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近紫外光激发BaSr_2Si_3O_9∶Eu^(3+)的合成及性能研究
1
作者
田澍
王晓军
+2 位作者
雒卫廷
王燕锋
于晓明
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期61-62,65,共3页
采用高温固相法制备近紫外光激发的BaSr_2Si_3O_9∶Eu^(3+)发光材料,研究了Eu3+不同掺杂量对样品晶体结构、发光特性的影响规律。用X射线衍射(XRD)、荧光光谱(PL)、紫外-可见光谱分析系统对样品进行了表征和封装评价。结果表明,随着Eu^(...
采用高温固相法制备近紫外光激发的BaSr_2Si_3O_9∶Eu^(3+)发光材料,研究了Eu3+不同掺杂量对样品晶体结构、发光特性的影响规律。用X射线衍射(XRD)、荧光光谱(PL)、紫外-可见光谱分析系统对样品进行了表征和封装评价。结果表明,随着Eu^(3+)的掺入,BaSr_2Si_3O_9晶体结构并没有发生变化;激发主峰为395nm,发射主峰为611nm,随着Eu^(3+)掺杂量的增加,样品发光强度先升高后降低,在掺杂量为6%(摩尔分数)时发射强度最大;结合396nm近紫外芯片和BAM双峰蓝色荧光材料进行封装测试,所制备白光LED显色指数为88,色温5953K,因此,BaSr_2Si_3O_9∶Eu^(3+)是一种很有应用前景的近紫外激发发光材料。
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关键词
BaSr2Si3O9∶Eu^3+
高温固相法
近紫外芯片
发光材料
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职称材料
近紫外芯片激发三基色荧光粉制作的白光LED
被引量:
12
2
作者
宋国华
缪建文
+2 位作者
姜斌
纪宪明
崔一平
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期1779-1783,共5页
使用近紫外半导体芯片激发红绿蓝三基色荧光粉,制作了白光发光二极管(LED),并研究了其光电特性。结果表明,采用发射峰值波长分别在613、495和451nm的红绿蓝荧光粉,在波长400nm左右半导体芯片激发下的白光LED,其显色指数Ra最大为82;使用...
使用近紫外半导体芯片激发红绿蓝三基色荧光粉,制作了白光发光二极管(LED),并研究了其光电特性。结果表明,采用发射峰值波长分别在613、495和451nm的红绿蓝荧光粉,在波长400nm左右半导体芯片激发下的白光LED,其显色指数Ra最大为82;使用YAG荧光粉代替绿色荧光粉后,Ra提高到93。测试结果还表明,当工作电流从5mA增加到60mA时,制备的白光LED的相关色温(Tc)Ra的变化率分别为+9.7%和-1.0%。
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关键词
白光发光二极管(LED)
近紫外芯片
荧光粉
相关色温(Tc)
显色指数(Ra)
原文传递
题名
近紫外光激发BaSr_2Si_3O_9∶Eu^(3+)的合成及性能研究
1
作者
田澍
王晓军
雒卫廷
王燕锋
于晓明
机构
吕梁学院物理系
浙江海洋学院创新应用研究院
出处
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期61-62,65,共3页
基金
山西省自然科学基金(2014011016-9)
文摘
采用高温固相法制备近紫外光激发的BaSr_2Si_3O_9∶Eu^(3+)发光材料,研究了Eu3+不同掺杂量对样品晶体结构、发光特性的影响规律。用X射线衍射(XRD)、荧光光谱(PL)、紫外-可见光谱分析系统对样品进行了表征和封装评价。结果表明,随着Eu^(3+)的掺入,BaSr_2Si_3O_9晶体结构并没有发生变化;激发主峰为395nm,发射主峰为611nm,随着Eu^(3+)掺杂量的增加,样品发光强度先升高后降低,在掺杂量为6%(摩尔分数)时发射强度最大;结合396nm近紫外芯片和BAM双峰蓝色荧光材料进行封装测试,所制备白光LED显色指数为88,色温5953K,因此,BaSr_2Si_3O_9∶Eu^(3+)是一种很有应用前景的近紫外激发发光材料。
关键词
BaSr2Si3O9∶Eu^3+
高温固相法
近紫外芯片
发光材料
Keywords
BaSr2Si3O9∶Eu^3+
high-temperature solid-state reaction method
near uv chip
luminescent material
分类号
TQ422 [化学工程]
下载PDF
职称材料
题名
近紫外芯片激发三基色荧光粉制作的白光LED
被引量:
12
2
作者
宋国华
缪建文
姜斌
纪宪明
崔一平
机构
东南大学电子科学与工程学院
南通大学理学院
南通大学化学化工学院
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期1779-1783,共5页
基金
江苏省自然科学基金资助项目(BK2008183)
南通市应用研究资助项目(K2010058)
+1 种基金
南通市公共技术服务平台资助项目(DE2010005)
南通大学自然科学研究资助项目(10Z002)
文摘
使用近紫外半导体芯片激发红绿蓝三基色荧光粉,制作了白光发光二极管(LED),并研究了其光电特性。结果表明,采用发射峰值波长分别在613、495和451nm的红绿蓝荧光粉,在波长400nm左右半导体芯片激发下的白光LED,其显色指数Ra最大为82;使用YAG荧光粉代替绿色荧光粉后,Ra提高到93。测试结果还表明,当工作电流从5mA增加到60mA时,制备的白光LED的相关色温(Tc)Ra的变化率分别为+9.7%和-1.0%。
关键词
白光发光二极管(LED)
近紫外芯片
荧光粉
相关色温(Tc)
显色指数(Ra)
Keywords
white light-emitting diode (LED)
near
-ultraviolet (n-
uv
)
chip
phosphors
correlated color temperature (Tc)
color-rendering index (Ra)
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
近紫外光激发BaSr_2Si_3O_9∶Eu^(3+)的合成及性能研究
田澍
王晓军
雒卫廷
王燕锋
于晓明
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
2
近紫外芯片激发三基色荧光粉制作的白光LED
宋国华
缪建文
姜斌
纪宪明
崔一平
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
12
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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