PIN结构发光二极管反向击穿特性分析

通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管(LED)反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性。通过利用LP-MOCVD技术生长了不同厚度多量子阱(MQW)有源区AlGaInP LED,测量了器件的反向击穿特征,测试结果与理论分析非常吻合。同时获得了AlGaInPMQW结构的临界反向击穿电场强度数值。这些结果可以作为具有PIN结构的LED性能优化的重要参考。