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题名微纳级双极晶体管的热耗散研究
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作者
侯志刚
李惠军
许新新
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机构
山东大学孟尧微电子研发中心
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2006年第10期461-463,475,共4页
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文摘
对于双极性晶体管,由于自身存在的自加热现象,严重地影响着器件的特性。基于热电流方程、泊松方程及电流密度方程,在二维器件仿真环境下,进行了微纳级小尺寸npn双极性晶体管热现象的器件物理特性分析。重点研究了器件的集电极电流IC与晶格温度T的因变关系。研究结果显示,随着IC的增加,器件的晶格温度逐渐升高,VCE保持在3.0V、VBE达到最大值0.735V时,随器件晶格温度的升高VBE将减小。最后,笔者给出了描述晶体管温变关系的三维曲线。
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关键词
超深亚微米
微纳级
双极性器件
热现象
集成电路
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Keywords
VDSM (very deep submicrometer)
micronano level
bipolar transistor
hot phenomena
IC
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分类号
TN431
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN321
[电子电信—物理电子学]
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