纳米MOSFET的多栅结构和应变硅纳米线结构

介绍了在进入22nm技术节点后MOSFET器件的两个发展方向,即多栅结构和应变硅纳米线结构。首先通过分析特征长度与有效栅极数量的关系,表明多栅结构器件可以有效增强栅极对沟道的控制,抑制短沟道效应,接近理想的亚阈值斜率;然后分析了应变对能带结构的影响,从理论上论述了应变沟道可以显著提高载流子迁移率;最后介绍了悬浮硅纳米线通过热氧化诱导形成应变沟道的方法,并对应力来源进行了分析。纳米结构CMOS晶体管由平面沟道结构向立体沟道结构转变,将成为器件未来主流的发展方向。

一种应用于低功耗电路设计的NCFET器件设计导向

为了能够持续缩小MOSFET的工作电压,增加集成电路设计的灵活性,我们提出了一种铁电-金属-绝缘层-半导体-绝缘层(FMISI)结构的负电容独立栅FinFET(NC-IMG-FinFET)。给出了NC-IMG-FinFET器件及其反相器的分析模型,用于分析器件的性能参数(阈值电压,亚阈值摆幅,导通电流和漏电流)及简单电路的性能指标(延时,功耗和功耗延时积)。结合独立栅的BSIM模型和铁电的Landau-Khalatnikov模型,构造出用于仿真验证的NC-IMG-FinFET的SPICE模型。基于对器件和电路的仿真,优化了铁电参数。仿真结果与理论分析结果一致,表明了NC-IMG-FinFET相比于基准器件更加卓越的性能:NC-IMG-FinFET在更低的工作电压下实现了更小的漏电流,更大的开关电流比,同时亚阈值摆幅突破了60mV/dec的限制;NC-IMG-FinFET电路的功耗和功耗延时积也得到了很大的改进。

用于手机砷化镓MMIC射频开关的研制

报道一种用于手机的高功率、低插损砷化镓 MMIC射频开关。该产品在 870～ 970 MHz下 ,线性功率容量 >3 3 d Bm,插入损耗 (IL) <0 .6d B,隔离度 (Iso)≥ 1 7d B,反向三阶交调 (PT0 1 )≥ 70 d Bm,控制电压 :(0 ,-4) V。