第3期84-93,共10页
Solid-state nanopores with controllable pore size and morphology have huge application potential.However,it has been very challenging to process sub-10 nm silicon nanopore arrays with high efficiency and high quality ... Solid-state nanopores with controllable pore size and morphology have huge application potential.However,it has been very challenging to process sub-10 nm silicon nanopore arrays with high efficiency and high quality at low cost.In this study,a method combining metal-assisted chemical etching and machine learning is proposed to fabricate sub-10 nm nanopore arrays on silicon wafers with various dopant types and concentrations.Through a SVM algorithm,the relationship between the nanopore structures and the fabrication conditions,including the etching solution,etching time,dopant type,and concentration,was modeled and experimentally verified.Based on this,a processing parameter window for generating regular nanopore arrays on silicon wafers with variable doping types and concentrations was obtained.The proposed machine-learning-assisted etching method will provide a feasible and economical way to process high-quality silicon nanopores,nanostructures,and devices. 展开更多
关键词 sub-10 nm silicon nanopore array metal-assisted chemical etching silica-coated gold nanoparticles self-assembly machine learning
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High hydrosilylation efficiency of porous silicon SiHx species produced by Pt-assisted chemical etching for biochip fabrication 被引量:1
2
作者 XIAO MinYu HAN HuanMei XIAO ShouJun 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 2013年第8期1152-1163,共12页
Porous silicon (PSi) prepared from Pt metal-assisted chemical etching (MACE) was demonstrated to possess higher hydrosi- lylation efficiency (-57%) than anodized PSi (-11%) by surface reaction with co-undeceny... Porous silicon (PSi) prepared from Pt metal-assisted chemical etching (MACE) was demonstrated to possess higher hydrosi- lylation efficiency (-57%) than anodized PSi (-11%) by surface reaction with co-undecenyl alcohol (UO). Deconvolution of the SiHx (x = 1-3) stretching bands revealed the abundance of SiH2 species on MaCE PSi was 53%, -10% higher than on ano- dized samples, while both of Sill1 and Sill3 were -5% lower correspondently on MaCE PSi than on anodized samples. The surface SiHx abundances were suggested to account for the higher hydrosilylation efficiency on MaCE PSi. Optimization of Pt-assisted chemical etching parameters suggested a 7-15 nm thick Pt-coating and an etching time of 3-10 min for biochip ap- plications. Scanning electron microscopy images revealed that an isotropic top meso-porous layer was beneficial for hydrosi- lylation and long-term durability under ambient conditions. To end, an example of histidine-tagged protein immobilization and microarray was illustrated. Combining the materials' property, surface chemistry, and micro-fabrication technology together, we envision that silicon based biochip applications have a prosperous future. 展开更多
关键词 metal-assisted chemical etching porous silicon surface chemistry HYDROsiLYLATION BIOCHIP
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酸刻蚀处理对Si(100)和Si(111)上制备CVD金刚石膜的影响 被引量:1
3
作者 魏秋平 宋玉波 +3 位作者 余志明 胡应涛 尹登峰 马莉 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期650-657,共8页
对Si(100)和Si(111)采用相同的酸刻蚀工艺,采用热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备金刚石膜。用扫描电子显微镜、X线衍射仪和X线应力测试仪对样品的形貌、织构及残余应力进行检测、分析。研究结果表明:沉积3 h后,Si(100)和Si(111)基体上均... 对Si(100)和Si(111)采用相同的酸刻蚀工艺,采用热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备金刚石膜。用扫描电子显微镜、X线衍射仪和X线应力测试仪对样品的形貌、织构及残余应力进行检测、分析。研究结果表明:沉积3 h后,Si(100)和Si(111)基体上均生长出晶形比较完整,呈柱状晶方式生长的金刚石薄膜;此外,Si(100)金刚石膜表面分布着大量的微孔,通过调整沉积工艺可控制微孔的数量和尺寸,而Si(111)金刚石膜表面无微孔出现;2种基体所得薄膜都存在(111)织构,后者Si(111)还有一定的(110)织构;2种基体经酸刻蚀之后制得薄膜均无鼓泡剥离现象,二者的残余应力相差不大。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 热丝化学气相沉积 酸刻蚀
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树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能
4
作者 徐志堃 赵东旭 +4 位作者 孙兰兰 鄂书林 张振中 秦杰明 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期760-763,共4页
用一种低成本的方法制备出了树形结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学腐蚀法在Si(100)衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都很均匀,通过改变腐蚀时间,能够得到高度不同的Si纳米线阵列。利用磁控溅射... 用一种低成本的方法制备出了树形结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学腐蚀法在Si(100)衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都很均匀,通过改变腐蚀时间,能够得到高度不同的Si纳米线阵列。利用磁控溅射在Si纳米线表面制备一层ZnO薄膜,然后利用水热法在Si纳米线阵列上生长了ZnO纳米线。通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)和光致发光(PL)测试对样品进行了表征。通过这种方法制备的Si/ZnO复合结构在太阳能电池、光催化等领域有潜在应用价值。 展开更多
关键词 ZNO si 金属辅助化学腐蚀 水热法 纳米线阵列
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微纳米多孔Si-Ag颗粒掺杂石墨负极材料及其电性能 被引量:4
5
作者 孙斌 蔡晓兰 +5 位作者 姚耀春 周蕾 王磊 吴少鹏 朱晓蒙 栗文浩 《有色金属工程》 CAS 北大核心 2021年第7期1-6,共6页
为解决锂离子电池石墨负极材料充放电效率低的问题,采用成本低廉的人造石墨,并掺杂微纳米多孔Si-Ag颗粒来改善石墨的导电性及提高充放电效率,利用化学刻蚀法制备了微纳米多孔Si-Ag粉体,并将70%人造石墨与30%的多孔Si-Ag粉体球磨形成夹... 为解决锂离子电池石墨负极材料充放电效率低的问题,采用成本低廉的人造石墨,并掺杂微纳米多孔Si-Ag颗粒来改善石墨的导电性及提高充放电效率,利用化学刻蚀法制备了微纳米多孔Si-Ag粉体,并将70%人造石墨与30%的多孔Si-Ag粉体球磨形成夹层式复合结构。采用SEM、TEM、XRD及电池测试系统对多孔Si-Ag粉体材料进行表征和测试。结果表明:硅颗粒经高能球磨后粒径可达720 nm左右;在80℃刻蚀条件下,得到的微纳米多孔Si-Ag负极材料充放电比容量为2163.28 mAh/g;掺杂多孔Si-Ag颗粒后的石墨负极首次充放电比容量为1227.966 mAh/g,比纯石墨负极材料提高了341.1%;在0.2 C(1 C=1500 mA/g)的电流密度下,循环100次后容量保持率为59.72%。 展开更多
关键词 化学刻蚀法 多孔硅 负极材料 锂离子电池
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平滑陡直的Si深槽刻蚀方法 被引量:7
6
作者 张育胜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期214-216,220,共4页
Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用,现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点。常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施,但具有侧壁粗糙的缺点。提出了不同于Bosch工艺的新刻蚀方法,采用刻蚀反应和淀积... Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用,现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点。常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施,但具有侧壁粗糙的缺点。提出了不同于Bosch工艺的新刻蚀方法,采用刻蚀反应和淀积钝化反应同时进行并保持化学平衡的方法,取得了平滑陡直的刻蚀效果。在电感耦合等离子体刻蚀机ICP-98A上的实验结果表明,在直径100mm的光刻胶掩蔽Si片上,刻蚀深度为39.2μm,光刻胶剩余4.8μm,侧壁表面满足平滑陡直的要求。 展开更多
关键词 硅深槽刻蚀 电感耦合等离子体 Bosch工艺 化学平衡
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Fabrication of CoFe_2O_4 ferrite nanowire arrays in porous silicon template and their local magnetic properties 被引量:1
7
作者 郑辉 韩满贵 邓龙江 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第2期333-337,共5页
CoFe_2O_4 ferrite nanowire arrays are fabricated in porous silicon templates. The porous silicon templates are prepared via metal-assisted chemical etching with gold(Au) nanoparticles as the catalyst. Subsequently, ... CoFe_2O_4 ferrite nanowire arrays are fabricated in porous silicon templates. The porous silicon templates are prepared via metal-assisted chemical etching with gold(Au) nanoparticles as the catalyst. Subsequently, CoFe_2O_4 ferrite nanowires are successfully synthesized into porous silicon templates by the sol–gel method. The magnetic hysteresis loop of nanowire array shows an isotropic feature of magnetic properties. The coercivity and squareness ratio(M_r/M_s) of ensemble nanowires are found to be 630 Oe(1 Oe = 79.5775 A·m^(-1) and 0.4 respectively. However, the first-order reversal curve(FORC) is adopted to reveal the probability density function of local magnetostatic properties(i.e., interwire interaction field and coercivity). The FORC diagram shows an obvious distribution feature for interaction field and coercivity. The local coercivity with a value of about 1000 Oe is found to have the highest probability. 展开更多
关键词 ferrite nanowires porous silicon metal-assisted chemical etching first order reversal curves
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Ordered silicon nanorod arrays with controllable geometry and robust hydrophobicity
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作者 王子文 蔡家琦 +2 位作者 吴以治 王会杰 许小亮 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第1期507-510,共4页
Highly ordered silicon nanorod(Si NR) arrays with controllable geometry are fabricated via nanosphere lithography and metal-assisted chemical etching. It is demonstrated that the key to achieving a high-quality meta... Highly ordered silicon nanorod(Si NR) arrays with controllable geometry are fabricated via nanosphere lithography and metal-assisted chemical etching. It is demonstrated that the key to achieving a high-quality metal mask is to construct a non-close-packed template that can be removed with negligible damage to the mask. Hydrophobicity of Si NR arrays of different geometries is also studied. It is shown that the nanorod structures are effectively quasi-hydrophobic with a contact angle as high as 142°, which would be useful in self-cleaning nanorod-based device applications. 展开更多
关键词 silicon nanorod array HYDROPHOBICITY SELF-CLEANING metal-assisted chemical etching
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金属援助硅化学刻蚀法可控制备硅纳米线阵列 被引量:6
9
作者 吕文辉 张帅 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期363-365,397,共4页
基于金属援助硅化学刻蚀机理,成功地发展了一种形貌可控地制备硅纳米线阵列的有效方法。在该方法中,通过银纳米颗粒催化层的微结构和硅化学刻蚀的时间来调控硅纳米线阵列的形貌。扫描电子显微镜(SEM)形貌表征的实验结果证实:硅纳米线阵... 基于金属援助硅化学刻蚀机理,成功地发展了一种形貌可控地制备硅纳米线阵列的有效方法。在该方法中,通过银纳米颗粒催化层的微结构和硅化学刻蚀的时间来调控硅纳米线阵列的形貌。扫描电子显微镜(SEM)形貌表征的实验结果证实:硅纳米线阵列的孔隙率依赖银纳米颗粒催化层的微结构,硅纳米线阵列的高度依赖于硅的刻蚀时间。这种形貌可控地制备单晶硅纳米线阵列的方法简单、有效,可用于构筑硅纳米线光伏电池等各种硅基纳米电子器件。 展开更多
关键词 硅纳米线阵列 金属援助硅化学刻蚀 形貌控制
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图形化硅纳米线阵列场发射阴极的制备及其场发射性能 被引量:3
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作者 吕文辉 张帅 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期486-489,共4页
结合光刻工艺和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备了图形化的硅纳米线阵列场发射阴极,研究了其场发射性能。扫描电子显微镜照片显示,嵌入在硅衬底的硅纳米线阵列为垂直取向,形成图形化。场发射测试与分析表明,该阴极能够有效实现场电子发... 结合光刻工艺和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备了图形化的硅纳米线阵列场发射阴极,研究了其场发射性能。扫描电子显微镜照片显示,嵌入在硅衬底的硅纳米线阵列为垂直取向,形成图形化。场发射测试与分析表明,该阴极能够有效实现场电子发射,并且有利于获得图形化、低发散角的电子束。本研究提供了一种在硅基底上简单、有效地选域制备图形化硅纳米线阵列场发射阴极的途径,可潜在用于构筑各种真空微电子器件。 展开更多
关键词 图形化的硅纳米线阵列 金属援助硅化学刻蚀 场发射
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纳米多孔硅粉的化学腐蚀及其理化性质表征 被引量:2
11
作者 付琼 刘玉存 +3 位作者 柴涛 于雁武 于国强 刘媛 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期146-150,共5页
以纯度大于99%,粒径20μm以下的硅粉为原料,以HF、HNO3、蒸馏水及亚硝酸钠为腐蚀介质,采用化学腐蚀法制备纳米多孔硅粉。利用扫描电镜、全自动比表面积仪以及傅里叶变换红外光谱仪对纳米多孔硅粉进行了表征。制备了多孔硅/高氯酸钠复合... 以纯度大于99%,粒径20μm以下的硅粉为原料,以HF、HNO3、蒸馏水及亚硝酸钠为腐蚀介质,采用化学腐蚀法制备纳米多孔硅粉。利用扫描电镜、全自动比表面积仪以及傅里叶变换红外光谱仪对纳米多孔硅粉进行了表征。制备了多孔硅/高氯酸钠复合材料并进行了燃烧实验。结果表明,腐蚀体系中硝酸浓度是影响孔径分布的主要因素。腐蚀时间则是增大纳米多孔硅粉比表面积的关键因素。最佳腐蚀条件为硝酸浓度5.2%,腐蚀时间120 min。制备的纳米多孔硅粉为介孔材料,表面存在大量的硅-氢键,比表面积达58.2264 m2·g-1。制备的多孔硅/高氯酸钠复合材料能剧烈燃烧,伴有爆燃现象,能用作绿色点火药剂或燃烧剂。 展开更多
关键词 纳米多孔硅粉 化学腐蚀 硝酸浓度 腐蚀时间 硅-氢键
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金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线的研究进展 被引量:2
12
作者 王盼 童领 +6 位作者 周志文 杨杰 王茺 陈安然 王荣飞 孙韬 杨宇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期1466-1474,共9页
硅纳米线(Si NWs)由于具有独特的一维结构、热电导率、光电性质、电化学性能等特点,被广泛应用于热电与传感器件、光电子元器件、太阳能电池、锂离子电池等领域。金属辅助化学刻蚀法(MACE)是制备Si NWs的常用方法之一,具有操作简便、设... 硅纳米线(Si NWs)由于具有独特的一维结构、热电导率、光电性质、电化学性能等特点,被广泛应用于热电与传感器件、光电子元器件、太阳能电池、锂离子电池等领域。金属辅助化学刻蚀法(MACE)是制备Si NWs的常用方法之一,具有操作简便、设备简单、成本低廉和高效等优点,可大规模商业化应用,因而近年来被广泛研究。金属辅助化学刻蚀制备硅纳米线的过程可以分为两步:首先在洁净的硅衬底表面沉积一层金属(Ag、Au、Pt等)纳米颗粒,以催化、氧化它附近的硅原子;然后利用HF溶解氧化层,从而对硅晶片进行刻蚀,形成纳米线阵列。然而,这种简单高效的制备硅纳米线的方法存在一些难以控制的缺点:(1)金属纳米颗粒聚集、相连后造成Si NWs之间的缝隙比较大,从而导致Si NWs密度较低;(2)由于金属纳米颗粒沉积的随机性,在硅晶片表面分布不均匀,不仅导致刻蚀出的纳米线直径范围(50~200 nm)较宽,而且使制得的纳米线阵列排列无序且间距不易调控;(3)当刻蚀出的硅纳米线太长时,范德华力等作用会造成纳米线顶端出现严重的团簇现象。针对常规法存在的一些问题以及不同的器件对硅纳米线的形貌、类型和直径等的要求,近年来的研究主要集中在如何减少纳米线顶端团簇、调控纳米表面粗糙度和直径、低成本制备有序硅纳米线等方面。目前一些改进常规金属辅助化学刻蚀的方法取得了进展,比如:(1)用酸溶液或UV/Ozone对硅晶片预处理,在表面形成氧化层,可以使纳米线的均匀性得到改善并增大其密度(从18%提高到38%);(2)使用物理气相沉积法在硅晶片表面沉积一层金属纳米薄膜,然后再刻蚀,这种方法能够减少纳米线顶端团簇和有效调控纳米线直径;(3)利用模板法(聚苯乙烯小球模板、氧化铝模板、二氧化硅模板和光刻胶模板等)可以制备出有序的硅纳米线阵列。本课题组用离子束刻蚀的方法制备了直径范围可以控制在30~90 nm的聚苯乙烯小球模板,为小尺寸有序硅纳米线的制备打下了坚实的基础。本文简要介绍了常规MACE的原理和制备流程,总结了硅晶片的类型、刻蚀溶液的浓度、温度和刻蚀时间等因素对Si NWs形貌、尺度、表面粗糙度、刻蚀方向以及刻蚀速率的影响,用相关的机制解释了H2O2过量时刻蚀路径偏离垂直方向的机理以及刻蚀速率随溶液浓度变化的原因,重点综述了氧化层预处理、物理法沉积贵金属纳米薄膜、退火处理和模板法等改进方法在减少纳米线顶部团簇、改善均匀性、制备有序且直径和间距可控纳米线中的研究进展。 展开更多
关键词 金属辅助化学刻蚀(MACE) 银纳米颗粒(Ag NPs)辅助 硅纳米线(si NWs)
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基于Au辅助化学刻蚀法实现低成本制备硅纳米线阵列 被引量:1
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作者 段花花 李新化 +4 位作者 周步康 史同飞 李宁 陈健 王玉琦 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第4期597-601,649,共6页
Au在Si表面的成膜质量对金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线至关重要。以Ti、Cr作为浸润层,可显著改善Au在硅表面的成岛趋势,获得优质的Au膜并大幅度减少Au的使用量。同时,针对加入Ti、Cr后对Au辅助化学刻蚀影响的研究表明,Cr在刻蚀液中是... Au在Si表面的成膜质量对金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线至关重要。以Ti、Cr作为浸润层,可显著改善Au在硅表面的成岛趋势,获得优质的Au膜并大幅度减少Au的使用量。同时,针对加入Ti、Cr后对Au辅助化学刻蚀影响的研究表明,Cr在刻蚀液中是稳定的,因此阻碍了Au催化刻蚀反应,而Ti与反应溶液快速反应,不影响Au对Si衬底化学刻蚀的催化作用。基于以上工作,以PS球为模板沉积制备Ti/Au(3nm/20nm)优质膜,使用金属辅助化学刻蚀,制备了有序的Si纳米线阵列。 展开更多
关键词 Au膜 金属辅助化学刻蚀 si纳米线 浸润层 低成本
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采用锗硅异质外延方法制备硅量子线
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作者 陆阳 施毅 +6 位作者 刘建林 汪峰 张荣 顾书林 郑有 茅保华 谢中华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期201-205,共5页
报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Si/SiGe/Si异质结构基础上,采用光刻和反应离子刻蚀技术形成槽状图形,用选择腐蚀液进行选择化学腐蚀,获得Si线阵列,最后通过湿氧、干氧... 报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Si/SiGe/Si异质结构基础上,采用光刻和反应离子刻蚀技术形成槽状图形,用选择腐蚀液进行选择化学腐蚀,获得Si线阵列,最后通过湿氧、干氧氧化过程,成功实现了高质量Si/SiO2异质界面结构硅量子线。采用扫描电子显微镜对量子线形成特征进行了研究,并讨论了硅线的热氧化性质。 展开更多
关键词 硅量子线 选择腐蚀 热氧化 锗硅异质外延
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Enhanced efficiency of graphene-silicon Schottky junction solar cell through inverted pyramid arrays texturation 被引量:2
15
作者 Jiajia Qiu Yudong Shang +6 位作者 Xiuhua Chen Shaoyuan Li Wenhui Ma Xiaohan Wan Jia Yang Yun Lei Zhengjie Chen 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第11期2197-2204,共8页
Nanostructures of silicon are gradually becoming hot candidate due to outstanding capability for trapping light and improving conversion efficiency of solar cell. In this paper, silicon nanowires(SiNWs) and silicon ... Nanostructures of silicon are gradually becoming hot candidate due to outstanding capability for trapping light and improving conversion efficiency of solar cell. In this paper, silicon nanowires(SiNWs) and silicon inverted pyramid arrays(SiIPs) were introduced on surface of Gr-Si solar cell through silver and copper-catalyzed chemical etching, respectively. The effects of SiNWs and SiIPs on carrier lifetime, optical properties and efficiency of Gr-SiNWs and Gr-SiIPs solar cells were systematically analyzed. The results show that the inverted pyramid arrays have more excellent ability for balancing antireflectance loss and surface area enlargement. The power conversion efficiency(PCE) and carrier lifetime of Gr-SiIPs devices respectively increase by 62% and 34% by comparing with that of Gr-SiNWs solar cells. Finally, the Gr-SiIPs cell with PCE of 5.63% was successfully achieved through nitric acid doping. This work proposes a new strategy to introduce the inverted pyramid arrays for improving the performance of Gr-Si solar cells. 展开更多
关键词 Graphene-si solar cell silver/copper-assisted chemical etching silicon nanowires silicon inverted pyramid arrays
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On-demand production of hydrogen by reacting porous silicon nanowires with water
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作者 Rui Ning Yue Jiang +6 位作者 Yitian Zeng Huaxin Gong Jiheng Zhao Jeffrey Weisse Xinjian Shi Thomas M.Gill Xiaolin Zheng 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第5期1459-1464,共6页
On-demand hydrogen generation is desired for fuel cells,energy storage,and clean energy applications.Silicon nanowires(SiNWs)and nanoparticles(SiNPs)have been reported to generate hydrogen by reacting with water,but t... On-demand hydrogen generation is desired for fuel cells,energy storage,and clean energy applications.Silicon nanowires(SiNWs)and nanoparticles(SiNPs)have been reported to generate hydrogen by reacting with water,but these processes usually require external assistance,such as light,electricity or catalysts.Herein,we demonstrate that a porous SiNWs array,which is fabricated via the metal-assisted anodic etching(MAAE)method,reacts with water under ambient and dark conditions without any energy inputs.The reaction between the SiNWs and water generates hydrogen at a rate that is about ten times faster than the reported rates of other Si nanostructures.Two possible sources of enhancement are discussed:SiNWs maintain their high specific surface area as they don’t agglomerate,and the intrinsic strain of the nanowires promotes the reactivity.Moreover,the porous SiNWs array is portable,reusable,and environmentally friendly,yielding a promising route to produce hydrogen in a distributed manner. 展开更多
关键词 silicon nanowire porous silicon hydrogen generation metal-assisted anodic etching metal-assisted chemical etching water splitting
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Strong contact coupling of neuronal growth cones with height-controlled vertical silicon nanocolumns
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作者 Seong-Min Kim Seyeong Lee +7 位作者 Dongyoon Kim Dong-Hee Kang Kisuk Yang Seung-Woo Cho Jin Seok Lee Insung S. Choi Kyungtae Kang Myung-Han Yoon 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第5期2532-2543,共12页
In this study, we report that height-controlled vertically etched silicon nano- column arrays (vSNAs) induce strong growth cone-to-substrate coupling and accelerate in vitro neurite development while preserving the ... In this study, we report that height-controlled vertically etched silicon nano- column arrays (vSNAs) induce strong growth cone-to-substrate coupling and accelerate in vitro neurite development while preserving the essential features of initial neurite formation. Large-scale preparation of vSNAs with flat head morphology enabled the generation of well-controlled topographical stimulation without cellular impalement. A systematic analysis on topography- induced variations on cellular morphology and cytoskeletal dynamics was conducted. In addition, neurite development on the grid-patterned vSNAs exhibited preferential adhesion to the nanostructured region and outgrowth directionality. The arrangement of cytoskeletal proteins and the expression of a focal adhesion complex indicated that a strong coupling existed between the underlying nanocolumns and growth cones. Furthermore, the height-controlled nanocolumn substrates differentially modulated neurite polarization and elongation. Our findings provide an important insight into neuron-nanotopography interactions and their role in cell adhesion and neurite development. 展开更多
关键词 vertical silicon nanostructures metal-assisted chemical etching primary hippocampal neurons neurite outgrowth cytoskeletal dynamics
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