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毫米波超宽带大功率单片单刀双掷开关 被引量:1
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作者 刘会东 魏洪涛 +1 位作者 吴洪江 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期581-584,共4页
采用GaAs pin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路。在GaAs pin二极管建模阶段充分考虑寄生效应对模型的影响,获得高精度模型;在电路设计阶段采用GaAs pin二极管单级并联结构,提高功率特性;在工艺加工阶段调整p... 采用GaAs pin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路。在GaAs pin二极管建模阶段充分考虑寄生效应对模型的影响,获得高精度模型;在电路设计阶段采用GaAs pin二极管单级并联结构,提高功率特性;在工艺加工阶段调整p+层、n+层的掺杂浓度和i层的厚度,获得低损耗、高功率特性的GaAs pin二极管;最终制备的单刀双掷开关芯片在片测试表明,在25~40 GHz范围内插入损耗小于1.0 dB,隔离度大于25 dB,输入输出电压驻波比小于2.0∶1,具有优异的宽带小信号特性;35 GHz下承受功率高达34 dBm,具有非常好的功率特性。 展开更多
关键词 毫米波 单刀双掷(SPDT) 砷化镓 PIN二极管 微波单片集成电路(mmic)
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