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基于ZIF-8/C制备ZnO/C复合材料及光催化性能的研究 被引量:3
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作者 郭娇 张亚昆 +1 位作者 苗郁 王思涵 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期79-86,共8页
本文采用常温搅拌法将Zn(NO_3)2·6H_2O、活性炭粉和2-甲基咪唑溶于甲醇中,得到一系列含不同质量分数活性炭粉的ZIF-8/C材料,500℃下煅烧,得到ZnO/C复合材料。利用傅里叶红外光谱(Fourier transform infrared spectroscopy,FT-IR)... 本文采用常温搅拌法将Zn(NO_3)2·6H_2O、活性炭粉和2-甲基咪唑溶于甲醇中,得到一系列含不同质量分数活性炭粉的ZIF-8/C材料,500℃下煅烧,得到ZnO/C复合材料。利用傅里叶红外光谱(Fourier transform infrared spectroscopy,FT-IR)、孔径分布分析仪(Pore diameter analysis apparatus)、紫外-可见吸收光谱(UV-visible absorption spectra)、场发射扫描电子显微镜(Field emission scanning electron microscopy,FE-SEM)和X射线粉末衍射(Powder X-ray diffraction,PXRD)对前驱体和目标产品进行表征分析。这些结果表明前驱体和目标产品中分别含有ZIF-8和ZnO,加入活性炭粉可以拓展ZnO光催化剂的吸收光谱范围。目标产品具有介孔和大孔结构,其中ZnO/C-2的粒径更为均一。另外,在可见光和紫外光下考察目标产品对有机染色剂亚甲基蓝的光催化降解性能和稳定性。实验结果表明:目标产品ZnO/C-2的光催化性能最佳。 展开更多
关键词 常温搅拌法 zno/C复合材料 光催化性能
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纳米ZnO去除CH_3SH性能的研究
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作者 邵纯红 孙曙光 +2 位作者 李芬 姜安玺 王路 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 北大核心 2008年第3期418-420,共3页
在常温、常压条件下,考察了平均粒径分别为14.3nm,21.2nm,24.1nm,35.3nm的ZnO和商品ZnO(约200nm)对CH3SH的去除性能,通过FTIR和XPS等技术对脱硫反应后的试样进行了表征。结果表明,CH3SH主要以分子形式吸附于纳米ZnO表面,并随纳米ZnO粒... 在常温、常压条件下,考察了平均粒径分别为14.3nm,21.2nm,24.1nm,35.3nm的ZnO和商品ZnO(约200nm)对CH3SH的去除性能,通过FTIR和XPS等技术对脱硫反应后的试样进行了表征。结果表明,CH3SH主要以分子形式吸附于纳米ZnO表面,并随纳米ZnO粒径的减小,吸附在纳米ZnO表面上CH3SH的FTIR特征峰和硫物种XPS特征峰逐渐增强,CH3SH在纳米ZnO表面进一步脱质子,反应活性逐渐增大,脱硫性能逐渐提高。说明纳米ZnO的表面结构是影响脱硫性能的主要因素。 展开更多
关键词 纳米zno 常温 CH3SH 脱硫
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SYNTHESIS OF NANO-ZnO PARTICLES FOR ALUMINUM METALLURGY AS INERT ANODE MATERIAL
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作者 A.A.A.Saleh Y.Fu +3 位作者 X.J.Zhai Y.C.Zhai M.M.Elomella A.L.Zhang 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第1期97-106,共10页
Nano-ZnO particle was produced by evaporating zinc powders in air at air flow-rate from 0.2 to 0.6m3/h. Nano-ZnO particles was formed by the oxidation of the evaporated zinc vapor. X-ray diffraction shows the powders ... Nano-ZnO particle was produced by evaporating zinc powders in air at air flow-rate from 0.2 to 0.6m3/h. Nano-ZnO particles was formed by the oxidation of the evaporated zinc vapor. X-ray diffraction shows the powders to be ZnO with lattice parameters of a=0.3249nm and c=0.5205nm. The particle size is dependent upon the transit time from the source to the collection area. The size of particles was ranged between 81 to 103nm. The average density resulted was 4.865g/cm3. Normal ZnO and nano-ZnO were investigated to use them in aluminum metallurgy as an inert anode material. A certain amount of both oxides were molded subsequently inserted to the molten cryolite-aluminum oxide to investigate the corrosive behavior of both oxides. When the sintering temperature increased up to 1300℃, the weight loss ratio rose to 5.01%-7.33% and up to 7.67%-10.18% for nano-ZnO and normal ZnO, respectively. However, when the samples in the molten cryolite aluminum oxide were put for long time, the corrosive rate was found to be higher. It was found that the corrosive loss weight ratio of nano-ZnO anode was much lower than the normal one made from ordinary-ZnO providing that the nano-ZnO is more possible to be use inert anode material. 展开更多
关键词 reactive evaporation method NANO-zno normal zno XRD SEM molten electrolysis inert anode
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LDPE/ZnO纳米复合薄膜的归一化表面电位衰减特性研究 被引量:2
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作者 马飞 龙伟 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2016年第10期48-52,共5页
采用硅烷偶联剂KH550对纳米Zn O颗粒表面进行预处理,将表面处理后的纳米Zn O颗粒与低密度聚乙烯(LDPE)粉末充分混合并热压成型,制得低密度聚乙烯/氧化锌纳米复合薄膜。通过电晕充电法向纳米复合薄膜试样注入表面电荷,研究电晕电压极性... 采用硅烷偶联剂KH550对纳米Zn O颗粒表面进行预处理,将表面处理后的纳米Zn O颗粒与低密度聚乙烯(LDPE)粉末充分混合并热压成型,制得低密度聚乙烯/氧化锌纳米复合薄膜。通过电晕充电法向纳米复合薄膜试样注入表面电荷,研究电晕电压极性和幅值对纳米复合薄膜表面电位衰减特性的影响。结果表明:纳米Zn O颗粒的引入对LDPE纳米复合薄膜的归一化表面电位衰减特性产生显著影响,纳米颗粒的添加使聚合物表面电荷的消散速度加快,且相同条件下纳米颗粒的质量分数越高,表面电位衰减速度越快。同时纳米复合薄膜的归一化表面电位衰减特性与电晕电压极性和幅值均有关,同种试样经正极性电晕充电后可获得更大的归一化表面电位衰减稳态值;充电电压幅值越高,试样的归一化表面电位衰减速度越快。 展开更多
关键词 聚乙烯/氧化锌纳米复合薄膜 归一化表面电位衰减特性 电晕放电 电导率
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纳米氧化锌对断奶仔猪生产性能的影响 被引量:1
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作者 王春华 《中国饲料添加剂》 2008年第5期27-28,共2页
纳米氧化锌在断奶仔猪中的应用试验表明,可完全取代普通氧化锌,并达到与普通氧化锌(高锌)相同的生产性能。
关键词 纳米氧化锌 普通氧化锌 断奶仔猪
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ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷的导电过程与等效势垒高度 被引量:12
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作者 成鹏飞 李盛涛 焦兴六 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期4253-4258,共6页
研究了ZnOBi2O3系压敏陶瓷等效势垒高度eff随着归一化电压的变化规律,发现等效势垒高度eff随着归一化电压的增加先逐渐增大,达到最大值后持续下降.由于在外加电压作用下反偏势垒高度高于正偏势垒高度,等效势垒高度eff主要取决于... 研究了ZnOBi2O3系压敏陶瓷等效势垒高度eff随着归一化电压的变化规律,发现等效势垒高度eff随着归一化电压的增加先逐渐增大,达到最大值后持续下降.由于在外加电压作用下反偏势垒高度高于正偏势垒高度,等效势垒高度eff主要取决于反偏势垒.因此,这种变化规律说明了ZnO压敏陶瓷晶界的导电过程可能存在三个阶段.在低归一化电压区,晶界区域中的电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率低于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,从而导致等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐增大.在中等归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率和电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率相平衡,等效势垒高度达到最大值.在高归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率高于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐下降,直至晶界击穿.同时分析了等效势垒高度eff对泄漏电流IL的影响,发现泄漏电流与等效势垒高度差Δ呈指数关系. 展开更多
关键词 zno压敏陶瓷 归一化电压 等效势垒高度 导电过程
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