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Cl/GaAs(111)表面近边X射线吸收精细结构的多重散射研究 被引量:1
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作者 沈少来 唐景昌 +1 位作者 曹松 汪雷 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1054-1058,共5页
利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)。阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源。根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0... 利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)。阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源。根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0.005)nm。这个结果在0.005nm的误差范围内将广延X射线吸收精细结构(EXFAS)实验谱的Fourier变换结果(0.217nm)和Slab模型计算的结果(0.208nm)合理地联系起来。此外,MSC计算求得衬底表面层Ga-As键长为(0.235±0.005)nm,证实Cl吸附引起GaAs(111)表面驰豫。 展开更多
关键词 近边X射线吸收精细结构 CI/GaAs(111) 吸附表面 多重散射团簇方法 砷化镓 半导体
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CO在NiO(100)面上吸附的近边X射线吸收精细结构理论分析
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作者 庄飞 程成 +2 位作者 汪雷 何江平 唐景昌 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 2001年第1期35-41,共7页
用多重散射团簇 (MSC)理论对 CO在 Ni O(10 0 )面吸附的碳 1s近边 X射线吸收精细结构(NEXAFS)实验谱进行了定量分析 ,研究了该系统可能出现的吸附模型 .MSC方法分析表明 CO是以 C原子朝下 ,吸附在衬底的 Ni- O键桥上 ,R- factor(可靠性... 用多重散射团簇 (MSC)理论对 CO在 Ni O(10 0 )面吸附的碳 1s近边 X射线吸收精细结构(NEXAFS)实验谱进行了定量分析 ,研究了该系统可能出现的吸附模型 .MSC方法分析表明 CO是以 C原子朝下 ,吸附在衬底的 Ni- O键桥上 ,R- factor(可靠性因子 )计算显示 C原子的吸附位置距 Ni原子0 .0 9nm,CO分子中 C原子距衬底的吸附高度为 0 .31± 0 .0 1nm.本文讨论了在 Ni O表面吸附的 CO分子σ键的物理本质 .与 CO在过渡金属 Ni,Cu等表面吸附不同 ,σ共振对于 展开更多
关键词 近边X射线吸收精细结构 多重散射团簇理论 可靠性因子 一氧化碳 氧化镍 表面吸附 半导体表面结构
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SiH_4凝聚态结构的近边X射线吸收精细结构研究
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作者 何江平 唐景昌 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 2001年第6期630-634,共5页
用多重散射团簇方法对低温下凝聚态 Si H4 进行了 Si的 1s NEXAFS理论研究 ,对不同的模型研究表明 ,此时凝聚相 Si H4 形成链状结构 .
关键词 近边X射线吸收精细结构 多重散射团簇方法 凝聚态
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