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The Study of Different Structuring Techniques for Creation of Non-Evaporable Getters
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作者 Anton Boyko Dahir Gaev +2 位作者 Sergei Timoshenkov Yuri Chaplygin Vladimir Petrov 《Materials Sciences and Applications》 2013年第8期57-61,共5页
The results of observation of different structuring techniques of thin metal layers applied in micro system technologies are presented. The Ti V getter films formed by magnetron sputtering have been explored using sca... The results of observation of different structuring techniques of thin metal layers applied in micro system technologies are presented. The Ti V getter films formed by magnetron sputtering have been explored using scanning electron and atomic-force microscopy, Brunauer-Emmett-Teller method, thermogravimetric analysis and fractal geometry. The film sorption capacity for hydrogen given by thermogravimetry was of 7.7 m3·Pa·g-1. To estimate the effective surface area, the fractal geometry tools were used and the calculated value of the specific surface area was about 155 m2/m3. The second object under investigation was a structure composed of micro- and mesoporous silicon and copper layer deposited electrochemically on the pore walls. Porous silicon when coupled with a reactive metal or alloy is expected to be an effective getter for micro system techniques. The use of porous silicon and specific conditions of depositions allows to form the structure of complex fractal type with a specific surface area of 167 m2/cm3. 展开更多
关键词 non-evaporable getterS MEMS STRUCTURING MAGNETRON SPUTTERING ELECTRODEPOSITION Porous Silicon
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Hazy Backside Gettering with a-Si: H Film
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作者 王锻强 孙茂友 +2 位作者 翟富义 李美英 尤重远 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1993年第1期5-8,共4页
Hazy backside gettering of boron-doped <111> siljcon wafer with a-Si: H film deposited by rf glow discharge technique (rf-GD) has been investigated by SEM, optical microscope and preferential etching tech- lique... Hazy backside gettering of boron-doped <111> siljcon wafer with a-Si: H film deposited by rf glow discharge technique (rf-GD) has been investigated by SEM, optical microscope and preferential etching tech- lique. lt is evident that the deposited film can effectively getter the haze after annealing at l l00℃in wet oxy- len ambient for 120 min. The pre-crystallization annealing at 650℃ in argon ambient for 10 min enhances the gettering effectiveness. The low temperature(200~300℃) process of growing extrinsic gettering film reduces the processing contamination. 展开更多
关键词 Backside gettering A-SI:H B-doped film
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基于多孔硅支架的钛锆钒非蒸散型吸气剂薄膜的制备及表征
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作者 李宇龙 李伟 +1 位作者 王贤艺 曹青 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期570-576,共7页
非蒸散型吸气剂薄膜近年以来在真空领域受到广泛的研究与应用,但有限的吸气速率和吸气容量阻碍了其进一步的发展。文章使用双槽电化学腐蚀法制备了多孔硅支架,再经过直流磁控溅射沉积了非蒸散型钛锆钒吸气剂薄膜,获得三维结构薄膜吸气... 非蒸散型吸气剂薄膜近年以来在真空领域受到广泛的研究与应用,但有限的吸气速率和吸气容量阻碍了其进一步的发展。文章使用双槽电化学腐蚀法制备了多孔硅支架,再经过直流磁控溅射沉积了非蒸散型钛锆钒吸气剂薄膜,获得三维结构薄膜吸气剂。通过高分辨场发射扫描电子显微镜、热重分析、真空吸氢测试分别对薄膜的形貌和吸气性能进行了研究。吸氢性能测试结果表明,沉积在硅片与多孔硅支架上的400 nm厚度的薄膜,最大吸气速率分别为0.035 L·s^(-1)·cm^(2)和0.100 L·s^(-1)·cm^(-2),提升了185.71%;吸气容量分别为0.143 Pa·L·cm^(-2)和0.353 Pa·L·cm^(-2),提升了146.85%。将薄膜沉积在多孔硅支架上,提高了吸气剂的比表面积和孔隙率,增大了气体分子与吸气剂表面的接触面积,促进了吸气剂对气体分子的表面吸附和扩散作用,有效的增强了非蒸散型吸气剂薄膜的吸气性能。 展开更多
关键词 非蒸散型吸气剂薄膜 多孔硅支架 钛锆钒 吸气性能
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Activation and pumping characteristics of Ti-Zr-V films deposited on narrow tubes 被引量:3
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作者 Bang-Le Zhu Xiao-Qin Ge +4 位作者 Si-Hui Wang Wei Wei Yi-Gang Wang Gong-Fa Liu Yong Wang 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第5期63-70,共8页
Non-evaporable getter(NEG)films are an integral part of many particle accelerators.These films provide conductance-free evenly distributed pumping,a low thermal outgassing rate,and a low photon-and electron-stimulated... Non-evaporable getter(NEG)films are an integral part of many particle accelerators.These films provide conductance-free evenly distributed pumping,a low thermal outgassing rate,and a low photon-and electron-stimulated desorption.These characteristics make it an ideal solution for resolving the non-uniform pressure distribution in conductance-limited narrow vacuum tubes.In this study,ternary Ti-Zr-V films were deposited on Si substrates and Ag-Cu(Ag 0.085 wt%)tubes with an inner diameter of 22 mm.All Ti-Zr-V films were prepared from an alloy target using the same DC magnetron sputtering parameters.The compositions and corresponding chemical bonding states were analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy after activation at different temperatures.The test particle Monte Carlo(TPMC)method was used to measure the sticking probability of the Ti-Zr-V film based on pressure readings during gas injection.The results indicate that activation commences at temperatures as low as 150℃and Ti~0,Zr~0,and V~0 exist on the surface after annealing at 180℃for 1 h.Ti-Zr-V films can be fully activated at 180℃for 24 h.The CO sticking probability reaches 0.15,with a pumping capacity of 1 monolayer. 展开更多
关键词 non-evaporable getter(NEG) Accelerator vacuum TPMC Activation temperature
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Research on deposition rate of TiZrV/Pd film by DC magnetron sputtering method 被引量:1
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作者 Jie Wang Bo Zhang +1 位作者 Yan-Hui Xu Yong Wang 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2017年第4期44-50,共7页
An accelerator storage ring needs clean ultrahigh vacuum.A TiZrV non-evaporable getter(NEG) film deposited on interior walls of the chamber can realize distributed pumping,effective vacuum improvement and reduced long... An accelerator storage ring needs clean ultrahigh vacuum.A TiZrV non-evaporable getter(NEG) film deposited on interior walls of the chamber can realize distributed pumping,effective vacuum improvement and reduced longitudinal pressure gradient.But accumulation of pollutants such as N_2 and O_2 will decrease the adsorption ability of the NEG,leading to a reduction of NEG lifetime.Therefore,an NEG thin film coated with a layer of Pd,which has high diffusion rate and absorption ability for H_2,can extend the service life of NEG and improve the pumping rate of H_2 as well.In this paper,with argon as discharge gas,a magnetron sputtering method is adopted to prepare TiZrV-Pd films in a long straight pipe.By SEM measurement,deposition rates of TiZrV-Pd films are analyzed under different deposition parameters,such as magnetic field strength,gas flow rate,discharge current,discharge voltage and working pressure.By comparing the experimental results with the simulation results based on Sigmund's theory,the Pd deposition rate C can be estimated by the sputtered depth. 展开更多
关键词 TiZrV-Pd DEPOSITION rates MAGNETRON SPUTTERING METHOD non-evaporable getter
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Aging effect of non-evaporable getter coatings 被引量:1
6
作者 Yuchen Yang Yongsheng Ma +4 位作者 Shuangkai Chen Tiezhu Qi Xiaohua Peng Haiyi Dong Ping He 《Radiation Detection Technology and Methods》 CSCD 2020年第3期372-376,共5页
Introduction The pumping performance of getter materials has becoming one of the hotspots in accelerator field.The recovery of pumping performance after air venting,also called aging effect,is important for applicatio... Introduction The pumping performance of getter materials has becoming one of the hotspots in accelerator field.The recovery of pumping performance after air venting,also called aging effect,is important for applications in accelerators.Materials and methods In this work,we investigated the aging effect of Ti-V-Zr-Hf-and Ti-V-Zr-coated copper tubular chambers,and the effect of initial air exposure time on the aging properties.The samples presented hierarchically micro/nano-structures and showed a featured aging curve,giving about 9 effective pumping cycles.Conclusion The pumping performance is inversely correlated with air exposure time suggesting that the getter coated cham-bers should be properly preserved before applied as a"pump". 展开更多
关键词 AGING non-evaporable getter Pumping speed Air exposure
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MEMS器件真空封装用非蒸散型吸气剂薄膜研究概述 被引量:12
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作者 周超 李得天 +2 位作者 周晖 张凯锋 曹生珠 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期438-443,共6页
MEMS器件是机械电子系统未来的发展趋势。许多MEMS器件需要进行真空封装,从最大程度地减少残余气体,且真空封装水平的高低决定了器件的性能优劣甚至决定器件能否正常工作。常规的MEMS器件封装是在真空腔内放置块体吸气剂,占空间且容易... MEMS器件是机械电子系统未来的发展趋势。许多MEMS器件需要进行真空封装,从最大程度地减少残余气体,且真空封装水平的高低决定了器件的性能优劣甚至决定器件能否正常工作。常规的MEMS器件封装是在真空腔内放置块体吸气剂,占空间且容易产生微小颗粒污染。在器件的真空腔室内镀上吸气剂薄膜,吸气剂薄膜在器件高温键合的同时被激活,就可在后期维持真空腔内的真空度。非蒸散型吸气剂薄膜激活后在室温下即具有优异的吸气性能,应用于MEMS器件真空封装可以提高器件的寿命和可靠性。目前,提高非蒸散型吸气剂薄膜的吸气性能,降低其激活温度是国内外研究的焦点。本文简要介绍了非蒸散型吸气剂薄膜的吸气原理,从膜系材料和制备技术两方面分析了国内外研究现状。在膜材料方面,目前采用ⅣB族+ⅤB族组合的三元合金作为非蒸散型吸气剂薄膜的膜系材料。另外,在材料中掺入Fe、稀土元素等进行薄膜结构的修饰也是较常用的手段。值得指出的是,TiZrV合金薄膜是兼具较好的吸气性能和最低激活温度的非蒸散型吸气剂(NEG)薄膜。在制备技术方面,MEMS器件用非蒸散型吸气剂薄膜一般采用磁控溅射镀膜,磁控溅射镀膜工艺的关键是制备出柱状的纳米晶结构,该结构存在大量的晶界,可促进原子的扩散,降低激活温度。磁控溅射镀膜工艺的研究围绕靶材选择、基片温度、溅射电压、溅射气氛等。探索综合性能更优的新型材料体系和增大薄膜的比表面积仍然是目前非蒸散型吸气剂薄膜研究的关键。本文最后对非蒸散型吸气剂薄膜的研究趋势进行了展望,指出加入调节层的双层膜的激活性能和吸气性能优于单层膜,但调控机理有待明确,今后可以在TiZrV薄膜研究的基础上进一步进行双层薄膜的研究,也可横向拓展进行新型薄膜体系,如ZrCoRE等新型合金薄膜的研究。 展开更多
关键词 MEMS真空封装 非蒸散型吸气剂薄膜 吸气机理 TiZrV薄膜 磁控溅射
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TiZrV吸气剂薄膜吸气性能的研究 被引量:3
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作者 张波 尉伟 +6 位作者 范乐 王建平 裴香涛 洪远志 张玉方 李为民 王勇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期114-117,共4页
TiZrV合金在180℃下加热24 h即可激活,是迄今发现的激活温度最低的非蒸散型吸气剂,已在粒子加速器领域得到应用。采用直流磁控溅射法在不锈钢管道内壁获得了TiZrV薄膜,并研究了薄膜对CO和H2的吸气性能。在200℃下加热24 h后TiZrV对CO和H... TiZrV合金在180℃下加热24 h即可激活,是迄今发现的激活温度最低的非蒸散型吸气剂,已在粒子加速器领域得到应用。采用直流磁控溅射法在不锈钢管道内壁获得了TiZrV薄膜,并研究了薄膜对CO和H2的吸气性能。在200℃下加热24 h后TiZrV对CO和H2的抽速分别为0.23和0.02 L.s-1.cm-2,吸气容量分别为6.8×10-5和6.6×10-2Pa.L.cm-2,且随着激活温度和时间的增加,吸气性能会有所提高。 展开更多
关键词 TiZrV薄膜 非蒸散型吸气剂 吸气性能 粒子加速器
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合肥光源真空室内壁镀TiZrV吸气剂薄膜的研究 被引量:4
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作者 张波 王勇 +4 位作者 尉伟 范乐 王建平 张玉方 李为民 《真空》 CAS 北大核心 2010年第4期39-42,共4页
TiZrV合金在180℃下加热24 h即可激活,是迄今发现的激活温度最低的非蒸散型吸气剂,已在国外一些粒子加速器得到应用。采用直流磁控溅射法,氩气作为放电气体,成功的在不锈钢管道内壁获得了TiZrV薄膜。薄膜中TiZrV之比为3:3:4左右,位于&qu... TiZrV合金在180℃下加热24 h即可激活,是迄今发现的激活温度最低的非蒸散型吸气剂,已在国外一些粒子加速器得到应用。采用直流磁控溅射法,氩气作为放电气体,成功的在不锈钢管道内壁获得了TiZrV薄膜。薄膜中TiZrV之比为3:3:4左右,位于"低激活温度区"。利用三段一米长的螺线管串联所产生的磁场维持放电,完成了对三米长的波荡器真空室的镀TiZrV薄膜处理,并已安装在合肥光源储存环上,目前运行情况正常。 展开更多
关键词 TiZrV薄膜 非蒸散型吸气剂 直流磁控溅射 粒子加速器
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HT-7超导托卡马克第1壁B/C膜吸O性研究 被引量:1
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作者 方应翠 张晓东 +3 位作者 辜学茂 王小明 何也熙 李成富 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期223-225,共3页
通常在托卡马克第 1壁沉积 1层B膜 ,以降低托卡马克等离子体的O杂质。在HT 7第 1壁位置处放了几个石墨样品 ,它们与HT 7一起硼化。硼化后取出部分样品膜 ,剩余样品留在真空室接受聚变等离子体的轰击。对鲜膜和轰击膜进行XPS分析 ,发现... 通常在托卡马克第 1壁沉积 1层B膜 ,以降低托卡马克等离子体的O杂质。在HT 7第 1壁位置处放了几个石墨样品 ,它们与HT 7一起硼化。硼化后取出部分样品膜 ,剩余样品留在真空室接受聚变等离子体的轰击。对鲜膜和轰击膜进行XPS分析 ,发现在成膜过程中B膜开始吸O ;等离子体轰击时 ,B膜进一步吸O。O在膜中与B以化合态B2 O3 形式存在。并对实际中存在的一些问题进行了探讨。 展开更多
关键词 第1壁 吸氧性 HT-7超导托卡马克 硼/碳膜 氧杂质
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TiZrV吸气剂薄膜的性能研究 被引量:2
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作者 张波 王勇 +6 位作者 尉伟 范乐 裴香涛 洪远志 王建平 张玉方 李为民 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期674-677,共4页
采用独立设计组装的磁控溅射装置完成了对不锈钢管道的镀TiZrV薄膜处理。对TiZrV薄膜的相关性能包括二次电子产额(SEY)、光致解吸(PSD)产额和吸气性能进行了研究。在200℃下加热2h后TiZrV的SEY有所下降,峰值由2.03降到1.55。不锈钢真空... 采用独立设计组装的磁控溅射装置完成了对不锈钢管道的镀TiZrV薄膜处理。对TiZrV薄膜的相关性能包括二次电子产额(SEY)、光致解吸(PSD)产额和吸气性能进行了研究。在200℃下加热2h后TiZrV的SEY有所下降,峰值由2.03降到1.55。不锈钢真空室在镀TiZrV薄膜处理后其PSD效应显著降低,在200℃下加热24h后,各气体的PSD产额与初始值相比可降低两个量级左右。TiZrV薄膜对CO和H2有较好的吸气效果,相同激活条件下对CO的抽速比H2高一个量级,吸气容量则较之低两个量级;另外,随着加热温度的提高和时间的延长,其吸气能力会有所提高。 展开更多
关键词 TiZrV吸气剂薄膜 直流磁控溅射 二次电子产额 光致解吸 吸气性能
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Ni/Zr-Co-Re堆栈层薄膜吸气剂的吸气性能及Ni作用机理研究 被引量:4
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作者 田士法 毛昌辉 +2 位作者 张心强 朱君 崔航 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第21期3208-3211,共4页
采用磁控溅射的方法制备了带有Ni保护层和Zr-Co-Re(Re代表稀土元素)主体层的堆栈层薄膜吸气剂。通过X射线光电子能谱仪(XPS)分析了薄膜吸气剂内部O元素的含量分布,研究了薄膜吸气剂中Ni层的防氧化作用和机理。研究表明:(1)Ni/Zr-CoRe堆... 采用磁控溅射的方法制备了带有Ni保护层和Zr-Co-Re(Re代表稀土元素)主体层的堆栈层薄膜吸气剂。通过X射线光电子能谱仪(XPS)分析了薄膜吸气剂内部O元素的含量分布,研究了薄膜吸气剂中Ni层的防氧化作用和机理。研究表明:(1)Ni/Zr-CoRe堆栈层薄膜吸气剂在160℃保温3h的条件下可以有效激活,并具有高于Zr-Co-Ni单层薄膜吸气剂的吸气性能;(2)Ni保护层降低了吸气剂的被氧化程度,促进了表面吸附的H2分子的解离和扩散。 展开更多
关键词 吸气剂 Ni保护层 薄膜 吸气性能
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玻璃粉粘结剂对丝网印刷Zr-V-Fe吸气剂薄膜吸气性能的影响 被引量:2
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作者 周洪国 汪渊 +2 位作者 尉秀英 秦光荣 熊玉华 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期43-46,共4页
利用丝网印刷技术制备Zr-V-Fe吸气剂薄膜。以Pb玻璃粉作为薄膜与基片的粘结剂,研究了三种不同退火温度下制备的Zr-V-Fe吸气剂薄膜的吸气性能,通过XRD,FESEM,EDS及吸气性能测试,分析讨论了薄膜的相组成、表面形貌和表面成分对吸气性能的... 利用丝网印刷技术制备Zr-V-Fe吸气剂薄膜。以Pb玻璃粉作为薄膜与基片的粘结剂,研究了三种不同退火温度下制备的Zr-V-Fe吸气剂薄膜的吸气性能,通过XRD,FESEM,EDS及吸气性能测试,分析讨论了薄膜的相组成、表面形貌和表面成分对吸气性能的影响。结果表明,退火温度变化会使薄膜表面Pb含量发生改变,从而引起吸气剂薄膜的吸气性能发生变化,在玻璃粉的熔点温度(350℃)进行退火,所得的薄膜具有更多清洁有效的表面,此时玻璃粉对薄膜的吸气性能影响最小,薄膜的吸气性能最佳。 展开更多
关键词 玻璃粉 丝网印刷 吸气剂薄膜 吸气性能 退火
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非蒸散型薄膜吸气材料研究进展 被引量:5
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作者 卜继国 毛昌辉 +2 位作者 张艳 尉秀英 杜军 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期341-346,共6页
非蒸散型吸气薄膜是大型超高真空系统设备维持超高真空的重要材料,近来又成为基于物联网应用的MEMS器件维持可靠性和长寿命的关键材料。本文综述了非蒸散型薄膜吸气剂的基本原理、材料体系和制备技术,介绍了国内外吸气薄膜的材料现状、... 非蒸散型吸气薄膜是大型超高真空系统设备维持超高真空的重要材料,近来又成为基于物联网应用的MEMS器件维持可靠性和长寿命的关键材料。本文综述了非蒸散型薄膜吸气剂的基本原理、材料体系和制备技术,介绍了国内外吸气薄膜的材料现状、结构与性能、多功能化的最新进展,讨论了增大比表面积、调控纳米级精细结构的调控、实现多功能化和提高沉积精度是未来吸气薄膜技术的发展趋势。 展开更多
关键词 真空维持技术 非蒸散型吸气薄膜 磁控溅射法 纳米尺度精细结构 多层膜功能化
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非蒸散型薄膜吸气剂的研究现状及应用进展 被引量:6
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作者 单睿 齐通通 +2 位作者 黎秉哲 郭杰 袁俊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期5049-5055,共7页
非蒸散型吸气剂薄膜是超高或极超高真空系统获得和维持真空条件的重要材料,近年来吸气剂广泛应用于MEMS真空封装领域。综述了非蒸散型吸气剂的材料体系、研究现状和工程应用,介绍国内外吸气剂薄膜的研究现状、存在的主要问题及发展趋势... 非蒸散型吸气剂薄膜是超高或极超高真空系统获得和维持真空条件的重要材料,近年来吸气剂广泛应用于MEMS真空封装领域。综述了非蒸散型吸气剂的材料体系、研究现状和工程应用,介绍国内外吸气剂薄膜的研究现状、存在的主要问题及发展趋势。讨论了吸气剂在MEMS真空封装系统的工作原理,传统吸气剂在封装领域的挑战,薄膜吸气剂在封装系统遇到的问题和发展趋势。 展开更多
关键词 非蒸散型吸气剂薄膜 Zr-Co系 研究现状 应用进展 发展趋势
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MEMS芯片器件用非蒸散型吸气剂的研究状况 被引量:1
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作者 苏童 艾永昌 +4 位作者 黄水明 徐凯 侯雪玲 周超 刘兴光 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第7期674-682,共9页
随着"物联网"时代的来临及智能芯片推出,在全世界范围内掀起了MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)芯片器件发展浪潮。高端的MEMS芯片器件需要在其内部安置吸气剂以维持器件的真空度,它是保证芯片器件长寿命和高灵敏性的... 随着"物联网"时代的来临及智能芯片推出,在全世界范围内掀起了MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)芯片器件发展浪潮。高端的MEMS芯片器件需要在其内部安置吸气剂以维持器件的真空度,它是保证芯片器件长寿命和高灵敏性的关键材料,对于芯片器件的安全性具有重要意义。本文分别从薄膜吸气剂和块体吸气剂两方面,介绍了非蒸散型吸气剂的发展过程,分析了国内外Zr基、Ti基合金非蒸散型吸气剂的合金化改性、激活工艺、吸气性能、制备工艺等方面研究进程,如薄膜吸气剂主要通过物理气相沉积法(Physical Vapor Deposition,PVD),调整工艺参数,形成有序疏松多孔状纳米晶结构组织,以达到高吸气量、低激活温度的目的,工艺侧重提高薄膜的孔隙率和比表面积;块体吸气剂主要通过粉末冶金烧结而成,吸气后材料表层逐渐粉化暴露出新鲜吸气表面,达到不断吸气的目的。总结了目前薄膜吸气剂和块体吸气剂存在的问题,如:块体吸气剂在应用过程中会发生脱粉现象,严重影响MEMS器件的寿命和灵敏性,目前学者对影响块体吸气剂掉粉问题的前期工艺研究比较少,急需进行改善。最后,本文对非蒸散型吸气剂未来的研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 MEMS芯片器件 非蒸散型吸气剂 制备工艺 激活温度 吸气性能
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可低温激活的钛锆钒非蒸散型吸气剂薄膜的制备及其性能研究 被引量:1
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作者 汪志伟 王旭迪 +2 位作者 尉伟 王思慧 丁云升 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第8期739-744,共6页
非蒸散型吸气剂材料是近年来广泛应用于真空领域的一种重要材料,但过高的活化温度限制了它的应用场景。本文使用比例均匀一致的钛锆钒合金作为靶材,经直流磁控溅射沉积了活化性能良好的非蒸散型吸气剂薄膜,使用X射线光电子能谱对薄膜的... 非蒸散型吸气剂材料是近年来广泛应用于真空领域的一种重要材料,但过高的活化温度限制了它的应用场景。本文使用比例均匀一致的钛锆钒合金作为靶材,经直流磁控溅射沉积了活化性能良好的非蒸散型吸气剂薄膜,使用X射线光电子能谱对薄膜的表面化学状态进行了分析。结果表明随着加热温度的升高薄膜表面成分呈现高氧化态-低氧化态-金属态的变化规律,该薄膜在150℃下加热后开始发生明显活化,并且在温度升高后活化程度进一步增高。薄膜在激活后具有良好的吸气性能,且薄膜的长时间使用具有可靠的稳定性。 展开更多
关键词 吸气剂薄膜 使用寿命 活化机理 微观结构
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Ti-Zr-V吸气剂薄膜在管道的制备与真空性能研究
18
作者 朱邦乐 范乐 +5 位作者 洪远志 王思慧 尉伟 王一刚 方键威 王勇 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期78-83,共6页
利用直流磁控溅射方法在单晶硅片和内径为22 mm、长度分别为500 mm和1500 mm的银铜管道内壁镀制了Ti-Zr-V非蒸散型吸气剂薄膜,并对镀膜管道的极限真空进行了测量。结果显示:在180℃下激活24 h后,镀制了Ti-Zr-V薄膜真空管道的极限真空度... 利用直流磁控溅射方法在单晶硅片和内径为22 mm、长度分别为500 mm和1500 mm的银铜管道内壁镀制了Ti-Zr-V非蒸散型吸气剂薄膜,并对镀膜管道的极限真空进行了测量。结果显示:在180℃下激活24 h后,镀制了Ti-Zr-V薄膜真空管道的极限真空度可以达到9.2×10^(−10) Pa。在关闭测试系统和离子泵的阀门后,系统仅依靠Ti-Zr-V薄膜的吸气依然能够维持在9×10^(−9) Pa很长时间。利用测试粒子蒙特卡罗法对薄膜的抽速和容量进行了分析和测量,结果显示,Ti-Zr-V薄膜对CO的初始粘附系数最大可以达到0.3,容量可以达到1.2个分子层。 展开更多
关键词 Ti-Zr-V薄膜 极限真空 磁控溅射 非蒸散型吸气剂薄膜 抽速测量
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Zr/ZrVFe多孔吸气材料的表面改性研究
19
作者 孙雯君 冯欣格 +2 位作者 宋伊 裴晓强 吴成耀 《真空》 CAS 2022年第6期17-21,共5页
采用磁控溅射技术在Zr/ZrVFe多孔吸气剂表面制备不同厚度的Ni膜,研究了Ni膜对吸气剂吸气性能的影响,利用SEM和EDS技术分析了吸气剂表面形貌及元素组成,通过定容法研究了吸气剂室温吸气性能。结果表明:吸气剂激活过程中,H_(2)O、CO_(2)和... 采用磁控溅射技术在Zr/ZrVFe多孔吸气剂表面制备不同厚度的Ni膜,研究了Ni膜对吸气剂吸气性能的影响,利用SEM和EDS技术分析了吸气剂表面形貌及元素组成,通过定容法研究了吸气剂室温吸气性能。结果表明:吸气剂激活过程中,H_(2)O、CO_(2)和CO/N2在350℃以下就已脱附;当激活温度达到350~450℃时,脱附气体只剩H_(2)和CH_(4),CH_(4)为吸气剂脱附产生的H_(2)与四极质谱计灯丝发生反应所得;制备的Ni膜均匀覆盖在吸气剂表面,不会改变吸气剂的表面形貌;进行Ni膜表面改性后,吸气剂的吸气容量明显增大,且镀膜2h所得吸气剂的平衡压最小,吸附性能最好。 展开更多
关键词 Zr/ZrVFe 多孔吸气材料 表面改性 Ni膜
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Structure and properties of ZrCoCe getter film with Pd protection layer
20
作者 Jian-Dong Cui Hua-Ting Wu +2 位作者 Yan Zhang Yao-Hua Xu Zhi-Min Yang 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第9期2579-2583,共5页
ZrCoCe getter films with thickness of ~2.3 lm were deposited on Si(100) wafers by direct current(DC)magnetron sputtering process. A 400-nm-thick Pd protection layer was then deposited on the as-deposited ZrCoCe film w... ZrCoCe getter films with thickness of ~2.3 lm were deposited on Si(100) wafers by direct current(DC)magnetron sputtering process. A 400-nm-thick Pd protection layer was then deposited on the as-deposited ZrCoCe film without exposure to atmosphere. Microstructure, surface morphology and surface chemical state of the films were analyzed. Moreover, hydrogen sorption properties were determined. The results show that the ZrCoCe film displays a cauliflower-like morphology and a porous columnar-like structure which is composed of nanocrystal grains. The Pd protection layer tightly adheres to the surface of the ZrCoCe film and efficiently prevents the oxidation of Zr under exposure to atmosphere. We find that the hydrogen sorption properties of the Pd-ZrCoCe film are significantly improved,in comparison with those of the as-deposited ZrCoCe film. 展开更多
关键词 getter films ZrCoCe Protection layer Sorption property
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