期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
三线制Microware同步串行EEPROM在MCS-51单片机上的运用
1
作者 扈宏毅 游龙翔 《电子工程师》 2002年第3期5-7,共3页
介绍了三线制 Microware串行总线及其相关的 EEPROM,设计了该类EEPROM与 AT89C5 1的连接和软件模拟 ,并给出 C5
关键词 串行总线 EEPROM MCS-51单片机 三线制microware总线 C51源程序
下载PDF
The Microwave Sintering Technology andIts Application in the Synthesis of ZrB_2 被引量:1
2
作者 HE Zhiyong LI Lin PENG Xiaoyan 《China's Refractories》 CAS 2005年第4期26-28,共3页
关键词 microware stove Sintering zirconium boride.
下载PDF
基于MWO的中频功率放大器设计
3
作者 李颖 苏莹 《信息技术与信息化》 2015年第6期181-182,共2页
使用Microware Office软件实现了中频功率放大器的分析和设计研究,并对其性能进行了分析和测量,结果显示设计方案达到了预期的设计目标。设计过程与方法为其他微波功率放大器的设计提供了技术参考。
关键词 microware OFFICE 中频功率放大器 设计与实现
下载PDF
Boron-Doped Diamond Films Deposited on Silicon Substrates by MPCVD
4
作者 辛吉升 莫要武 +2 位作者 夏义本 居建华 王鸿 《Advances in Manufacturing》 SCIE CAS 1997年第2期159-162,共4页
High quality, good adhesion and p-type diamond films are obtained by microwave plasma chelincal vapordeposition. The area of the films is 20 x 20 nun. The structural morphologies, bonding mechanism and surfacemol'... High quality, good adhesion and p-type diamond films are obtained by microwave plasma chelincal vapordeposition. The area of the films is 20 x 20 nun. The structural morphologies, bonding mechanism and surfacemol'Phology are characterized by X-ray diffraction (XRD), Raman scattering and scanning Electron microscopy(SEM) respectively. The resistance, Hall coefficient, mobility, etc. are also measured. Tile factors related tonucleation and other properties of diamond films are discussed. 展开更多
关键词 diamond film DEPOSITION microware technique
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部