SiC功率器件的开关特性探究

与Si功率器件相比,SiC功率器件因其阻断电压高、开关频率高和工作温度高的性能特点,显示出广阔的应用前景。本文分析了SiC肖特基二极管和SiC MOSFET的开关特性,重点研究其与Si功率器件的特性与应用差异。设计制作了基于Buck变换器的测试实验样机,分别采用Si功率器件和SiC功率器件进行测试,对测试结果进行了对比分析。实验结果验证了文中分析的开关特性差异,从而为SiC功率器件的优化选择和应用提供了一定依据。

纳米器件对未来军事变革的影响

纳米技术作为在0.1nm^100nm的尺度空间内研究电子、原子、分子的内在运行规律和特性的崭新技术,日益受到各国的高度重视,纳米器件的研究水平和应用程度标志着一个国家纳米科技的总体水平。从现代电子器件面临的主要问题入手,指出了其发展的主要出路在于利用电子器件的特性和效应,同时选择合适的纳米器件作为新一代电子技术的基础;然后介绍了几种重要的纳米器件,针对其特点探讨了它们在军事领域中的应用前景;最后综述了纳米技术和器件对未来战争和军事变革所带来的深远影响。

碳化硅功率器件在电力电子中的应用

从碳化硅(SiC)功率半导体器件的等效电路入手,分别讨论了碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)与碳化硅结型场效应功率晶体管(SiC JFET)的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题,设计了一种SiC JEFT功率开关器件的驱动电路。实验结果表明,SiC新器件具有良好的开关特性,驱动电路可以有效驱动SiC JFET器件。

SiC JFET SJEP120R063特性分析及其在逆变器中的应用

介绍了SiC JFET SJEP120R063的工作特性,由于该器件正向损耗低,可有助于提高大功率逆变电路的开关频率和工作效率。设计了采用SJEP120R063实现的三相逆变器,并进行了实验研究,结果表明用具有较小的导通电阻和正向损耗的SJEP120R063,逆变器的工作效率可以提高到98%。

碳化硅MPS:新一代功率开关二极管

碳化硅MPS(MergedPiNSchottkydiode)具有很好的开关特性,并具有PiN二极管高阻断电压、低漏电流和SBD小开启电压,大导通电流以及高开关速度的优点,是最有希望的新一代功率开关二极管。文章系统地介绍了碳化硅MPS的结构和性能。理论和实验分析表明,碳化硅材料的优异性能与MPS结构的优势相结合,是当今功率开关管发展的趋势。