锗-雪崩光电二极管对快速光脉冲响应时间的测量

基于P+n平面结构Ge APD的工作原理,介绍了采用Ge APD作为光电转换器件,并配以微带电路和取样技术来测量Ge APD对快速光脉冲响应时间的方法。

锗-雪崩光电二极管对快速光脉冲响应时间的研究

基于P+n平面结构Ge-APD的工作原理,介绍了采用Ge-APD作为光电转换器件,并配以微带电路和取样技术来测量Ge-APD对快速光脉冲响应时间的方法.

基于缺陷微带线结构的三阻带滤波器研究

通过在50Ω微带线上刻蚀3个不同形状的缺陷微带线结构,实现三阻带滤波器的设计,且三阻带的中心频率分别为:3.27 GHz、5.15 GHz和6.62 GHz。采用HFSS和"等效电路"的方法对所设计的三阻带滤波器进行了分析,综合考虑缺陷微带线结构的特性和3个阻带之间的级联特性,提出了三阻带滤波器的等效电路模型,并利用ADS仿真提出的等效电路模型。仿真和测试结果表明,所设计的三阻带滤波器不仅有很好的阻带特性,且能够集成到超宽带通信系统中,抑制全球微波互联接入(Wi MAX)、无线局域网(WLAN)和X频段的窄带干扰。因此,该阻带滤波器可以广泛应用在无线通信领域。

W波段3.4W/mm GaN功率放大器MMIC

采用100nm GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款应用于W波段的高功率密度功率放大器微波单片集成电路。该工艺采用厚度为50μm的SiC作为衬底。放大器采用三级级联拓扑结构,利用高低阻抗微带线与上下极板电容构成W波段低损耗阻抗匹配网络,实现较高的增益和较高的输出功率。同时,该放大器通过由1/4波长微带线构成的直流偏置网络进行片上集成设计,实现全单片集成。测试结果表明,当工作电压为15V时,该放大器芯片在88~98GHz范围内,典型小信号增益为20dB,连续波状态下饱和输出功率大于250mW。在98GHz下,芯片实现最大输出功率为405mW,功率增益为13dB,功率附加效率为14.4%。因此,该GaN功率放大器芯片输出相应的最大功率密度达到3.4W/mm。