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Rapid communication Preparation of TiO_2 nanometer thin films with high photocatalytic activity by reverse micellar method 被引量:6
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作者 WU Qide, CHENG Bei, and ZHANG GaokeThe Key Laboratory of Silicon Materials Science and Engineering of Ministry of Education, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China (Received 2003-01-10) 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第2期150-154,共5页
Two kinds of TiO_2 nanometer thin films were prepared on stainless steel bythe reverse micellar and sol-gel methods, respectively. The calcined TiO_ 2 thin films werecharacterized by X-ray diffraction (XRD), atomic fo... Two kinds of TiO_2 nanometer thin films were prepared on stainless steel bythe reverse micellar and sol-gel methods, respectively. The calcined TiO_ 2 thin films werecharacterized by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), BET surface area and X-rayphotoelectron spectroscopy (XPS). Photocatalytic activity was evaluated by photocatalyticdecoloration of methyl orange aqueous solution. The results showed that the TiO_2 thin filmsprepared by reverse micellar method (designated as RM-TiO_2 films) showed higher photocatalyticactivity than those by sol-gel method (designated as SG-TiO_2 films). This is attributed to the factthat the former is composed of smaller monodispersed spherical particles with a size of about 15 nmand possesses higher surface areas. 展开更多
关键词 Inorganic non-metal materials TiO_2 nanometer thin films reversemicellar method stainless steel PREPARATION photocatalytic activity
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TiO_2 thin film photocatalyst 被引量:12
2
作者 YUJiaguo 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第4期289-295,共7页
It is well known that the photocatalytic activity of TiO_2 thin filmsstrongly depends on the preparing methods and post-treatment conditions, since they have a decisiveinfluence on the chemical and physical properties... It is well known that the photocatalytic activity of TiO_2 thin filmsstrongly depends on the preparing methods and post-treatment conditions, since they have a decisiveinfluence on the chemical and physical properties of TiO_2 thin films. Therefore, it is necessary toelucidate the influence of the preparation process and post-treatment conditions on thephoto-catalytic activity and surface microstructures of the films. This review deals with thepreparation of TiO_2 thin film photo-catalysts by wet-chemical methods (such as sol-gel,-reversemicellar and liquid phase deposition) and the comparison of various preparation methods as well astheir advantage and disadvantage. Furthermore, it is discussed that the advancement ofphotocatalytic activity, super-hydrophilicity and bactericidal activity of TiO_2 thin filmphotocatalyst in recent years. 展开更多
关键词 inorganic non-metal materials TiO_2 thin films preparation sol-gel method liquid phase deposition method reverse micellar method photocatalytic activity SUPER-HYDROPHILICITY bactericidal activity
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Preparation of CuInSe_2 thin films by paste coating
3
作者 NIE Hongbo WANG Yanlai +1 位作者 NI Peiran GUO Shiju 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第6期591-597,共7页
Precursor pastes were obtained by milling Cu-In alloys and Se powders. CulnSe2 thin films were successfully prepared by precursor layers, which were coated using these pastes, and were annealed in a H2 atmosphere. The... Precursor pastes were obtained by milling Cu-In alloys and Se powders. CulnSe2 thin films were successfully prepared by precursor layers, which were coated using these pastes, and were annealed in a H2 atmosphere. The pastes were tested by laser particle diameter analyzer, simultaneous thermogravimetric and differential thermal analysis instruments (TG-DTA), and X-ray diffractometry (XRD). Selenized films were characterized by XRD, scanning electron microscopy (SEM), and energy dispersive spectroscopy (EDS). The results indicate that chalcopyrite CuInSe2 is formed at 180℃ and the crystallinity of this phase is improved as the temperature rises. All the CuInSe2 thin films, which were annealed at various temperatures, exhibit the preferred orientation along the (112) plane. The compression of precursor layers before selenization step is one of the most essential factors for the preparation of perfect CuInSe2 thin films. 展开更多
关键词 inorganic non-metal material CulnSe2 thin films SELENIZATION COATING Cu-In alloys
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复合膜对316L不锈钢氚渗透性能的影响 被引量:19
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作者 姚振宇 郝嘉琨 +1 位作者 周长善 山常起 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期65-70,共6页
利用物理气相沉积(PVD)方法在316L不锈钢表面分别镀制微米量级厚的TiN+TiC+TiN、TiN+TiC+SiO2复合膜。扫描电镜观察表明:膜致密,与基体结合牢固,抗氧化,抗热冲击。二次离子质谱(SIMS)和红外光谱(IR)分析结果证实:TiC和SiO2膜在300℃以... 利用物理气相沉积(PVD)方法在316L不锈钢表面分别镀制微米量级厚的TiN+TiC+TiN、TiN+TiC+SiO2复合膜。扫描电镜观察表明:膜致密,与基体结合牢固,抗氧化,抗热冲击。二次离子质谱(SIMS)和红外光谱(IR)分析结果证实:TiC和SiO2膜在300℃以上的氢中退火可形成抗氚渗透阻挡层。测量了不同温度下氚在带膜316L中的渗透率。在200~600℃范围内,镀有TiN+TiC+SiO2膜的316L的氚渗透率比镀钯316L降低4~6个数量级,镀TiN+TiC+TiN膜比镀钯膜降低4~5个数量级。这两种膜可用于聚变堆技术研究中第一壁。 展开更多
关键词 氚渗透 氚阻挡层 复合膜 聚变堆材料 316L不锈钢
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中性介质铝表面无机非金属膜层的电化学沉积Ⅰ无机非金属膜层的制备 被引量:9
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作者 唐浩 旷亚非 +1 位作者 侯朝辉 周海晖 《电镀与环保》 CAS CSCD 2001年第4期20-24,共5页
在由成膜促进剂、络合成膜剂和某些金属含氧酸盐组成的中性电解液中 ,对铝进行高压阳极氧化 ,铝表面可沉积一层具有陶瓷光泽的无机非金属膜层。该膜层具有较高的硬度和耐酸碱性能 。
关键词 中性介质 电化学沉积 无机非金属膜层 中性电解液 阳极氧化
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铝表面无机非金属膜层的阳极沉积 被引量:8
6
作者 侯朝辉 旷亚非 刘建平 《电镀与环保》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期32-34,共3页
对铝在Na2 WO4 H3PO4溶液中的阳极极化行为进行了研究。结果表明 ,在高电压、大电流的作用下 ,铝表面可沉积一层致密的无机非金属膜层。该膜层与基底金属结合牢固 ,具有较高的硬度、耐磨和耐蚀性能。采用电化学方法进行无机非金属膜层... 对铝在Na2 WO4 H3PO4溶液中的阳极极化行为进行了研究。结果表明 ,在高电压、大电流的作用下 ,铝表面可沉积一层致密的无机非金属膜层。该膜层与基底金属结合牢固 ,具有较高的硬度、耐磨和耐蚀性能。采用电化学方法进行无机非金属膜层沉积的表面处理方法 ,工艺简单、成膜速度快 ,具有很好的工业应用前景。 展开更多
关键词 阳极沉积 无机非金属膜层 阳极氧化 电镀
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有机基质表面无机非金属膜的合成 被引量:2
7
作者 吴志坚 林岩心 黄理耀 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期587-589,共3页
综述了用溶胶-凝胶法、离子交换-化学沉积法和仿生合成法在有机基质表面制备无机非金属膜的原理和制备过程,重点讨论了仿生合成法,介绍了有机基质表面二氧化锡、氧化铁和碳酸钙膜及图案膜的仿生合成。
关键词 有机基质 无机非金属膜 仿生合成 溶胶-凝胶法
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WO_3变色薄膜材料制备方法及应用进展 被引量:5
8
作者 姚妍 王琳瑛 +1 位作者 丁毅 马立群 《有色金属》 CSCD 北大核心 2010年第3期43-46,共4页
分析比较WO3变色薄膜的各种制备方法,概述近年来WO3变色薄膜在国内外的应用现状和发展趋势。
关键词 无机非金属材料 WO3薄膜 综述 制备方法 应用
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超短脉冲激光辐照下金属薄膜的热行为 被引量:11
9
作者 赵刚 郝秋龙 +1 位作者 齐文宗 陈建国 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期9-12,共4页
对双温模型的重要热学参量电子热容、电子弛豫时间、电子热导率进行量子化处理,使双温模型能适用于自由电子温度比较高的情况.利用前向差分算法,数值求解了电子-晶格双温双曲两步热传导模型,所得的结果更接近实验值.经过分析得出:1)薄... 对双温模型的重要热学参量电子热容、电子弛豫时间、电子热导率进行量子化处理,使双温模型能适用于自由电子温度比较高的情况.利用前向差分算法,数值求解了电子-晶格双温双曲两步热传导模型,所得的结果更接近实验值.经过分析得出:1)薄膜前表面自由电子温度达到最大值的时间约为0.27 ps,得到的损伤阈值与实验值符合较好.2)电子热容对电子温升规律影响非常大.电子热导率对自由电子温升规律也有较大的影响.3)在趋肤层内自由电子温升非常快,不同厚度自由电子温度达到最大值所需的时间延迟不明显.趋肤层以下自由电子温度升高较慢,不同厚度自由电子达到最大值所需的时间延迟明显. 展开更多
关键词 超短脉冲激光 金属薄膜 非傅里叶导热 人工粘性 微加工
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织构对CVD自支撑金刚石薄膜残余应变的影响 被引量:4
10
作者 朱宏喜 毛卫民 冯惠平 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期32-36,共5页
计算了薄膜试样不同方向的弹性模量,研究了织构和甲烷浓度对CVD自支撑金刚石薄膜的宏观残余应变的影响.结果表明,织构使CVD金刚石薄膜的弹性模量和宏观残余应变呈现各向异性.甲烷浓度的升高导致织构组分密度水平变化,使薄膜的弹性模... 计算了薄膜试样不同方向的弹性模量,研究了织构和甲烷浓度对CVD自支撑金刚石薄膜的宏观残余应变的影响.结果表明,织构使CVD金刚石薄膜的弹性模量和宏观残余应变呈现各向异性.甲烷浓度的升高导致织构组分密度水平变化,使薄膜的弹性模量增大,从而降低残余应变;另一方面,杂质浓度的升高增大宏观残余应变.改变薄膜沉积工艺参数可调整织构,从而调节薄膜的残余应力. 展开更多
关键词 无机非金属材料 金刚石薄膜 织构 弹性模量 残余应变
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磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究 被引量:15
11
作者 张丽伟 卢景霄 +5 位作者 段启亮 王海燕 李瑞 靳锐敏 王红娟 张宇翔 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期46-48,共3页
用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响。结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄... 用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响。结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄膜电阻越小,超过400℃后,真空中退火温度再升高电阻变化不大,而空气中退火温度再升高电阻反而变大。 展开更多
关键词 无机非金属材料 AZO薄膜 磁控溅射法 制备气氛 退火温度
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BST薄膜的膜厚与铁电性能关系研究 被引量:6
12
作者 陈宏伟 杨传仁 +2 位作者 符春林 高志强 赵莉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期15-17,共3页
采用射频磁控溅射法制备了Ba.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了不同膜厚的BST薄膜的介电偏压特性曲线和电滞回线。结果表明,当膜厚从250nm增加到650nm时,BST薄膜的εr、εr的电压变化率和最大极化强度分别从195,9%,4.7×10–6C/cm2逐渐... 采用射频磁控溅射法制备了Ba.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了不同膜厚的BST薄膜的介电偏压特性曲线和电滞回线。结果表明,当膜厚从250nm增加到650nm时,BST薄膜的εr、εr的电压变化率和最大极化强度分别从195,9%,4.7×10–6C/cm2逐渐增加到1543,19%,30×10–6C/cm2,而矫顽场强随膜厚的变化较复杂。进一步分析发现,膜厚通过影响矫顽场强和最大极化强度进而影响铁电薄膜的电压非线性。 展开更多
关键词 无机非金属材料 BST薄膜 膜厚 铁电性能
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用激光烧结法制备的SnO_2薄膜的气敏性质 被引量:3
13
作者 孙克 赵岩 +1 位作者 沈文锋 张彩碚 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期180-185,共6页
用溶胶-凝胶法制备SnO_2前驱液,然后用提拉法分别在单晶Si和Al_2O_3基片表面制备出SnO_2前驱膜,再用脉冲Nd:YAG激光烧结前驱膜使其转变为晶体SnO_2薄膜。用XRD分析了单晶Si表面的SnO_2薄膜,研究激光功率对SnO_2薄膜相组成的影响。TEM观... 用溶胶-凝胶法制备SnO_2前驱液,然后用提拉法分别在单晶Si和Al_2O_3基片表面制备出SnO_2前驱膜,再用脉冲Nd:YAG激光烧结前驱膜使其转变为晶体SnO_2薄膜。用XRD分析了单晶Si表面的SnO_2薄膜,研究激光功率对SnO_2薄膜相组成的影响。TEM观察表明,激光烧结后的薄膜SnO_2颗粒均匀,直径约为10nm。用激光烧结法制备的SnO_2薄膜对浓度为1.80×10^(-4)丙酮的最高灵敏度为30~40,明显高于用传统烧结法制备的SnO_2薄膜的灵敏度。激光烧结能降低薄膜具有最高灵敏度的工作温度。 展开更多
关键词 无机非金属材料 Sn02薄膜 激光烧结 灵敏度 气敏特性 丙酮 气敏传感器 二氧化硅 半导体薄膜
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负热膨胀ZrW_2O_8薄膜的制备和性能 被引量:5
14
作者 刘红飞 程晓农 +1 位作者 张志萍 付廷波 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期83-86,共4页
用交替射频磁控溅射法在石英基片上沉积并退火制备了ZrW_2O_8薄膜,测量了薄膜与基片之间的结合力和薄膜厚度,研究了薄膜的负热膨胀特性.结果表明:用磁控溅射方法制备的薄膜为非晶态,表面平滑、呈颗粒状,在1200℃热处理3 min后得到立方相... 用交替射频磁控溅射法在石英基片上沉积并退火制备了ZrW_2O_8薄膜,测量了薄膜与基片之间的结合力和薄膜厚度,研究了薄膜的负热膨胀特性.结果表明:用磁控溅射方法制备的薄膜为非晶态,表面平滑、呈颗粒状,在1200℃热处理3 min后得到立方相ZrW_2O_8薄膜,结晶薄膜的颗粒长大,薄膜与基片之间有良好的结合力.立方相ZrW_2O_8薄膜在15-200℃热膨胀系数为-24.81×10^(-6)K^(-1),200-700℃热膨胀系数为-4.78×10^(-6)K^(-1),平均热膨胀系数为-10.08×10^(-6)K^(-1). 展开更多
关键词 无机非金属材料 钨酸锆 薄膜 磁控溅射 负热膨胀
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BST薄膜的微结构研究 被引量:4
15
作者 陈宏伟 杨传仁 +2 位作者 符春林 赵莉 高志强 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期29-31,共3页
采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜.利用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)分别研究了BST薄膜的成分、晶体结构.用优化的成膜工艺制备出成分与靶材基本一致,具有钙钛矿结构的BST多晶薄膜.利用扫描力... 采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜.利用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)分别研究了BST薄膜的成分、晶体结构.用优化的成膜工艺制备出成分与靶材基本一致,具有钙钛矿结构的BST多晶薄膜.利用扫描力显微镜中的压电模式(PFM)观察到了BST薄膜中的a畴和c畴,初步确定在BST薄膜中多畴转变为单畴的临界尺寸为28~33 nm. 展开更多
关键词 无机非金属材料 钛酸锶钡薄膜 射频磁控溅射 微结构 电畴 BST薄膜
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纳米多孔二氧化硅薄膜的制备及性能 被引量:12
16
作者 殷明志 姚熹 吴小清 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期220-224,共5页
以N(C_8H_(15))_4^+OH^-为催化剂,用正硅酸乙脂(TEOS)溶胶-凝胶工艺制备出纳米多孔二氧化硅薄膜。体系的H_2O/TEOS>25,强碱催化使二氧化硅的溶解度增大并使二氧化硅胶粒带负电荷,抑制了二氧化硅的聚合。丙三醇与TEOS的水解中间体Si(O... 以N(C_8H_(15))_4^+OH^-为催化剂,用正硅酸乙脂(TEOS)溶胶-凝胶工艺制备出纳米多孔二氧化硅薄膜。体系的H_2O/TEOS>25,强碱催化使二氧化硅的溶解度增大并使二氧化硅胶粒带负电荷,抑制了二氧化硅的聚合。丙三醇与TEOS的水解中间体Si(OC_2H_5)_4-x(OH)_x及二氧化硅胶粒Si_xO_y(OH)_z^(+n)表面Si-OH形成氢键,抑制了二氧化硅的聚沉。聚乙烯醇(PVA)使粒状二氧化硅溶胶具有网状结构,易于成膜。薄膜由致密结构转化为均匀纳米多孔结构是构成薄膜的二氧化硅胶粒在热处理时聚集和塑性形变的结果。多孔二氧化硅薄膜的折射率为1.27~1.42,介电常数为1.578~2.016,热导率为0.2W/(m·K)。 展开更多
关键词 纳米多孔二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶工艺 正硅酸乙脂 制备 性能
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C面蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征 被引量:2
17
作者 郑海务 苏剑峰 +2 位作者 顾玉宗 张杨 傅竹西 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期37-41,共5页
采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了C_3H_8气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C_3H_8气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面... 采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了C_3H_8气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C_3H_8气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制,而后受质量输运控制.所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜,其摇摆曲线半高宽为0.6°,已经达到单晶水平.没有使用AlN过渡层,制备出结晶质量更好的SiC薄膜,表明对于蓝宝石衬底上SiC薄膜的生长,起决定性因素的是温度,过渡层不是影响SiC薄膜结晶质量的主要因素. 展开更多
关键词 无机非金属材料 6H-SiC薄膜 低压CVD 蓝宝石 微结构
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ITO薄膜厚度和含氧量对其结构与性能的影响 被引量:12
18
作者 辛荣生 林钰 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期21-23,共3页
在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与薄膜厚度和氧含量的关系,并测量了薄膜电阻率及透光率分别随膜厚和氧含量的变化情况。以低氧氩流量比(1/40)并控制膜厚在70nm以上进行镀膜... 在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与薄膜厚度和氧含量的关系,并测量了薄膜电阻率及透光率分别随膜厚和氧含量的变化情况。以低氧氩流量比(1/40)并控制膜厚在70nm以上进行镀膜,获得了结晶性好、电阻率低且透光率高的ITO透明半导体薄膜,所镀制的ITO膜电阻率降到1.8×10–4?·cm,可见光透光率达80%以上。 展开更多
关键词 无机非金属材料 ITO膜 氧氩流量比 电阻率 透光率
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超短脉冲激光辐照金属薄膜温升效应的模拟研究 被引量:10
19
作者 郝秋龙 齐文宗 +1 位作者 刘全喜 赵方东 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期908-912,共5页
考虑到材料的质量热容、热导率、驰豫时间等热力学参数随温度非线性变化因素的影响,利用具有人工粘性的、自适应时间步长的前向差分算法,数值求解了电子-晶格双温双曲两步热传导模型,讨论了厚度为50 nm的金膜在0.1 ps脉冲激光辐照下的... 考虑到材料的质量热容、热导率、驰豫时间等热力学参数随温度非线性变化因素的影响,利用具有人工粘性的、自适应时间步长的前向差分算法,数值求解了电子-晶格双温双曲两步热传导模型,讨论了厚度为50 nm的金膜在0.1 ps脉冲激光辐照下的温升规律。数值结果表明:薄膜前表面自由电子的温度在大约0.27 ps时达到最大值,不同厚度上自由电子达到温度平衡所需的时间大约为1.6 ps,而薄膜温度在整个厚度上达到平衡所需时间为60 ps左右。由电子温度及其温度梯度引起的热电子崩力很可能是造成材料破坏的一个主要因素。 展开更多
关键词 超短脉冲激光 金属薄膜 非傅里叶导热 人工粘性 微加工 自适应步长
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自支撑硼掺杂金刚石膜残余应力和微观应力的XRD分析 被引量:4
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作者 徐跃 张彤 +3 位作者 李柳暗 李红东 吕宪义 金曾孙 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期264-268,共5页
利用XRD(包括sin^2ψ法)研究了电子辅助热灯丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)生长的自支撑硼掺杂多晶金刚石薄膜的残余应力和微观应力。结果表明,薄膜的残余应力为压应力,随着薄膜制备过程中硼流量的增加,应力值有减小的趋势。薄膜的微观应... 利用XRD(包括sin^2ψ法)研究了电子辅助热灯丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)生长的自支撑硼掺杂多晶金刚石薄膜的残余应力和微观应力。结果表明,薄膜的残余应力为压应力,随着薄膜制备过程中硼流量的增加,应力值有减小的趋势。薄膜的微观应力随着硼流量的增加,由拉应力转变为压应力然后又转变为拉应力。残余应力和微观应力的变化归因于一定量的硼掺杂导致的多晶膜中晶粒尺寸、晶面取向及孪晶变化的共同作用。 展开更多
关键词 无机非金属材料 CVD金刚石膜 硼掺杂 XRD 残余应力 微观应力
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