多双曲正切法则在高线性度CMOS混频器设计中的分析与应用

研究了CMOS电路中多双曲正切法则的应用对线性度产生的影响。分析并推导了两种非平衡差分对结构的差分输出电流和等效跨导的公式。给出了电路线性度最优时,多补偿偏置结构的补偿偏置电压VK的表达式。基于理论分析结果,设计了一个应用多双曲正切法则的CMOS吉尔伯特混频器电路。流片采用UMC0.18μmRF-CMOS工艺,经过测量,所得到的参数与理论分析及仿真值吻合,证明了理论分析的可行性。