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Synthesis and Characterization of GaN Rods Prepared by Ammono-Chemical Vapor Deposition 被引量:1
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作者 Gregorio Guadalupe Carbajal Arízaga Karina Viridiana Chávez Hernández +3 位作者 Nicolás Cayetano Castro Manuel Herrera Zaldivar Rafael García Gutiérrez Oscar Edel Contreras López 《Advances in Chemical Engineering and Science》 2012年第2期292-299,共8页
GaN rods were deposited by chemical vapor deposition (CVD) onto sapphire (0 0 0 1) and amorphous quartz. The reactive Ga species in vapor the phase was formed with NH4Cl and gallium. The unidirectional growth was cata... GaN rods were deposited by chemical vapor deposition (CVD) onto sapphire (0 0 0 1) and amorphous quartz. The reactive Ga species in vapor the phase was formed with NH4Cl and gallium. The unidirectional growth was catalyzed with gold nanoparticles formed onto the substrate prior to the CVD reaction in order to induce a vapor-liquid-solid (VLS) mechanism. However, this method of synthesis seems to be influenced by other growth mechanisms which formed additional depositions of GaN with different morphology than the rods catalyzed by gold nanoparticles. The moieties of GaN that grew in the absence of gold formed branches in the rods or increased the lateral growth of rods resulting in larger diameters than the size of the gold particle that guided the growth. 展开更多
关键词 Crystal Morphology NANOSTRUCTURES chemical vapor deposition processes SEMICONDUCTING III-V Material
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保偏光纤制备及其参数测试原理
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作者 张雪莲 杨鹏 +1 位作者 刘永建 宁鼎 《激光技术》 CSCD 北大核心 2024年第1期34-39,共6页
为了研制工作波长为1310 nm的保偏光纤,采用改进的化学气相沉积工艺制备了保偏光纤预制捧和应力棒,经加工、拼接、清洗、拉丝工艺后,得到几何尺寸精确的高质量保偏光纤;同时搭建了高效测试系统,采用折射近场法、远场扫描法、视频灰度技... 为了研制工作波长为1310 nm的保偏光纤,采用改进的化学气相沉积工艺制备了保偏光纤预制捧和应力棒,经加工、拼接、清洗、拉丝工艺后,得到几何尺寸精确的高质量保偏光纤;同时搭建了高效测试系统,采用折射近场法、远场扫描法、视频灰度技术(传输近场),分别测量了预制棒的折射率分布和几何尺寸,保偏光纤模场直径、数值孔径、几何尺寸等关键参数。结果表明,此标准化测试系统操作流程简单、结果精确;模场直径为6.26μm,数值孔径为0.23,包涂直径80μm/135μm/165μm(精度±0.7μm);终检测试合格的光纤成品随机抽样16.25%,高低温老化实验后拍长、串音变化小。所研制的保偏光纤性能稳定,几何尺寸精确、结构均匀、损耗低,具有优良保偏性能,已广泛应用于实际生产中。 展开更多
关键词 光纤光学 保偏光纤 化学气相沉积 折射近场 远场扫描法 视频灰度技术
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MCVD工艺沉积温度对有源光纤掺杂浓度的影响研究 被引量:4
3
作者 衣永青 田海生 宁鼎 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2007年第1期60-61,共2页
以掺镱双包层光纤为例,主要介绍了用MCVD工艺及溶液掺杂法制备掺稀土离子有源光纤,通过对低温沉积疏松芯层时温度控制对最终研制的有源光纤镱离子掺杂浓度的影响研究,得出沉积温度对有源光纤掺杂浓度影响的规律,为目前国内普遍采用的MCV... 以掺镱双包层光纤为例,主要介绍了用MCVD工艺及溶液掺杂法制备掺稀土离子有源光纤,通过对低温沉积疏松芯层时温度控制对最终研制的有源光纤镱离子掺杂浓度的影响研究,得出沉积温度对有源光纤掺杂浓度影响的规律,为目前国内普遍采用的MCVD工艺结合溶液掺杂技术制备掺稀土离子有源光纤提供了参考。 展开更多
关键词 mcvd 有源光纤 稀土掺杂
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改性铜集流体应用于锂离子电池研究进展
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作者 段长琦 谷月月 +3 位作者 黎子龙 刘婷婷 于镇洋 孙琦 《铜业工程》 CAS 2024年第2期119-130,共12页
随着社会发展和科技进步,能源的过度消耗引发资源和环境问题。近年来,电动汽车等新能源领域的蓬勃发展,促进了电化学储能技术的开发应用。锂离子电池(LIBs)被认为是目前最可靠的先进可充电储能器件之一。在LIBs中,集流体发挥着至关重要... 随着社会发展和科技进步,能源的过度消耗引发资源和环境问题。近年来,电动汽车等新能源领域的蓬勃发展,促进了电化学储能技术的开发应用。锂离子电池(LIBs)被认为是目前最可靠的先进可充电储能器件之一。在LIBs中,集流体发挥着至关重要的作用,它连接着LIBs内外电子通路,是活性电极材料的支撑基底。目前,商业铜箔作为集流体已经无法满足人们对高性能储能器件的性能要求。因此,对LIBs铜集流体进行改性,是一种解决其性能不足和部分电池缺陷问题的可行方法。由于碳基材料具有高导电性和高机械强度等优点,与铜材料能够实现良好结合和性能过渡,被认为是最契合的优秀改性材料。本文介绍了LIBs中存在的常见问题,针对这些问题,系统总结了近年来铜集流体改性方法,主要包括碳基材料改性以及铜集流体表面改性和结构改性。对于铜集流体碳基材料改性,总结了近年来众多突出成果,包括应用于改性过程中的不同碳纳米材料及其制备过程,以及影响碳纳米材料改性铜基集流体性能的诸多因素。最后对铜集流体在LIBs中的应用和发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 铜集流体 锂离子电池 改性设计 碳基材料 催化化学气相沉积
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光纤预制棒(MCVD法)的工艺理论研究 被引量:1
5
作者 竺逸年 《光通信技术》 CSCD 1990年第2期44-50,共7页
本文对光纤预制棒(MCVD)的工艺机理进行了理论分析,建立了沉积过程中的微粒沉降模型,该模型的基本原理与实验观察一致。对渐变型折射率分布多模光纤的结构分析表明,MCVD法能精确地控制a参数和数值孔径,为提高沉积速率和生产效率开辟了... 本文对光纤预制棒(MCVD)的工艺机理进行了理论分析,建立了沉积过程中的微粒沉降模型,该模型的基本原理与实验观察一致。对渐变型折射率分布多模光纤的结构分析表明,MCVD法能精确地控制a参数和数值孔径,为提高沉积速率和生产效率开辟了应用途径。 展开更多
关键词 光纤预制棒 化学汽相沉积法
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8英寸晶圆低损耗厚氮化硅波导的工艺开发
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作者 丛庆宇 李赵一 +3 位作者 周敬杰 范作文 贾连希 胡挺 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期93-103,共11页
在8英寸晶圆上制备氮化硅膜厚度超过400 nm时,产生的拉伸应力会使薄膜产生裂纹,为此,采用大马士革工艺,通过低压化学气相沉积分两步沉积、抛光氮化硅薄膜,同时结合棋盘格结构,减小应力,降低薄膜出现裂纹的风险。使用此方法成功在8英寸... 在8英寸晶圆上制备氮化硅膜厚度超过400 nm时,产生的拉伸应力会使薄膜产生裂纹,为此,采用大马士革工艺,通过低压化学气相沉积分两步沉积、抛光氮化硅薄膜,同时结合棋盘格结构,减小应力,降低薄膜出现裂纹的风险。使用此方法成功在8英寸晶片上制造了截面尺寸为800 nm×0.8µm的氮化硅波导。两步沉积过后进行两次退火处理,可以进一步降低波导损耗,通过采用cut-back的方式测试波导传输损耗在1550 nm处为0.087 dB/cm,在1580 nm处为0.062 dB/cm。波导的弯曲损耗在半径为50µm时为0.0065 dB,在半径为80µm时仅为0.006 dB。 展开更多
关键词 光电子学 光波导 8英寸 氮化硅 低压化学气相沉积 工艺优化 低损耗
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Remarkable carbon dioxide catalytic capture (CDCC) leading to solid-form carbon material via a new CVD integrated process (CVD-IP): An alternative route for CO_2 sequestration 被引量:5
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作者 Wei Chu Maofei Ran +4 位作者 Xu Zhang Ning Wang Yufei Wang Heping Xie Xiusong Zhao 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第1期136-144,共9页
Through our newly-developed "chemical vapor deposition integrated process (ISVD-IP)'" using carbon OlOXlae (t..u2) as me raw matenal and only carbon source introduced, CO2 could be catalytically activated and c... Through our newly-developed "chemical vapor deposition integrated process (ISVD-IP)'" using carbon OlOXlae (t..u2) as me raw matenal and only carbon source introduced, CO2 could be catalytically activated and converted to a new solid-form product, i.e., carbon nanotubes (CO2-derived) at a quite high yield (the single-pass carbon yield in the solid-form carbon-product produced from CO2 catalytic capture and conversion was more than 30% at a single-pass carbon-base). For comparison, when only pure carbon dioxide was introduced using the conventional CVD method without integrated process, no solid-form carbon-material product could be formed. In the addition of saturated steam at room temperature in the feed for CVD, there were much more end-opening carbon nano-tubes produced, at a slightly higher carbon yield. These inspiring works opened a remarkable and alternative new approach for carbon dioxide catalytic capture to solid-form product, comparing with that of CO2 sequestration (CCS) or CO2 mineralization (solidification), etc. As a result, there was much less body volume and almost no greenhouse effect for this solid-form carbon-material than those of primitive carbon dioxide. 展开更多
关键词 carbon dioxide catalytic capture (CDCC) carbon nanotubes (CNTs) chemical vapor deposition integrated process (CVD-IP) solid-formcarbon material debating greenhouse gases (GHG) effects
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Large-scale industrial manufacturing of carbon nanotubes in a continuous inclined mobile-bed rotating reactor via the catalytic chemical vapor deposition process
8
作者 Sophie L. Pirard Sigrid Douven Jean-Paul Pirard 《Frontiers of Chemical Science and Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第2期280-289,共10页
This article reports the different steps of the design, development and validation of a process for continuous production of carbon nanotubes (CNTs) via catalytic chemical vapor deposition from the laboratory scale ... This article reports the different steps of the design, development and validation of a process for continuous production of carbon nanotubes (CNTs) via catalytic chemical vapor deposition from the laboratory scale to the industrial production. This process is based on a continuous inclined mobile-bed rotating reactor and very active catalysts using methane or ethylene as carbon source. The importance of modeling taking into account the hydrodynamic, physicochemical and physical phenomena that occur during CNT production in the process analysis is emphasized. The impact of this invention on the environment and human health is taken into consideration too. 展开更多
关键词 carbon nanotubes catalytic chemical vapor deposition inclined rotating reactor industrial process SCALING-UP
原文传递
Plasma Processing of Boron-Doped Nano-Crystalline Diamond Thin Film Fabricated on Poly-Crystalline Diamond Thick Film
9
作者 熊礼威 刘繁 +3 位作者 汪建华 满卫东 翁俊 刘长林 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第4期433-436,共4页
Plasma treatments of boron-doped nano-crystalline diamond (NCD) thin films were carried out in order to improve their electrical properties of the films. Boron-doped NCD thin films were fabricated on well polished p... Plasma treatments of boron-doped nano-crystalline diamond (NCD) thin films were carried out in order to improve their electrical properties of the films. Boron-doped NCD thin films were fabricated on well polished poly-crystalline diamond (PCD) thick films in a microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPCVD) reactor, then they were processed in methane, ar- gon, hydrogen and B2H~ (0.1% diluted by H~) plasmas, respectively. Scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscope (AFM) results show that the surface morphology changed lit- tle during the 10 min treatment. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) results indicate that B2H6 plasma was efficient for increasing boron concentration in NCD films, while the carrier anal- yses demonstrates that CH4 plasma processing was effective to activate the dopants and resulted in good electrical properties. 展开更多
关键词 diamond films plasma processing chemical vapor deposition SEMICONDUCTORS
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Synthesis and Growth Process: A Tetrapod-Like ZnO Nanostructure
10
作者 皮振邦 苏小路 +3 位作者 田甜 裴芳 杨超 田熙科 《Journal of China University of Geosciences》 SCIE CSCD 2007年第2期148-152,共5页
Three kinds of tetrapod-like ZnO nanostructures have been synthesized simultaneously via pure Zn chemical vapor deposition on silicon wafers with (111) orientation (Si (111)) at 920 ℃. X-ray diffraction indicat... Three kinds of tetrapod-like ZnO nanostructures have been synthesized simultaneously via pure Zn chemical vapor deposition on silicon wafers with (111) orientation (Si (111)) at 920 ℃. X-ray diffraction indicates that the nanotetrapods are of wurtzite structure. The morphology and the microstructure of the nanotetrapods are investigated by the scanning electron microscopy. Selected area electron diffraction shows the growth direction, and energy dispersive X-ray spectroscopy reveals the atomic composition ratio of Zn/O. The growth process is briefly discussed. The optical property of the products was also recorded by means of photoluminescence spectroscopy. 展开更多
关键词 tetrapod-like ZnO chemical vapor deposition growth process
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雾化辅助CVD腔体的优化设计与实现
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作者 樊俊良 肖黎 +4 位作者 罗月婷 陈刚 瞿小林 唐毅 龚恒翔 《工程设计学报》 CSCD 北大核心 2023年第2期182-188,共7页
为了实现雾化辅助CVD(chemical vapor deposition,化学气相沉积)腔体的可定制性、可复用性及经济性,并满足高质量单晶氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜制备的实际需求,设计开发了一种新型雾化辅助CVD腔体。该腔体主要由反应腔室模块、冷却模块... 为了实现雾化辅助CVD(chemical vapor deposition,化学气相沉积)腔体的可定制性、可复用性及经济性,并满足高质量单晶氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜制备的实际需求,设计开发了一种新型雾化辅助CVD腔体。该腔体主要由反应腔室模块、冷却模块和缓冲腔室模块组成。采用新型腔体和常规腔体进行了单晶Ga_(2)O_(3)薄膜制备实验,对Ga_(2)O_(3)薄膜进行了X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)图谱分析,并采用原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)观察其表面形貌。实验结果表明:采用新型腔体可制备出性能更优的α-Ga_(2)O_(3)、β-Ga_(2)O_(3)薄膜;采用新型腔体和常规腔体制备的α-Ga_(2)O_(3)薄膜的(006)晶面的半峰宽分别为0.172°、0.272°,表面粗糙度分别为25.6 nm和26.8 nm,可见采用新型腔体制备的α-Ga_(2)O_(3)具有更优的结晶度、表面平整性和致密度。通过新型腔体的设计,构建了更有利于单晶Ga_(2)O_(3)薄膜生长的稳定环境,为Ga_(2)O_(3)薄膜制备工艺的优化提供了可靠路径。研究结果为制备高品质金属氧化物半导体薄膜提供了参考。 展开更多
关键词 雾化辅助化学气相沉积 新型腔体 单晶Ga_(2)O_(3)薄膜 工艺优化
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化学气相沉积法制取异型钨制品研究 被引量:26
12
作者 马捷 张好东 +2 位作者 毕安园 王从曾 周美玲 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期315-319,共5页
采用化学气相沉积的方法,以WF6和H2为原料,通过气相反应成功地沉积出多种异型致密钨制品.实验结果表明:沉积层显微组织呈柱晶沿(200)晶面择向生长,具有高纯度(〉99.8%),高致密度(〉19.2 g/cm^3),沉积速度可达2~3 mm/h. 采用化... 采用化学气相沉积的方法,以WF6和H2为原料,通过气相反应成功地沉积出多种异型致密钨制品.实验结果表明:沉积层显微组织呈柱晶沿(200)晶面择向生长,具有高纯度(〉99.8%),高致密度(〉19.2 g/cm^3),沉积速度可达2~3 mm/h. 采用化学气相沉积法制备钨制品,设备简单,工艺稳定可靠,且制品质量较高,特别适合于异型制品的制备,是一种具有广泛应用前景的钨制品制备方法. 展开更多
关键词 材料合成与加工工艺 化学气相沉积 工艺
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CVD SiC致密表面涂层制备及表征 被引量:14
13
作者 刘荣军 张长瑞 +2 位作者 周新贵 曹英斌 刘晓阳 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期3-6,共4页
考察了沉积温度、稀释气体流量对化学气相沉积(CVD)SiC涂层的显微结构及晶体结构的影响,分析得出:沉积温度为1100℃,稀释气体Ar流量<400mL/min时,制备的SiC涂层晶体结构完整、致密。在该制备工艺条件下沉积的SiC涂层密度为3.204g/cm3... 考察了沉积温度、稀释气体流量对化学气相沉积(CVD)SiC涂层的显微结构及晶体结构的影响,分析得出:沉积温度为1100℃,稀释气体Ar流量<400mL/min时,制备的SiC涂层晶体结构完整、致密。在该制备工艺条件下沉积的SiC涂层密度为3.204g/cm3,显微硬度为HV4459.2,弹性模量为471GPa,涂层具有优异的光学加工性能,光学加工后表面粗糙度为0.429nm,能满足光学应用的要求。 展开更多
关键词 化学气相沉积 SIC涂层 制备工艺 性能表征
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天然石墨球-热解炭核壳结构的制备及电化学性能研究(英文) 被引量:29
14
作者 刘树和 英哲 +4 位作者 王作明 李峰 白朔 闻雷 成会明 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期30-36,共7页
通过化学气相沉积的方法,以乙炔为碳源,天然石墨球为原料,采用不同流化床CVD工艺和不同的反应时间,制备出具有光滑表面或颗粒状热解炭包覆层的核-壳构型改性天然石墨球。改性天然石墨球的核体是具有高度有序石墨结构的天然石墨,而壳体... 通过化学气相沉积的方法,以乙炔为碳源,天然石墨球为原料,采用不同流化床CVD工艺和不同的反应时间,制备出具有光滑表面或颗粒状热解炭包覆层的核-壳构型改性天然石墨球。改性天然石墨球的核体是具有高度有序石墨结构的天然石墨,而壳体是无序结构的热解炭。与天然石墨球相比,具有核-壳结构的改性天然石墨球的首次库仑效率和循环性能都得到显著改善。尤其是具有颗粒状热解炭包覆层的改性石墨具有优异的循环性能,在41次循环后其放电容量仍为首次容量的84%,这一改善归因于表面沉积的颗粒状热解炭有效地降低了改性天然石墨颗粒之间的接触电阻和增加了接触面积。 展开更多
关键词 流化床化学气相沉积 核-壳结构 热解炭 改性天然石墨 锂离子二次电池
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碳化硅纤维制备技术研究进展 被引量:22
15
作者 薛金根 龙剑峰 +1 位作者 宋永才 冯春祥 《合成纤维工业》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期41-44,共4页
综述了工业化制备碳化硅 (Si C)纤维技术的研究进展 ,并对化学气相沉积 (CV D)法、先驱体转化法和活性炭纤维 (A CF )转化法这三种碳化硅纤维制备方法的原理、生产工艺路线和各自的优缺点作了系统的评述。认为 CV D法已被淘汰 ,先驱体... 综述了工业化制备碳化硅 (Si C)纤维技术的研究进展 ,并对化学气相沉积 (CV D)法、先驱体转化法和活性炭纤维 (A CF )转化法这三种碳化硅纤维制备方法的原理、生产工艺路线和各自的优缺点作了系统的评述。认为 CV D法已被淘汰 ,先驱体转化法是目前 Si C纤维制备研究的方向 ,A CF法是实现Si 展开更多
关键词 碳化硅纤维 制备气相沉积 先驱体 原理 工艺 研究进展
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流化床-化学气相沉积技术的应用及研究进展 被引量:19
16
作者 刘荣正 刘马林 +1 位作者 邵友林 刘兵 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1263-1272,共10页
流化床-化学气相沉积(FB-CVD)技术是一种多学科交叉的材料制备技术,兼有流化床传热传质性能良好以及化学气相沉积均匀、产物单一等优点,在工业生产中有着广泛的应用,但因其属于交叉学科,散见于各种研究,没有进行专门的进展评述。本文拟... 流化床-化学气相沉积(FB-CVD)技术是一种多学科交叉的材料制备技术,兼有流化床传热传质性能良好以及化学气相沉积均匀、产物单一等优点,在工业生产中有着广泛的应用,但因其属于交叉学科,散见于各种研究,没有进行专门的进展评述。本文拟对FB-CVD的工业应用进行专题综述,分析其发展和研究趋势。首先探讨了FB-CVD的基本原理,分别综述了其在颗粒包覆、一维纳米材料、多晶硅制备、颗粒表面改性及粉体制备等方面的应用,介绍了FB-CVD的过程模拟及反应器结构优化方面的研究进展。通过以上讨论,梳理了FB-CVD研究的科学内涵。可以看出,该过程具有明显的多尺度特征,即材料制备的微观层次、颗粒流化均匀性的介观层次以及反应器结构设计的宏观尺度。总结得出:FB-CVD技术的未来发展取决于3个尺度的耦合分析,其研究重点也应关注尺度间的相互影响效应,如材料制备的均相成核、非均相成核和颗粒流化及运动规律的相互耦合等。 展开更多
关键词 流化床-化学气相沉积 材料制备 过程分析 多尺度耦合
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甲烷浓度对金刚石薄膜质量的影响 被引量:9
17
作者 史新伟 安子凤 +3 位作者 张水 宋开兰 姚宁 王新昌 《真空》 CAS 北大核心 2011年第5期64-67,共4页
纳米金刚石薄膜具有优异的性能,已在多个领域获得广泛应用。但微波等离子体化学气相沉积制备的金刚石薄膜质量却严重受沉积工艺的影响,为了深入了解沉积工艺对制备的金刚石薄膜质量的影响,本文详细研究了甲烷浓度对微波等离子体化学气... 纳米金刚石薄膜具有优异的性能,已在多个领域获得广泛应用。但微波等离子体化学气相沉积制备的金刚石薄膜质量却严重受沉积工艺的影响,为了深入了解沉积工艺对制备的金刚石薄膜质量的影响,本文详细研究了甲烷浓度对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)金刚石薄膜质量的影响,利用扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱以及原子力显微镜对其进行结构表征,分析了甲烷浓度对所制备的金刚石薄膜质量的影响规律。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 化学气相沉积 沉积工艺
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化学气相沉积六方氮化硼涂层的制备及应用 被引量:4
18
作者 高世涛 李斌 +3 位作者 李端 张长瑞 刘荣军 王思青 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1929-1935,1950,共8页
六方氮化硼(h-BN)涂层是一种性能优异的功能陶瓷材料,介绍了化学气相沉积(CVD)六方氮化硼涂层的制备工艺,综述了h-BN涂层的优异性能和应用现状,并对其研究发展趋势进行了展望。认为先驱体性能存在缺陷、沉积机理复杂、工艺可控性差、生... 六方氮化硼(h-BN)涂层是一种性能优异的功能陶瓷材料,介绍了化学气相沉积(CVD)六方氮化硼涂层的制备工艺,综述了h-BN涂层的优异性能和应用现状,并对其研究发展趋势进行了展望。认为先驱体性能存在缺陷、沉积机理复杂、工艺可控性差、生产成本高是目前CVD制备h-BN涂层存在的主要工艺问题,指出今后还需在新型先驱体的研发和使用、沉积机理的深入探究、工艺优化和放大等方面开展深入研究,以实现h-BN涂层的大规模工业化生产和应用。 展开更多
关键词 化学气相沉积 六方氮化硼 涂层 工艺 应用
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聚对苯撑二甲基系列涂层的制备及其应用进展 被引量:13
19
作者 浦鸿汀 孙霞容 《高分子通报》 CAS CSCD 2004年第2期78-84,共7页
介绍了聚对苯撑二甲基系列涂层的制备方法和成膜机理 ,讨论了化学气相沉积聚合的主要特点 ,阐明了Parylene膜的结构与性能的关系以及几种常用Parylene膜的性能特点 。
关键词 聚对苯撑二甲基系列涂层 制备 成膜机理 化学气相沉积 性能 派拉林 印刷线路板 混合电路 阻挡层 高分子材料
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衬底温度对电子辅助增强化学气相沉积金刚石膜的影响 被引量:4
20
作者 王志军 李红莲 +2 位作者 董丽芳 李盼来 尚勇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期76-82,共7页
本工作采用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,对以CH4/H2为源气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石薄膜的气相动力学过程进行了模拟。提出了衬底温度的空间梯度变化模型,研究了衬底温度对EACVD气相过程中的电子群行为以及H2和CH4分解过程... 本工作采用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,对以CH4/H2为源气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石薄膜的气相动力学过程进行了模拟。提出了衬底温度的空间梯度变化模型,研究了衬底温度对EACVD气相过程中的电子群行为以及H2和CH4分解过程的影响。结果表明:电子平均温度随着衬底温度的升高而升高;当气压较低时,分解得到的成膜关键粒子H、CH3数量随衬底温度的增大而减少;而当气压较高时,H、CH3数目随衬底温度的增大而增大;衬底温度主要改变了衬底表面附近的化学反应动力学过程,从而对薄膜质量产生了决定性的影响。 展开更多
关键词 蒙特卡罗模拟 化学气相沉积 气相过程 衬底温度
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