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Scanning probe lithography on calixarene towards single-digit nanometer fabrication 被引量:3
1
作者 Marcus Kaestner Ivo W Rangelow 《International Journal of Extreme Manufacturing》 2020年第3期104-124,共21页
Cost effective patterning based on scanning probe nanolithography(SPL)has the potential for electronic and optical nano-device manufacturing and other nanotechnological applications.One of the fundamental advantages o... Cost effective patterning based on scanning probe nanolithography(SPL)has the potential for electronic and optical nano-device manufacturing and other nanotechnological applications.One of the fundamental advantages of SPL is its capability for patterning and imaging employing the same probe.This is achieved with self-sensing and self-actuating cantilevers,also known as‘active'cantilevers.Here we used active cantilevers to demonstrate a novel path towards single digit nanoscale patterning by employing a low energy(<100 eV)electron exposure to thin films of molecular resist.By tuning the electron energies to the lithographically relevant chemical resist transformations,the interaction volumes can be highly localized.This method allows for greater control over spatially confined lithography and enhances sensitivity.We found that at low electron energies,the exposure in ambient conditions required approximately 10 electrons per single calixarene molecule to induce a crosslinking event.The sensitivity was 80-times greater than a classical electron beam exposure at 30 keV.By operating the electro-exposure process in ambient conditions a novel lithographic reaction scheme based on a direct ablation of resist material(positive tone)is presented. 展开更多
关键词 nanofabrication field-emission scanning probe lithography single nanometer lithography molecular resist
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The investigation of focusing characteristic based on double Bowtie nano-lithography structure
2
作者 Jie Zheng Xianchao Liu +3 位作者 Yuerong Huang Yunyue Liu Weidong Chen Ling Li 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期240-240,共1页
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Structural observation of CdSt_2 LB films and nanometer scale lithography by atomic force microscopy
3
作者 杨晓敏 韦钰 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1995年第10期845-849,共5页
Langmuir-Blodgett (LB) films and related thin organic films have been the objects ofincreasing technological and scientific interest over the past 20 years. Optimization of themacroscopic physical properties of these ... Langmuir-Blodgett (LB) films and related thin organic films have been the objects ofincreasing technological and scientific interest over the past 20 years. Optimization of themacroscopic physical properties of these systems requires a detailed understanding of theirstructure-property retations on microscopic scale, including the structure of transferred 展开更多
关键词 ATOMIC force MICROSCOPY LB film nanometer scale lithography.
原文传递
基于纳米压印的大角度衍射光学元件批量化制备方法 被引量:7
4
作者 刘鑫 张满 +3 位作者 庞辉 史立芳 曹阿秀 邓启凌 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期102-106,共5页
针对大角度(大于50°)衍射光学元件低成本、批量化制备的需求,提出一种基于纳米压印技术的制备方法.首先利用光学曝光技术或电子束直写技术制备衍射元件的原始母板,然后将原始母板的结构通过纳米压印过程复制到压印胶上,完成衍射光... 针对大角度(大于50°)衍射光学元件低成本、批量化制备的需求,提出一种基于纳米压印技术的制备方法.首先利用光学曝光技术或电子束直写技术制备衍射元件的原始母板,然后将原始母板的结构通过纳米压印过程复制到压印胶上,完成衍射光学元件的制备.由于纳米压印母板可以多次重复使用,降低了制作成本,提高了效率.用该方法制备了不同特征尺寸(最小为250nm,衍射全角为70°)的衍射光学元件,具有良好的衍射效果,实现了对高深宽比浮雕结构的高保真复制.该技术可实现从微米到纳米跨尺度兼容的衍射光学元件的高保真、低成本、批量化制备. 展开更多
关键词 衍射光学元件 低成本 批量化 纳米压印 跨尺度兼容
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纳米光刻中莫尔对准模型与应用 被引量:4
5
作者 周绍林 陈旺富 +5 位作者 杨勇 唐小萍 胡松 马平 严伟 张幼麟 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期27-31,共5页
在纳米光刻中,采用周期相差不大的两光栅分别作为掩模和硅片上的对准标记。当对准光路通过这两个标记光栅时受到两次调制,发生双光栅衍射及衍射光的干涉等复杂现象,最后形成有规律、且呈一定周期分布的莫尔条纹。周期相对光栅周期被大... 在纳米光刻中,采用周期相差不大的两光栅分别作为掩模和硅片上的对准标记。当对准光路通过这两个标记光栅时受到两次调制,发生双光栅衍射及衍射光的干涉等复杂现象,最后形成有规律、且呈一定周期分布的莫尔条纹。周期相对光栅周期被大幅度放大,条纹移动可表征两标记的相对位移,具有很高探测灵敏度,可用于纳米级高精度对准。从傅里叶光学角度分析推导了对准应用中,两频率接近的光栅重叠时莫尔条纹振幅空间近似分布规律。并设计了一组对准标记,能继续将灵敏度提高一倍。通过仿真分析,从大致上定量地验证条纹复振幅分布的近似数学模型以及光刻对准应用中的条纹对准过程。 展开更多
关键词 莫尔条纹对准 建模 纳米光刻 光栅标记
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纳米器件的一种新制造工艺——纳米压印术 被引量:7
6
作者 梁迎新 王太宏 《微纳电子技术》 CAS 2003年第4期2-7,共6页
纳米压印术可以用于大批量重复性地制备纳米图形结构。此项技术具有操作简单、分辨率高、重复性好、费时少,成本费用极低等优点。本文介绍了较早出现的软刻印术的两种方法———微接触印刷法和毛细管微模制法。详细讲述了纳米压印术(主... 纳米压印术可以用于大批量重复性地制备纳米图形结构。此项技术具有操作简单、分辨率高、重复性好、费时少,成本费用极低等优点。本文介绍了较早出现的软刻印术的两种方法———微接触印刷法和毛细管微模制法。详细讲述了纳米压印术(主要指热压雕版压印法)的各步工序———压模制备、压印过程和图形转移,以及用于压印的设备、纳米图案所达到的精确度等,还简述了纳米压印术的另一方法———步进-闪光压印法。最后,通过范例介绍了纳米压印术在制作电子器件、CD存储器和磁存储器、光电器件和光学器件、生物芯片和微流体器件等方面的应用。 展开更多
关键词 纳米器件 纳米压印术 制造工艺 纳米图案 软刻印术 热压雕版压印法 步进-闪光压印法
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制备纳米级ULSI的极紫外光刻技术 被引量:4
7
作者 成立 王振宇 +1 位作者 朱漪云 刘合祥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第9期28-33,共6页
在下一代光刻技术中,由于极紫外光刻(EUVL)分辨率高、且具有一定的产量优势及传统光学光刻技术的延伸性,因而是IC业界制备纳米级ULSI器件的首选光刻方案之一。本文论述了EUVL技术的原理、加工工艺和设备,并对比分析了EUVL的生产成本、... 在下一代光刻技术中,由于极紫外光刻(EUVL)分辨率高、且具有一定的产量优势及传统光学光刻技术的延伸性,因而是IC业界制备纳米级ULSI器件的首选光刻方案之一。本文论述了EUVL技术的原理、加工工艺和设备,并对比分析了EUVL的生产成本、应用前景及其优缺点。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 纳米半导体器件制备技术 极紫外光刻
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纳米光刻对准方法及其原理 被引量:2
8
作者 周绍林 唐小萍 +4 位作者 胡松 马平 陈旺富 杨勇 严伟 《微纳电子技术》 CAS 2008年第4期222-230,共9页
对准技术对光刻分辨力的提高有着重要作用。45nm节点以下的光刻技术如纳米压印等,对相应的对准技术提出了更高的要求。对光刻技术发展以来主要用于接近接触式和纳米压印光刻的对准技术做总结分类,为高精度的纳米级光刻对准技术提供理论... 对准技术对光刻分辨力的提高有着重要作用。45nm节点以下的光刻技术如纳米压印等,对相应的对准技术提出了更高的要求。对光刻技术发展以来主要用于接近接触式和纳米压印光刻的对准技术做总结分类,为高精度的纳米级光刻对准技术提供理论研究基础和方向。经过分析,从原理上将对准技术分为几何成像对准、波带片对准、干涉光强度对准、外差干涉对准及莫尔条纹等五种对准方法。最后结论得出基于条纹空间相位的对准方法具有最好的抗干扰能力且理论上能达到最高的对准精度,而其他基于光强的对准方法的精度更易受到工艺涂层的影响。因此,基于干涉条纹空间相位对准的方法在纳米级光刻对准中具有很好的理论前景。 展开更多
关键词 纳米光刻 对准技术 掩模与硅片 标记 对准精度
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限散射角电子束光刻技术及其应用前景 被引量:2
9
作者 成立 赵倩 +3 位作者 王振宇 祝俊 范木宏 刘合祥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期18-22,共5页
在下一代光刻(NGL)技术中,限散射角电子束光刻(SCALPEL)技术工艺简单、成本较低,因此是集成电路生产厂家首选的光刻方案之一。本文论述了SCALPEL的工作原理、加工工艺和方法、SCALPEL系统等,并对比分析了SCALPEL在NGL研发中的技术优势... 在下一代光刻(NGL)技术中,限散射角电子束光刻(SCALPEL)技术工艺简单、成本较低,因此是集成电路生产厂家首选的光刻方案之一。本文论述了SCALPEL的工作原理、加工工艺和方法、SCALPEL系统等,并对比分析了SCALPEL在NGL研发中的技术优势及其应用要点。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 纳米CMOS器件 电子束光刻 散射 技术优势 应用前景
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纳米级电子束曝光机用图形发生器 被引量:4
10
作者 刘伟 方光荣 顾文琪 《微细加工技术》 EI 2005年第1期1-5,16,共6页
为满足纳米级电子束曝光系统的要求,设计了高速图形发生器。该图形发生器包括硬件和软件两部分。硬件方面主要是利用高性能数字信号处理器(DSP)将要曝光的单元图形拆分成线条和点,然后通过优化设计的数模转换电路,将数字量转化成高精度... 为满足纳米级电子束曝光系统的要求,设计了高速图形发生器。该图形发生器包括硬件和软件两部分。硬件方面主要是利用高性能数字信号处理器(DSP)将要曝光的单元图形拆分成线条和点,然后通过优化设计的数模转换电路,将数字量转化成高精度的模拟量,驱动扫描电镜的偏转器,实现电子束的扫描。通过图形发生器还可以对标准样片进行图像采集以及扫描场的校正。配合精密定位的工件台和激光干涉仪,还可以实现曝光场的拼接和套刻。利用配套软件可以新建或导入通用格式的曝光图形,进行曝光参数设置、图形修正、图形分割、临近效应修正等工作,完成曝光图形的准备。结果表明,该图形发生器能够与整个纳米级电子束曝光系统协调工作,刻画出纳米级的图形。 展开更多
关键词 图形发生器 电子束曝光机 纳米
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光刻机超精密工件台研究 被引量:60
11
作者 朱煜 尹文生 段广洪 《电子工业专用设备》 2004年第2期25-27,44,共4页
针对步进扫描投影型光刻机超精密工件台开展研究熏所搭建的超精密气浮运动试验台采用气浮直线导轨支撑、直线电机驱动、直线光栅尺反馈组成大行程直线运动系统,其上叠加洛仑兹电机驱动的气浮微动台,提供对直线电机运动的精度补偿,由双... 针对步进扫描投影型光刻机超精密工件台开展研究熏所搭建的超精密气浮运动试验台采用气浮直线导轨支撑、直线电机驱动、直线光栅尺反馈组成大行程直线运动系统,其上叠加洛仑兹电机驱动的气浮微动台,提供对直线电机运动的精度补偿,由双频激光干涉仪提供粗、精动运动系统的超精密位置检测和反馈,两套直线运动系统可研究同步扫描运动,并可灵活地组成多种x-y超精密运动系统。介绍了基于该试验台进行的超精密运动控制试验研究。 展开更多
关键词 光刻机 超精密 工件台 气浮导轨 运动控制 纳米
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纳米光刻双光栅对准莫尔条纹分析 被引量:2
12
作者 周绍林 唐小萍 +3 位作者 胡松 马平 陈旺富 严伟 《微细加工技术》 2008年第3期13-17,共5页
为了给实际的纳米光刻对准工作提供理论研究基础,主要分析推导了莫尔条纹复振幅以及光强的空间分布规律。在理论分析的基础上通过仿真,定量地确定了莫尔条纹复振幅分布的近似数学模型。分析表明,当对准光路通过掩模硅片上的两个对准标... 为了给实际的纳米光刻对准工作提供理论研究基础,主要分析推导了莫尔条纹复振幅以及光强的空间分布规律。在理论分析的基础上通过仿真,定量地确定了莫尔条纹复振幅分布的近似数学模型。分析表明,当对准光路通过掩模硅片上的两个对准标记受到两次光栅的调制并发生复杂的衍射和干涉时,将形成有规律的、呈一定周期分布的莫尔条纹。并且当两光栅周期相近时,莫尔条纹将表现为一个与两光栅周期相关的空间拍信号。在近似模型中该拍信号主要由两光栅基频的乘积调制与振幅调制信号组成。两调制信号的群峰值周期相等、与拍信号的群峰值周期一致,并且该周期相对于两光栅周期被大幅度放大,因而具有很好的位移探测灵敏度,有利于纳米级对准的实际应用。 展开更多
关键词 莫尔条纹 建模 纳米光刻 双光栅调制
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利用扫描隧道显微镜构造硅表面nm尺度图形的研究 被引量:1
13
作者 赵玉清 朱京平 徐蛟 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期13-16,共4页
在大气中,利用扫描隧道显微镜(STM)在氢钝化的Si(110)表面直接进行化学改性,形成了20~60nm的SiO线条.通过化学腐蚀,成功地将该nm线条转移到Si基片上.实验证明,经STM改性的SiO可以作为腐蚀掩膜,... 在大气中,利用扫描隧道显微镜(STM)在氢钝化的Si(110)表面直接进行化学改性,形成了20~60nm的SiO线条.通过化学腐蚀,成功地将该nm线条转移到Si基片上.实验证明,经STM改性的SiO可以作为腐蚀掩膜,利用此氧化膜可以在Si表面构造nm尺度图形结构,从而为研究构造具有量子效应的微器件工艺奠定了基础. 展开更多
关键词 扫描隧道显微镜 表面改性 微细加工 腐蚀
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纳米间隙电极的加工研究进展 被引量:1
14
作者 顾宁 黄岚 +2 位作者 徐丽娜 王孟 廖建辉 《微细加工技术》 2003年第4期1-8,26,共9页
分类介绍了国内外加工纳米间隙电极的主要研究进展,并特别介绍了近期发展起来的一般光刻技术结合选择性化学沉积方法制备纳米间隙电极的研究结果,对今后的相关研究问题进行了讨论。采用选择性化学沉积技术制备镍双电极的间隙已可小于10... 分类介绍了国内外加工纳米间隙电极的主要研究进展,并特别介绍了近期发展起来的一般光刻技术结合选择性化学沉积方法制备纳米间隙电极的研究结果,对今后的相关研究问题进行了讨论。采用选择性化学沉积技术制备镍双电极的间隙已可小于100nm。该技术对于制备纳米间隙电极具有一定的优势。 展开更多
关键词 纳米间隙电极 光刻 选择性化学沉积 镍双电极 电子束刻蚀
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纳米尺度多晶硅微结构刻蚀研究 被引量:1
15
作者 李悦 田大宇 +2 位作者 李静 刘鹏 戴晓涛 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第6期413-416,共4页
以HBr作为刻蚀气体,采用ICP金属刻蚀系统对气体流量、刻蚀压力、离子源功率、偏压功率等工艺参数与刻蚀速率、刻蚀选择比和侧壁垂直度的对应关系进行了大量工艺实验。借助理论分析和工艺条件的优化,开发出一套可满足制备侧壁垂直度的纳... 以HBr作为刻蚀气体,采用ICP金属刻蚀系统对气体流量、刻蚀压力、离子源功率、偏压功率等工艺参数与刻蚀速率、刻蚀选择比和侧壁垂直度的对应关系进行了大量工艺实验。借助理论分析和工艺条件的优化,开发出一套可满足制备侧壁垂直度的纳米尺度多晶硅密排线结构的优化刻蚀工艺技术。实验结果表明:当采用900 W的离子源功率、11 W的偏压功率、25 cm3/min流量的HBr气体和3 mTorr(1 mTorr=0.133 3 Pa)刻蚀压力的工艺条件时,多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比大于100∶1;在保持离子源功率、偏压功率、气体流量不变的条件下,单纯提高反应腔工艺压力则会大幅提高上述选择比值,同时损失多晶硅和二氧化硅的刻蚀均匀性;HBr气体流量的变化在上述功率及反应腔工艺压力的工艺范围内,对多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比和多晶硅刻蚀的形貌特征均无显著影响。采用上述优化的刻蚀工艺条件,配合纳米电子束光刻技术成功得到多晶硅纳米尺度微结构,其最小线宽为40 nm。 展开更多
关键词 ICP刻蚀系统 刻蚀速率 选择比 刻蚀形貌 电子束光刻 纳米尺度多晶硅线条
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电子束纳米分辨率光刻 被引量:1
16
作者 顾宁 鲁武 陆祖宏 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1994年第2期95-102,共8页
本文侧重分析电子束纳米光刻中的若干限制因素,包括电子光学系统中的象差、电子束与抗蚀剂的相互作用(散射与二次电子效应)、衬底条件等,并对已用于进行纳米分辨率电子束光刻中的一些方法进行了归纳,讨论了其应用前景.
关键词 电子束光刻 纳米光刻 纳米分辨率
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高斯电子束曝光系统 被引量:1
17
作者 杨清华 刘明 +1 位作者 陈大鹏 叶甜春 《电子工业专用设备》 2005年第2期42-45,共4页
电子束光刻技术是纳米级加工技术的主要手段,在纳米器件加工、掩模制造、新器件新结构加工中扮演举足轻重的角色。虽然现在最先进的电子束聚焦技术可以得到几个纳米的电子束斑,但是由于邻近效应问题,依然很难使用电子束光刻技术得到接... 电子束光刻技术是纳米级加工技术的主要手段,在纳米器件加工、掩模制造、新器件新结构加工中扮演举足轻重的角色。虽然现在最先进的电子束聚焦技术可以得到几个纳米的电子束斑,但是由于邻近效应问题,依然很难使用电子束光刻技术得到接近其理论极限的纳米尺度图形,对电子束曝光系统的基本原理及其邻近效应校正技术进行了研究,并得到一些比较理想的曝光结果。 展开更多
关键词 电子束曝光 纳米器件 掩模 邻近效应
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SAL601负性电子束抗蚀剂纳米级集成电路加工
18
作者 王云翔 刘明 +1 位作者 陈宝钦 徐秋霞 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期167-169,共3页
讨论了采用SAL6 0 1负性化学放大电子束抗蚀剂进行电子束曝光应用于纳米级集成电路加工的实验方法与工艺条件。经过大量实验总结 ,通过变剂量模型对电子束曝光中电子散射参数进行提取 ,应用于邻近效应校正软件 ,针对集成电路曝光图形进... 讨论了采用SAL6 0 1负性化学放大电子束抗蚀剂进行电子束曝光应用于纳米级集成电路加工的实验方法与工艺条件。经过大量实验总结 ,通过变剂量模型对电子束曝光中电子散射参数进行提取 ,应用于邻近效应校正软件 ,针对集成电路曝光图形进行邻近效应校正。校正后的曝光图形经过曝光实验确定显影时间及曝光剂量 ,最终得到重复性良好的 ,栅条线宽为 展开更多
关键词 SAL601 负性电子束 抗蚀剂 纳米级集成电路 曝光
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STM选择局部氧化硅表面构造纳米结构图形的研究
19
作者 赵玉清 唐天同 徐蛟 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期20-24,共5页
利用扫描隧道显微镜对氢钝化的硅表面进行选择性氧化 ,形成了纳米尺度的线条。利用此氧化物线条作为腐蚀掩模进行化学腐蚀 ,使未氧化区被腐蚀 ,从而实现了图形转移。对此工艺和机理进行了研究。证明此工艺可以进行量子尺寸图形结构的加... 利用扫描隧道显微镜对氢钝化的硅表面进行选择性氧化 ,形成了纳米尺度的线条。利用此氧化物线条作为腐蚀掩模进行化学腐蚀 ,使未氧化区被腐蚀 ,从而实现了图形转移。对此工艺和机理进行了研究。证明此工艺可以进行量子尺寸图形结构的加工 ,进而可以发展成为量子器件集成工艺。为了研究氧化层形成的机理 ,采用了低真空中低能电子束曝光实验。电子探针测量结果表明 ,在低能电子作用区可以测得氧成分 ,而非作用区则无氧成分 ,证明电子对氧化起到主要的作用。 展开更多
关键词 电子束曝光 纳米技术 微细加工 氧化硅 STM
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按比例缩小技术在微纳米中的挑战和对策
20
作者 马群刚 李跃进 杨银堂 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期464-469,共6页
按比例缩小技术是驱动集成电路发展的一项关键技术 ,在进入微纳米后出现了一系列的挑战。文中分析了按比例缩小在光刻技术、器件的亚阈特性、互连延迟以及功耗等方面面临的一些问题 ,同时从工艺、器件、电路。
关键词 集成电路 比例缩小 光刻技术 互连延迟 亚阈特性 功耗 平台集成
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