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AlN/Cu钎焊接头残余应力的数值模拟研究
1
作者 闾川阳 李科桥 +4 位作者 盛剑翔 顾小龙 石磊 杨建国 贺艳明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第16期185-193,共9页
氮化铝(AlN)陶瓷可用于高压大功率绝缘栅双极型功率管(IGBT)的封装,并以表面覆铜(Cu)的方式实现散热功能。但AlN和Cu存在巨大的物性差异,易在连接中残留较大的残余应力。针对AlN/Cu钎焊接头的残余应力进行有限元数值模拟研究,探究压力... 氮化铝(AlN)陶瓷可用于高压大功率绝缘栅双极型功率管(IGBT)的封装,并以表面覆铜(Cu)的方式实现散热功能。但AlN和Cu存在巨大的物性差异,易在连接中残留较大的残余应力。针对AlN/Cu钎焊接头的残余应力进行有限元数值模拟研究,探究压力载荷、冷却速度以及钎料厚度对接头残余应力的影响规律。结果表明,在所研究的范围内,AlN/Cu钎焊接头中最大轴向应力均出现在AlN陶瓷棱边靠近钎料金属层处,最大剪切应力则出现在靠近外侧边的AlN陶瓷与钎料金属层界面处。压力载荷降低、冷却速度加快和钎料层厚度增加均会增大最大轴向应力和剪切应力,但应力分布较为一致。本研究可为大功率IGBT覆Cu AlN陶瓷基板的高可靠性封装提供理论指导。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型功率管(IGBT) aln/cu接头 钎焊 数值模拟 残余应力
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大尺寸AlN活性金属焊接覆铜基板的界面结合机理 被引量:1
2
作者 许海仙 曾祥勇 +3 位作者 朱家旭 周泽安 张振文 汤文明 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第5期573-577,584,共6页
基于190 mm×139 mm×0.635 mm的大尺寸AlN表面活性金属钎焊(AMB)覆铜板工艺制程,开展其界面显微组织、物相组成等的研究,确定钎焊界面结合机理,为制备大尺寸、低气孔、高剥离强度AlN-AMB覆铜板提供支持。结果表明,在大尺寸AlN-... 基于190 mm×139 mm×0.635 mm的大尺寸AlN表面活性金属钎焊(AMB)覆铜板工艺制程,开展其界面显微组织、物相组成等的研究,确定钎焊界面结合机理,为制备大尺寸、低气孔、高剥离强度AlN-AMB覆铜板提供支持。结果表明,在大尺寸AlN-AMB覆铜板钎焊过程中,Ag-Cu-Ti合金钎料中的Ag-Cu合金与Cu箔扩散溶合,形成强的冶金结合界面。同时,钎料中的活性Ti原子向AlN基板表面扩散,并与其反应,生成厚度为0.5~1μm的TiN反应层,形成强的反应结合界面。此外,钎料熔体难以填充基板的AlN晶界和凹坑,其中的Ti原子也不与Y-Al-O第二相颗粒反应,导致AlN基板表面TiN反应层不连续分布,形成气孔,降低大尺寸AlN-AMB覆铜板的界面结合强度及可靠性。 展开更多
关键词 氮化铝基板 活性金属钎焊 显微结构 相组成 AG-cu-TI钎料
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AlN覆钨对AlN/W-Cu复合材料组织和性能的影响 被引量:1
3
作者 喻新喜 周锐 +3 位作者 杨光 魏邦争 陈鹏起 程继贵 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期1120-1128,共9页
采用溶胶凝胶法对AlN粉体进行表面覆W后,将其与适量W粉混合,经压制、预烧结,制得多孔AlN/W骨架,再熔渗Cu后制备出不同AlN含量(0~8%)的AlN/W-Cu复合材料。考察了AlN含量对于烧结体微观组织、力学性能和热学性能的影响,并与由未覆钨AlN粉... 采用溶胶凝胶法对AlN粉体进行表面覆W后,将其与适量W粉混合,经压制、预烧结,制得多孔AlN/W骨架,再熔渗Cu后制备出不同AlN含量(0~8%)的AlN/W-Cu复合材料。考察了AlN含量对于烧结体微观组织、力学性能和热学性能的影响,并与由未覆钨AlN粉体制备的AlN/W-Cu复合材料进行对比。结果表明,采用溶胶凝胶法可在AlN颗粒表面均匀制备覆W层,其界面结合良好。覆钨AlN/W-Cu复合材料的相对密度、硬度、抗拉强度以及热导率均优于未覆钨AlN/W-Cu复合材料的。AlN/W-Cu复合材料的相对密度、抗拉强度及热导率随AlN含量的增加而降低,而硬度随AlN含量的增加而上升。当AlN含量为2%时,覆钨AlN/W-Cu复合材料的综合性能最佳,相对密度达到97.69%,显微硬度达到277HV,热导率达到205.54 W/(m·K)。 展开更多
关键词 aln/W-cu复合材料 覆钨aln粉体 溶胶凝胶法 熔渗法 热导率
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Nitrification of Reactively Magnetron Sputter Deposited Ti-Cu Nano-Composite Thin Films
4
作者 Ali Rahmati 《Soft Nanoscience Letters》 2013年第1期14-21,共8页
A metalloid Ti13Cu87 target was sputtered by reactive DC magnetron sputtering at various substrate temperatures in an Ar-N2 mixture ambient. The sputtered species were condensed on Si (111), glass slide and Potsssium ... A metalloid Ti13Cu87 target was sputtered by reactive DC magnetron sputtering at various substrate temperatures in an Ar-N2 mixture ambient. The sputtered species were condensed on Si (111), glass slide and Potsssium bromide (KBr) substrates. The as-deposited films were characterized by X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy, Scanning electron microscope (SEM), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX), optical spectrophotometry and four point probe technique. The as-deposited films present composite structure of nano-crystallite cubic anti-ReO3 structure of Ti inserted Cu3N (Ti:Cu3N) and nano-crystallite face centre cubic (fcc) structure of Cu. The titanium atoms and sequential nitrogen excess form a solid solution within the Cu3N crystal structure and accommodate in crystal lattice and vacant interstitial site, respectively. Depending on substrate temperature, unreacted N atoms interdiffuse between crystallites and their (and grain) boundaries. The films have agglomerated structure with atomic Ti:Cu ratio less than that of the original targets. A theoretical model has been developed, based on sputtering yield, to predict the atomic Ti:Cu ratio for the as-deposited films. Film thickness, refractive index and extinction coefficient are extracted from the measured transmittance spectra. The films’ resistivity is strongly depending on its microstructural features and substrate temperature. 展开更多
关键词 nano-composite Reactive MAGNETRON Sputtering TI Inserted cu3N INTERSTITIAL N EXCESS
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磁控溅射AlN/Cu纳米复合涂层的性能研究 被引量:3
5
作者 郭军 张晓娟 +2 位作者 李朋 黄峰 刘翔 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1002-1006,共5页
采用双靶反应磁控溅射方法制备了Cu含量不同的AlN/Cu纳米复合涂层。采用X射线衍射(XRD)、纳米压痕、X射线光电子能谱(XPS)等方法观察和分析了涂层的结构、力学性能以及内部化学结合状态。XRD结果表明所有涂层中的AlN均为(002)择优取向... 采用双靶反应磁控溅射方法制备了Cu含量不同的AlN/Cu纳米复合涂层。采用X射线衍射(XRD)、纳米压痕、X射线光电子能谱(XPS)等方法观察和分析了涂层的结构、力学性能以及内部化学结合状态。XRD结果表明所有涂层中的AlN均为(002)择优取向的六方纤锌矿结构,Cu含量≥4.7%原子比涂层中可以观察到Cu(111)峰的存在。纳米压痕结果表明:Cu含量的多少影响涂层的力学性能,如硬度H、弹性模量E。Cu含量为17.0%时,H=27.3 GPa、E=264.9 GPa,H/E=0.103;随着压入深度从80 nm增加至250 nm,弹性回复值从78.2%降至67.9%。XPS分析表明:对于17.0%Cu含量的涂层而言,电子结合能位于73.5,932.3和933.4 eV处的峰分别对应着Al-N键、Cu-Cu键和Cu-Al键。Cu-Al键的存在说明AlN相与Cu相在两相界面处存在一定的相互化学作用。 展开更多
关键词 aln cu纳米复合涂层 反应磁控溅射 力学性能 弹性回复 X射线光电子能谱
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AlN颗粒增强Cu基复合材料内氧化的研究 被引量:11
6
作者 田素贵 张禄廷 +3 位作者 王桂华 乔瑞庆 金寿日 李铁藩 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期25-28,共4页
对预置 Al N微粒铜基复合材料内氧化前后进行了组织形貌观察和性能测试 ,结果表明 :在高纯氮气体介质中可实现预置微粒 Cu基复合材料的内氧化 ,内氧化物在弥散分布的原预置微粒处形核、长大 ,充满于整个复合材料之中 ;复合材料抗压强度... 对预置 Al N微粒铜基复合材料内氧化前后进行了组织形貌观察和性能测试 ,结果表明 :在高纯氮气体介质中可实现预置微粒 Cu基复合材料的内氧化 ,内氧化物在弥散分布的原预置微粒处形核、长大 ,充满于整个复合材料之中 ;复合材料抗压强度的提高来自于晶粒细化和第二相弥散强化的共同作用 ;内氧化使复合材料致密化程度提高 ,并增加了粒子与基体之间界面的结合强度 ,是改善耐磨性的主要原因。 展开更多
关键词 颗粒增强铜基复合材料 粉末冶金 内氧化 氮化铝
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Cu/Al_2O_3与Cu/AlN复合陶瓷基板材料制备研究 被引量:2
7
作者 谢建军 王亚黎 +6 位作者 施誉挺 李德善 丁毛毛 翟甜蕾 章蕾 吴志豪 施鹰 《陶瓷》 CAS 2015年第11期31-35,共5页
利用直接敷铜(DBC)技术制备了Cu/Al2O3、Cu/AlN复合陶瓷基板材料。通过机械剥离机和场发射扫描电子显微镜分析了Cu/Al2O3、Cu/AlN复合陶瓷基板材料的结合力、界面微观形貌与元素分布。结果表明,在Cu箔能与Al2O3基板直接结合,而AlN组需... 利用直接敷铜(DBC)技术制备了Cu/Al2O3、Cu/AlN复合陶瓷基板材料。通过机械剥离机和场发射扫描电子显微镜分析了Cu/Al2O3、Cu/AlN复合陶瓷基板材料的结合力、界面微观形貌与元素分布。结果表明,在Cu箔能与Al2O3基板直接结合,而AlN组需要预氧化然后才能与Cu箔紧密结合,Cu箔与Al2O3、预氧化AlN基板间的结合力均超过8N/mm。通过EDS能谱分析,在Cu箔与预氧化AlN基板间出现组分主要为Al2O3和CuAlO2的过渡层。 展开更多
关键词 直接敷铜 cu/Al2O3 cu/aln 界面结合力 界面微观形貌
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电沉积Cu-纳米AlN复合涂层的耐腐蚀性研究 被引量:4
8
作者 李鹏 黄新民 +1 位作者 郑华明 何素真 《金属功能材料》 CAS 2010年第4期38-40,共3页
利用复合电镀方法制备Cu-纳米AlN复合涂层。利用金相显微镜和SEM观察,结果显示镀层表面形成了厚度为40μm左右的均匀复合镀层,XRD测试表明该合金镀层为Cu和AlN,采用浸泡腐蚀失重法和测定极化曲线比较了纯铜镀层和复合镀层的耐腐蚀性能,... 利用复合电镀方法制备Cu-纳米AlN复合涂层。利用金相显微镜和SEM观察,结果显示镀层表面形成了厚度为40μm左右的均匀复合镀层,XRD测试表明该合金镀层为Cu和AlN,采用浸泡腐蚀失重法和测定极化曲线比较了纯铜镀层和复合镀层的耐腐蚀性能,结果表明:Cu-纳米AlN复合涂层耐蚀性优于纯铜镀层。 展开更多
关键词 cu-aln 腐蚀速率 腐蚀性能 复合镀层
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N空位对Cu掺杂AlN电磁性质的影响的第一性原理研究 被引量:2
9
作者 聂招秀 王腊节 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期299-304,共6页
利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法研究了N空位对Cu掺杂AlN的电子结构和磁学性质的影响.结果表明,与Cu最近邻的N原子更易失去形成N空位.N空位的引入减小了Cu掺杂AlN体系的半金属能隙;减弱了Cu及其近邻N原子的自旋极化的强度以及C... 利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法研究了N空位对Cu掺杂AlN的电子结构和磁学性质的影响.结果表明,与Cu最近邻的N原子更易失去形成N空位.N空位的引入减小了Cu掺杂AlN体系的半金属能隙;减弱了Cu及其近邻N原子的自旋极化的强度以及Cu3d与N2p轨道间的杂化,因而减小了体系的半金属铁磁性.因此,制备Cu掺杂AlN稀磁半导体时应尽可能地避免N空位的产生. 展开更多
关键词 N空位 cu掺杂aln 电子结构 铁磁性 第一性原理
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纳米复合材料(Cu/AlN)点焊电极的失效机制分析 被引量:1
10
作者 邓景泉 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期439-443,共5页
通过高能球磨制备铜基纳米氮化铝复合粉体(Cu/AlN),用粉末冶金方法制备Cu/AlN点焊电极并装机进行镀锌薄钢板点焊试验。用XRD、SEM、TEM等表征失效电极的组织形貌,分析电极的失效机制及失效原因。结果表明:铜基纳米复合材料(Cu/AlN)点焊... 通过高能球磨制备铜基纳米氮化铝复合粉体(Cu/AlN),用粉末冶金方法制备Cu/AlN点焊电极并装机进行镀锌薄钢板点焊试验。用XRD、SEM、TEM等表征失效电极的组织形貌,分析电极的失效机制及失效原因。结果表明:铜基纳米复合材料(Cu/AlN)点焊电极的主要失效机制是:"蘑菇化"变形、坑蚀、粘结等,未见电极表面合金化生成新相。Cu/AlN点焊电极使用性能优于铸态商用(CuCrZr)点焊电极,主要因为纳米AlN颗粒的弥散强化作用及其优异的导热性能。 展开更多
关键词 点焊电极 失效机制 纳米复合材料(cu/aln)
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Cu掺杂AlN的铁磁稳定性的第一性原理计算 被引量:1
11
作者 聂招秀 王腊节 《四川理工学院学报(自然科学版)》 CAS 2010年第5期613-617,共5页
文章采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,结合广义梯度近似计算了Cu掺杂AlN的晶格常数、能带结构、电子态密度、铁磁态和反铁磁态的总能量,并通过平均场近似的海森堡模型估算了居里温度Tc。结果表明,Cu掺杂体系的能带结构呈现半金... 文章采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,结合广义梯度近似计算了Cu掺杂AlN的晶格常数、能带结构、电子态密度、铁磁态和反铁磁态的总能量,并通过平均场近似的海森堡模型估算了居里温度Tc。结果表明,Cu掺杂体系的能带结构呈现半金属性,半金属能隙为0.442eV。铁磁性是Cu原子的3d态与其最近邻的N原子的2p态通过p-d杂化作用而稳定的。当两个Cu原子相距最远且自旋平行排列时,体系具有最低的能量,估算出此时的居里温度高于室温,因此Cu掺杂AlN有望作为稀磁半导体材料。 展开更多
关键词 aln cu 铁磁性 稳定性 第一性原理计算
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离子注入技术制备Cu-AlN双晶体的晶体学性能
12
作者 杜军 杨改英 石力开 《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第8期37-40,共4页
通过在高纯AIN基片表面层区域注入Cu离子及随后恒温退火制取了低能组态的Cu-AlN双晶体。应用透射电子显微术(TEM)及卢瑟夫背散射(RSS)等技术研究了这种双晶体的显微结构性能。纳米尺寸的Cu颗粒与AlN基体之间... 通过在高纯AIN基片表面层区域注入Cu离子及随后恒温退火制取了低能组态的Cu-AlN双晶体。应用透射电子显微术(TEM)及卢瑟夫背散射(RSS)等技术研究了这种双晶体的显微结构性能。纳米尺寸的Cu颗粒与AlN基体之间总呈现出唯一的低能晶体学取向关系。镶嵌在AlN基体中的Cu颗粒常常表现出呈李晶关系的片层状显微组织。这是因为在长大过程中,Cu颗粒通过孪生过程缓解了由于共格关系而产生的弹性应变能。 展开更多
关键词 双晶体 离子注入 沉积相 晶体学 cu-AIN
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不同浓度Cu掺杂AlN的电子结构和光学性质研究 被引量:4
13
作者 邓军权 毋志民 +2 位作者 王爱玲 赵若禺 胡爱元 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期466-472,共7页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对理想纤锌矿Al N及不同浓度的Cu掺杂Al N的超晶胞结构进行了几何优化,计算并分析了它们的电子结构、磁电性质和光学性质.结果表明,随着Cu掺杂浓度的增加,Cu 3d态电子与其近邻的N 2p... 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对理想纤锌矿Al N及不同浓度的Cu掺杂Al N的超晶胞结构进行了几何优化,计算并分析了它们的电子结构、磁电性质和光学性质.结果表明,随着Cu掺杂浓度的增加,Cu 3d态电子与其近邻的N 2p态电子杂化减弱,体系由直接带隙半导体的半金属铁磁性向间接带隙半导体的金属性转变,体系磁矩减弱,最后消失.Cu掺杂后体系介电函数虚部和复折射率函数在低能区发生明显变化,增强了体系对低频电磁波的吸收.当Cu浓度增加时体系对高频电磁波的吸收也随之加强. 展开更多
关键词 cu掺杂aln 电子结构 铁磁性 光学性质 第一性原理
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Cu/Mg掺杂AlN的电子结构和光吸收研究
14
作者 鲜晶晶 毋志民 +5 位作者 邓军权 杨磊 崔玉亭 胡爱元 赵若禺 王敏娣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期8036-8041,共6页
采用平面波超软赝势和广义梯度近似的第一性原理计算方法,对本征Al N和掺杂体系Al N∶Cu,Al N∶Mg,Al N∶Cu-Mg的超晶胞进行了几何优化,计算了它们的电子结构、能带、态密度、磁矩及光学性质等。结果表明,Al N∶Cu,Al N∶Mg均表现为100... 采用平面波超软赝势和广义梯度近似的第一性原理计算方法,对本征Al N和掺杂体系Al N∶Cu,Al N∶Mg,Al N∶Cu-Mg的超晶胞进行了几何优化,计算了它们的电子结构、能带、态密度、磁矩及光学性质等。结果表明,Al N∶Cu,Al N∶Mg均表现为100%自旋注入,材料均具有半金属性质,其中Cu掺杂体系的半金属性更稳定;Al N∶Cu-Mg共掺体系在能隙深处产生杂质带,具有金属性,改善了材料的高阻抗现象。研究发现Cu掺杂体系的磁矩最大,Cu-Mg共掺体系较Mg单掺的净磁矩有所减少。进一步分析光学性质发现,杂质离子的引入使得低能区的介电函数和复折射率函数出现明显的峰值,其中共掺体系的峰值最大,明显增强了体系对低频电磁波的吸收。 展开更多
关键词 cu、Mg掺杂aln 电子结构 光吸收 第一性原理
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Ag_(70)-Cu_(28)-Ti_2活性钎料真空钎焊AlN-Cu的研究 被引量:1
15
作者 李子曦 秦明礼 曲选辉 《真空电子技术》 2008年第1期40-44,共5页
研究了在真空条件下AlN/Cu活性钎焊的情况,使用的活性焊料是Ag_(70)-Cu_(28)-Ti_2焊片。通过试验可以得到该活性焊料在AlN片上润湿性良好,获得的AlN/Cu接头均达到了气密性要求(漏气速率<1×10^(-10)Pa·m^3/s),平均强度值分... 研究了在真空条件下AlN/Cu活性钎焊的情况,使用的活性焊料是Ag_(70)-Cu_(28)-Ti_2焊片。通过试验可以得到该活性焊料在AlN片上润湿性良好,获得的AlN/Cu接头均达到了气密性要求(漏气速率<1×10^(-10)Pa·m^3/s),平均强度值分别为182 Kg/cm^2(抗弯)和182 Kg/cm^2(抗剪切)。通过扫描电镜及电子探针仪观察了焊层形貌和元素分布,分析了连接强度较高的原因。通过XRD确定了焊接的冶金结合及新相的生成。 展开更多
关键词 Ag-cu-Ti活性合金焊料 aln封接 接头强度
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Cu,O共掺杂AlN晶体电子结构与光学性质研究 被引量:4
16
作者 程丽 王德兴 +5 位作者 张杨 苏丽萍 陈淑妍 王晓峰 孙鹏 易重桂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期182-189,共8页
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对纯Al N,Cu单掺杂以及Cu与O共掺杂Al N超胞进行了几何结构优化,计算了掺杂前后体系的晶格常数、能带结构、态密度与光学性质.结果表明:掺杂后晶格体积增大,系统能量下降;Cu掺入后Cu 3d电子与N... 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对纯Al N,Cu单掺杂以及Cu与O共掺杂Al N超胞进行了几何结构优化,计算了掺杂前后体系的晶格常数、能带结构、态密度与光学性质.结果表明:掺杂后晶格体积增大,系统能量下降;Cu掺入后Cu 3d电子与N 2p电子间有强烈的轨道杂化效应,Cu与O共掺后Cu和O之间的吸引作用克服了Cu原子之间的排斥作用,能够明显提高掺杂浓度和体系的稳定性.光学性质分析中,介电函数计算结果表明Cu与O共掺杂能改善Al N电子在低能区的光学跃迁特性,增强电子在可见光区的光学跃迁;复折射率计算结果显示Cu与O掺入后由于电磁波穿过不同的介质,导致折射率发生变化,体系对低频电磁波吸收增加. 展开更多
关键词 cu与O共掺杂aln 电子结构 光学性质 第一性原理
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Ag_(70)-Cu_(28)-Ti_2活性封接AlN陶瓷
17
作者 李子曦 秦明礼 +1 位作者 曲选辉 张小勇 《真空电子技术》 2007年第4期59-62,共4页
研究了在真空条件下AlN陶瓷真空活性封接的情况,使用的活性焊料是Ag70-Cu28-Ti2熔炼焊片。通过试验可以得到该活性焊料在AlN片上润湿性良好,获得的AlN/AlN接头达到了气密性要求(漏气速率小于1×10-10Pa.m3/s),平均强度值分别为1.49 ... 研究了在真空条件下AlN陶瓷真空活性封接的情况,使用的活性焊料是Ag70-Cu28-Ti2熔炼焊片。通过试验可以得到该活性焊料在AlN片上润湿性良好,获得的AlN/AlN接头达到了气密性要求(漏气速率小于1×10-10Pa.m3/s),平均强度值分别为1.49 kN/cm2(抗弯)和2.00 kN/cm2(抗剪切)。通过扫描电镜及电子探针仪观察了焊层形貌和元素分布,分析了连接强度较高的原因。通过XRD确定了焊接的冶金结合及新相的生成。 展开更多
关键词 Ag-cu-Ti活性合金焊料 aln封接 接头强度
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Reactive DC Magnetron Sputter Deposited Titanium-Copper-Nitrogen Nano-Composite Thin Films with an Argon/Nitrogen Gas Mixture
18
作者 A.RAHMATI H.BIDADI +1 位作者 K.AHMADI F.HADIAN 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第6期681-687,共7页
A sintered Ti13Cus7 target was sputtered by reactive direct current (DC) magnetron sputtering with a gas mixture of argon/nitrogen for different sputtering powers. Titanium-coppernitrogen thin films were deposited o... A sintered Ti13Cus7 target was sputtered by reactive direct current (DC) magnetron sputtering with a gas mixture of argon/nitrogen for different sputtering powers. Titanium-coppernitrogen thin films were deposited on Si (111), glass slide and potassium bromide (KBr) substrates. Phase analysis and structural properties of titanium-copper-nitrogen thin films were studied by X-ray diffraction (XRD). The chemical bonding was characterized by Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy. The results from XRD show that the observed phases are nano-crystallite cubic anti rhenium oxide (anti ReO3) structures of titanium doped Cu3N (Ti:Cu3N) and nanocrystallite face centered cubic (fcc) structures of copper. Scanning electron microscopy and energy dispersive X-ray spectroscopy (SEM/EDX) were used to determine the film morphology and atomic titanium/copper ratio, respectively. The films possess continuous and agglomerated structure with an atomic titanium/copper ratio (-0.07) below that of the original target (- 0.15). The transmittance spectra of the composite films were measured in the range of 360 nm to 1100 nm. Film thickness, refractive index and extinction coefficient were extracted from the measured transmittance using a reverse engineering method. In the visible range, the higher absorption coefficient of the films prepared at lower sputtering power indicates more nitrification in comparison to those prepared at higher sputtering power. This is consistent with the formation of larger Ti:Cu3N crystallites at lower sputtering power. The deposition rate vs. sputtering power shows an abrupt transition from metallic mode to poisoned mode. A complicated behavior of the films' resistivity upon sputtering power is shown. 展开更多
关键词 nano-composite reactive magnetron sputtering Ti doped cu3N
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CRYSTALLOGRAPHIC PROPERTIES OF AN INHERENT LOW-ENERGY INTERFACE(1■1)Cu//(0001)_(AIN)IN Cu-AlN BICRYS
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作者 J. Du,G.Y.Yang and S. Hagegege(General Research Institute for Non-ferrous Metals, Beijing 100088, China)(CECM-CNRS,15 rue G. Urbain, 94407 Vitry/Seine, France ) 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 1996年第4期235-239,共5页
A model Cu-AlN composite has been prepared by ion implantation technique and annealing. The atomic configuration and lattice relationship of a low-energy inherent interface(11)Cn//(0001)AlN were studied by using trans... A model Cu-AlN composite has been prepared by ion implantation technique and annealing. The atomic configuration and lattice relationship of a low-energy inherent interface(11)Cn//(0001)AlN were studied by using transmission electron microscopy and geometrical modelling. By analysing the dichromatic pattern of the composite,a primary structural unit of the interface atomic configuration was determined for purpose of HREM image simulations and of studying the structurul relaxation state in the near-interface region. 展开更多
关键词 cu-aln inherent interface SYMMETRY structural unit
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纳米AlN颗粒增强铜基复合材料的组织与性能研究 被引量:14
20
作者 王涂根 吴玉程 +1 位作者 王文芳 张建华 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2005年第4期21-24,共4页
用粉末冶金法制备了AlN增强的Cu/AlN复合材料,研究了AlN含量对复合材料性能的影响和Cu/AlN复合材料的软化温度特性。结果表明,在烧结过程中,弥散分布在铜基体中的纳米AlN颗粒对致密化以及晶粒长大都有阻碍作用。随着复合材料中AlN颗粒... 用粉末冶金法制备了AlN增强的Cu/AlN复合材料,研究了AlN含量对复合材料性能的影响和Cu/AlN复合材料的软化温度特性。结果表明,在烧结过程中,弥散分布在铜基体中的纳米AlN颗粒对致密化以及晶粒长大都有阻碍作用。随着复合材料中AlN颗粒质量分数的增加,材料的密度和导电性呈下降趋势,而硬度出现极大值。复合材料的软化温度达到700℃,远远高于纯铜的软化温度(150℃),从而提高了材料的热稳定性。 展开更多
关键词 粉末冶金 cu/aln 复合材料 导电性 硬度 软化温度
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