期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
近紫外光激发BaSr_2Si_3O_9∶Eu^(3+)的合成及性能研究
1
作者 田澍 王晓军 +2 位作者 雒卫廷 王燕锋 于晓明 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期61-62,65,共3页
采用高温固相法制备近紫外光激发的BaSr_2Si_3O_9∶Eu^(3+)发光材料,研究了Eu3+不同掺杂量对样品晶体结构、发光特性的影响规律。用X射线衍射(XRD)、荧光光谱(PL)、紫外-可见光谱分析系统对样品进行了表征和封装评价。结果表明,随着Eu^(... 采用高温固相法制备近紫外光激发的BaSr_2Si_3O_9∶Eu^(3+)发光材料,研究了Eu3+不同掺杂量对样品晶体结构、发光特性的影响规律。用X射线衍射(XRD)、荧光光谱(PL)、紫外-可见光谱分析系统对样品进行了表征和封装评价。结果表明,随着Eu^(3+)的掺入,BaSr_2Si_3O_9晶体结构并没有发生变化;激发主峰为395nm,发射主峰为611nm,随着Eu^(3+)掺杂量的增加,样品发光强度先升高后降低,在掺杂量为6%(摩尔分数)时发射强度最大;结合396nm近紫外芯片和BAM双峰蓝色荧光材料进行封装测试,所制备白光LED显色指数为88,色温5953K,因此,BaSr_2Si_3O_9∶Eu^(3+)是一种很有应用前景的近紫外激发发光材料。 展开更多
关键词 BaSr2Si3O9∶Eu^3+ 高温固相法 近紫外芯片 发光材料
下载PDF
近紫外芯片激发三基色荧光粉制作的白光LED 被引量:12
2
作者 宋国华 缪建文 +2 位作者 姜斌 纪宪明 崔一平 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1779-1783,共5页
使用近紫外半导体芯片激发红绿蓝三基色荧光粉,制作了白光发光二极管(LED),并研究了其光电特性。结果表明,采用发射峰值波长分别在613、495和451nm的红绿蓝荧光粉,在波长400nm左右半导体芯片激发下的白光LED,其显色指数Ra最大为82;使用... 使用近紫外半导体芯片激发红绿蓝三基色荧光粉,制作了白光发光二极管(LED),并研究了其光电特性。结果表明,采用发射峰值波长分别在613、495和451nm的红绿蓝荧光粉,在波长400nm左右半导体芯片激发下的白光LED,其显色指数Ra最大为82;使用YAG荧光粉代替绿色荧光粉后,Ra提高到93。测试结果还表明,当工作电流从5mA增加到60mA时,制备的白光LED的相关色温(Tc)Ra的变化率分别为+9.7%和-1.0%。 展开更多
关键词 白光发光二极管(LED) 近紫外芯片 荧光粉 相关色温(Tc) 显色指数(Ra)
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部