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题名多晶黑硅表面微结构对电池效率的影响
被引量:1
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作者
孙楚潇
张丹妮
王月
李平
王宇轩
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机构
渤海大学新能源学院
大连理工大学物理与光电工程学院
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出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第6期458-462,468,共6页
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基金
辽宁省教育厅一般项目(LY2016002)
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文摘
采用Ag离子辅助化学刻蚀法制备了多晶黑硅薄片,使用NaOH溶液处理多晶黑硅表面,增大其表面纳米孔直径,使SiN_x薄膜能够均匀覆盖整个黑硅表面,提高黑硅的钝化效果,进而提高多晶黑硅电池光电转化效率。通过反射谱仪、扫描电子显微镜(SEM)、太阳电池测试系统等测试和表征不同扩孔时间对多晶黑硅各方面性能的影响。结果表明:未被NaOH扩孔处理的多晶黑硅的反射率最低,为5.03%,多晶黑硅太阳电池的光电转化效率为16.51%。当多晶黑硅被NaOH腐蚀40 s时,反射率为10.01%,电池的效率为18.00%,比普通多晶硅太阳电池的效率高2.19%,比未被扩孔处理的多晶黑硅太阳电池的效率高1.49%。
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关键词
多晶黑硅
多晶黑硅太阳电池
金属辅助化学刻蚀(MACE)
naoh腐蚀扩孔
表面微结构
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Keywords
multi-crystalline black silicon
multi-crystalline black silicon solar cell
metal-assis-ted chemical etching (MACE)
nano-pore widen by naoh
surface microstructure
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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