铁氰酸镍修饰的过氧化氢电化学传感器的研究

该文提出了一种新的过氧化氢电化学传感器的制备方法。利用循环伏安法,在金电极表面电化学沉积一层铁氰酸镍膜(NiHCF),在一定电位条件下,它能催化还原过氧化氢,其响应电流与过氧化氢的浓度呈线性关系。经Nafion修饰后的铁氰酸镍膜性能稳定,能排除多种物质对过氧化氢的干扰。用循环伏安法探讨了Ni、Co和Cu的三种铁氰酸盐修饰电极的性能及电化学特性,并研究了各种实验条件对过氧化氢传感器性能的影响。该传感器制作简单,使用寿命长,在实际试样的回收率测定中,结果满意。

铁氰酸镍复合修饰电极的电化学行为及其电催化研究

利用化学沉积技术制备了NiHCF/石墨粉/MTMOS复合修饰电极,研究了NiHCF/石墨粉/MTMOS复合修饰电极作为安培型L—半胱氨酸传感器的电化学行为.NiHCF修饰电极在不同扫速的循环伏安行为表明在-0.1^+0.7 V电位窗内,半波电位(E1/2)为+0.393 V的可逆氧化还原波为[FeⅢ(CN)6]3-/[FeⅡ(CN)6]4-电对;在扫速小于100 mV/s时,阳极峰电流与扫速成很好的线性关系;当扫速大于120 mV/s时,阳极峰电流却与扫速平方根成正比,电极反应被扩散过程所控制;NiHCF修饰电极催化L—半胱氨酸结果表明NiHCF的引入明显降低了催化氧化电位;实验结果表明L—半胱氨酸在1×10-5~2×10-2mol/L内,电流响应性与浓度成很好的线性关系,电极的检测限为2.6×10-6mol/L.NiHCF/石墨粉/MTMOS复合修饰电极制备方法简单,电极稳定性高,表面可以更新,为三维复合电极在电催化中的应用和研究提供了新的方法.

电化学方法制备石墨烯-铁氰化镍复合物及对抗坏血酸的电催化氧化研究

采用电化学还原方法制备了铁氰化镍-石墨烯复合薄膜电极,扫描电子显微镜（SEM）表征电还原石墨烯和铁氰化镍-石墨烯复合材料的表面形貌。采用循环伏安和计时电流技术研究了该修饰电极对抗坏血酸（AA）的电催化氧化性能,据此建立了一种测定AA的电化学分析新方法。由于石墨烯和铁氰化镍纳米颗粒之间的协同效应,使得该复合修饰电极对抗坏血酸具有优异的电催化活性。在0.1 mol/L pH 7.00的PBS溶液中,抗坏血酸的催化氧化电流与其浓度在1.0×10-4～7.0×10^-4mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为3.1×10^-5mol/L（S/N）。