硫钝化GaAs MESFET的机理研究

研究了硫钝化对GaAs MESFET 直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因。