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C波段高增益低噪声放大器单片电路设计 被引量:4
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作者 刘志军 高学邦 吴洪江 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第7期437-440,445,共5页
主要介绍了C波段高增益低噪声单片放大器的设计方法和电路研制结果。电路设计基于Agilent ADS微波设计环境,采用GaAs PHEMT工艺技术实现。为了消除C波段低噪声放大器设计中在低频端产生的振荡,提出了在第三级PHEMT管的栅极和地之间放置... 主要介绍了C波段高增益低噪声单片放大器的设计方法和电路研制结果。电路设计基于Agilent ADS微波设计环境,采用GaAs PHEMT工艺技术实现。为了消除C波段低噪声放大器设计中在低频端产生的振荡,提出了在第三级PHEMT管的栅极和地之间放置RLC并联再串联电阻吸收网络的方法,降低了带外低频端的高增益,从而消除了多级级联低噪声放大器电路中由于低频端增益过高产生的振荡。通过电路设计与版图电磁验证相结合的方法,使本产品一次设计成功。本单片采用三级放大,工作频率为5~6GHz,噪声系数小于1.15dB,增益大于40dB,输入输出驻波比小于1.4∶1,增益平坦度ΔGp≤±0.2dB,1dB压缩点P-1≥10dBm,直流电流小于90mA。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 c波段 低噪声放大器 微波单片集成电路 电磁仿真
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C波段高效率高线性GaN MMIC功率放大器 被引量:3
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作者 乔明昌 张志国 王衡 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期124-128,共5页
基于SiC衬底0.25μm GaN HEMT工艺,设计实现了一款C波段、高效率和高线性的单片微波集成电路(MMIC)功率放大器。通过优化电路匹配结构,选择合适的有源器件和恰当的直流偏置条件,实现低视频漏极阻抗;利用后级增益压缩和前级增益扩张对消... 基于SiC衬底0.25μm GaN HEMT工艺,设计实现了一款C波段、高效率和高线性的单片微波集成电路(MMIC)功率放大器。通过优化电路匹配结构,选择合适的有源器件和恰当的直流偏置条件,实现低视频漏极阻抗;利用后级增益压缩和前级增益扩张对消等手段,实现高功率附加效率和好的线性指标。功率放大器芯片尺寸为2.35 mm×1.40 mm。芯片测试结果表明,在3.7~4.2 GHz频率范围内,漏极电压28 V、末级栅极电压-2.2 V、前级栅极电压-1.8 V和连续波条件下,该功率放大器的小信号增益大于25 dB,大信号增益大于20 dB,饱和输出功率大于39 dBm,在输出功率回退至32 dBm时,功率附加效率大于30%,三阶交调失真小于-37 dBc。 展开更多
关键词 c波段 GaN HEMT 功率附加效率(PAE) 线性 单片微波集成电路(MMIc)
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C波段75W GaN HEMT高效率功率放大器MMIC 被引量:1
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作者 杨常林 余旭明 +1 位作者 陶洪琪 徐波 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第3期164-168,190,共6页
报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段75 W高效率功率放大器MMIC。为提高功率增益,芯片的整体拓扑结构设计为三级。在末级输出匹配电路上设计了一个高效电抗式匹配拓扑,在末级管芯输入匹配电路上运用了谐波控制技术,同时利用GaN H... 报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段75 W高效率功率放大器MMIC。为提高功率增益,芯片的整体拓扑结构设计为三级。在末级输出匹配电路上设计了一个高效电抗式匹配拓扑,在末级管芯输入匹配电路上运用了谐波控制技术,同时利用GaN HEMT器件大信号模型来优化驱动比,通过这三种技术途径有效提高了芯片的附加效率。为扩展工作带宽及提高稳定性,其他匹配电路采用有耗匹配方式。在漏压28 V、脉宽100μs、占空比10%的工作条件下,芯片在4.8~6.0 GHz频带范围内,典型输出功率达到75 W(最高81 W),增益大于25.5dB,附加效率大于51%(最高55%),芯片面积为3.8 mm×5.5 mm。 展开更多
关键词 GaN功率放大器 单片微波集成电路 c波段 大功率 高效率
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利用ADS设计仿真C波段T/R组件
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作者 倪赫男 顾颖言 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2015年第10期60-64,共5页
T/R组件是有源相控阵雷达的核心部件。对于星载、机载、艇载等平台,如何设计出轻小型化、高可靠性、适于批量生产的T/R组件十分重要。在设计初期引入Agilent公司的ADS仿真软件可以有效缩短开发周期,提高设计效率。文中运用ADS进行一款C... T/R组件是有源相控阵雷达的核心部件。对于星载、机载、艇载等平台,如何设计出轻小型化、高可靠性、适于批量生产的T/R组件十分重要。在设计初期引入Agilent公司的ADS仿真软件可以有效缩短开发周期,提高设计效率。文中运用ADS进行一款C波段轻小型化T/R组件的设计与仿真,采用了多种单片微波集成电路芯片来实现各模块功能,对于设计过程中出现的放大器自激问题进行了探讨并提出解决办法,在C波段实现发射与接收功能,仿真结果符合设计要求。 展开更多
关键词 c波段 T/R组件 ADS仿真软件 单片微波集成电路 放大器自激
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串行EEPROM在单片机系统中的应用 被引量:2
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作者 侯立功 《无锡职业技术学院学报》 2007年第2期32-34,共3页
该文介绍了常用的24Cxx系列串行EEPROM在MCS-51单片机系统中的应用编程方法,包含了I2C总线基本概念、24Cxx系列串行EEPROM的操作方法,内容精练实用,作为职业院校单片机应用教学内容的补充,对于激发学生的学习兴趣、拓展思维、贴近市场... 该文介绍了常用的24Cxx系列串行EEPROM在MCS-51单片机系统中的应用编程方法,包含了I2C总线基本概念、24Cxx系列串行EEPROM的操作方法,内容精练实用,作为职业院校单片机应用教学内容的补充,对于激发学生的学习兴趣、拓展思维、贴近市场需求具有一定的实用意义。 展开更多
关键词 I^2c 总线 串行EEPROM 24cxx McS-51单片机
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单片机在温度数据测试系统中的应用 被引量:1
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作者 王晓萍 《机械制造与自动化》 2009年第1期153-153,156,共2页
重点介绍由MCS-51单片机控制的温度测试系统的硬件结构,并在此基础上进行了软件设计。系统采用上位机和下位机组成的主从式结构,上位机采用组态软件,配合下位机的开发工作,下位机以MCS-51单片机为代表。
关键词 McS-51单片机 数据采集 温度测试 A/D转换
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C波段6bit GaAs MMIC数控移相器的设计
7
作者 高显 戴剑 傅琦 《通信电源技术》 2023年第6期44-46,50,共4页
基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计并制备了一款C波段GaAs微波单片集成电路(Millimeter Microwave Integrated Circuit,MMIC)6位数控移相器。在片测试结果表明:移相器在4~8 GHz频段内,插入损耗≤8 dB,移相均方根误差≤5.8°,输入、... 基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计并制备了一款C波段GaAs微波单片集成电路(Millimeter Microwave Integrated Circuit,MMIC)6位数控移相器。在片测试结果表明:移相器在4~8 GHz频段内,插入损耗≤8 dB,移相均方根误差≤5.8°,输入、输出回波损耗≥10 dB。芯片尺寸为4.40 mm×1.60 mm×0.07 mm。 展开更多
关键词 GaAs c波段 微波单片集成电路(MMIc) 数控移相器
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数电实验常用芯片检测指示仪简析 被引量:2
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作者 孙航 李耀 马利业 《山西科技》 2010年第4期42-43,共2页
数字芯片特别是74系列逻辑芯片在学生实验中更是至关重要,实验中要保证实验的效果,必须要求所用的芯片逻辑功能完整,但如果对所用芯片的各个管脚进行逐一测试,就显得十分繁琐。另外,在数字电路的维护和维修中也经常要对芯片的好坏进行... 数字芯片特别是74系列逻辑芯片在学生实验中更是至关重要,实验中要保证实验的效果,必须要求所用的芯片逻辑功能完整,但如果对所用芯片的各个管脚进行逐一测试,就显得十分繁琐。另外,在数字电路的维护和维修中也经常要对芯片的好坏进行检测。针对上述需要,设计了以89C52单片机为控制核心并针对74系列逻辑芯片将传统检测算法进行优化后的简单可行的芯片检测指示仪。 展开更多
关键词 数字电子技术 51单片机 芯片检测
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基于单片机的温度测控系统 被引量:1
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作者 范敏 余红英 +1 位作者 孙甲凯 何昌东 《山西电子技术》 2014年第1期10-11,共2页
本次设计的温度测控系统采用MCS-51系列单片机中的STC89C58作为微处理器,使用集成温度传感器AD-590采集温度信息,光电耦合双向晶闸管为驱动电路,可精确地采集环境温度信息,稳定性高,抗干扰性强。接受信息后处理器可快速地作出反应,导通... 本次设计的温度测控系统采用MCS-51系列单片机中的STC89C58作为微处理器,使用集成温度传感器AD-590采集温度信息,光电耦合双向晶闸管为驱动电路,可精确地采集环境温度信息,稳定性高,抗干扰性强。接受信息后处理器可快速地作出反应,导通驱动电路,实现温度调节。本文从硬件和软件两方面介绍了MCS-51单片机温度控制系统的设计思路,对硬件原理图和程序框图作了简捷的描述。 展开更多
关键词 McS-51单片机 温度检测 温度控制 温度传感器
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