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正向电压及氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层特性的影响
1
作者
吕凯
刘向东
+4 位作者
池波
张雅萍
张静
刘晓丽
乌迪
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A10期4081-4083,共3页
ZAlSi12因为含Si量高,其微弧氧化过程不同于其它铸造铝合金。铸铝合金中si的存在不利于在其表面进行微弧氧化。因此,研究正向电压、氧化时间对ZAlSi12微孤氧化陶瓷层特性的影响规律,对于获得良好的陶瓷表面层有着重要的意义。研究了...
ZAlSi12因为含Si量高,其微弧氧化过程不同于其它铸造铝合金。铸铝合金中si的存在不利于在其表面进行微弧氧化。因此,研究正向电压、氧化时间对ZAlSi12微孤氧化陶瓷层特性的影响规律,对于获得良好的陶瓷表面层有着重要的意义。研究了不同的正向电压及氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层厚度的影响规律,并对膜层进行了磨损试验。采用XRD分析陶瓷层的相组成。研究结果显示,电压为440V/120V时,陶瓷层性能最佳,膜层厚度达169μm。氧化时间为0~48min时,膜层生长速度快,超过48min后,生长缓慢。因此,适宜的氧化时间为48min。
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关键词
ZAlSi12
微弧氧化
正向电压
氧化时间
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职称材料
题名
正向电压及氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层特性的影响
1
作者
吕凯
刘向东
池波
张雅萍
张静
刘晓丽
乌迪
机构
内蒙古工业大学材料科学与工程学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A10期4081-4083,共3页
基金
内蒙古科技攻关资助项目(20040202)
文摘
ZAlSi12因为含Si量高,其微弧氧化过程不同于其它铸造铝合金。铸铝合金中si的存在不利于在其表面进行微弧氧化。因此,研究正向电压、氧化时间对ZAlSi12微孤氧化陶瓷层特性的影响规律,对于获得良好的陶瓷表面层有着重要的意义。研究了不同的正向电压及氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层厚度的影响规律,并对膜层进行了磨损试验。采用XRD分析陶瓷层的相组成。研究结果显示,电压为440V/120V时,陶瓷层性能最佳,膜层厚度达169μm。氧化时间为0~48min时,膜层生长速度快,超过48min后,生长缓慢。因此,适宜的氧化时间为48min。
关键词
ZAlSi12
微弧氧化
正向电压
氧化时间
Keywords
ZAlSi12
micro-oxidatiom
forward voltages oxidation time
分类号
TG174.4 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
正向电压及氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层特性的影响
吕凯
刘向东
池波
张雅萍
张静
刘晓丽
乌迪
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
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职称材料
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