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测量ns级脉冲大电流的折带式分流器
被引量:
12
1
作者
刘金亮
徐启福
+3 位作者
李士忠
殷毅
冯加怀
周相
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期57-59,共3页
介绍了一种结构紧凑的折带式分流器,它可用来测量幅度为几十kA、脉宽为十几ns的脉冲大电流。经定标,此分流器的动态电阻为12.57 mΩ,响应时间为1.21 ns。采用该分流器测得Spark-04型脉冲功率调制器的电子束流强度约47 kA,与采用其他方...
介绍了一种结构紧凑的折带式分流器,它可用来测量幅度为几十kA、脉宽为十几ns的脉冲大电流。经定标,此分流器的动态电阻为12.57 mΩ,响应时间为1.21 ns。采用该分流器测得Spark-04型脉冲功率调制器的电子束流强度约47 kA,与采用其他方法测量的结果基本一致。
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关键词
ns
级脉冲
脉冲大电流
折带式分流器
动态电阻
响应时间
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职称材料
高压场效应管纳秒级双快沿脉冲源研究
被引量:
3
2
作者
王欣
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期255-257,331,共4页
简要介绍了一种基于高压场效应管(MOSFET)的纳秒级双快沿脉冲源的原理。着重从脉冲源快前沿与快后沿成形机理、高压MOSFET多管级联以及提高MOSFET输出脉冲开关速度的"过"驱动理论等几方面出发,分析了提高脉冲源输出特性的方...
简要介绍了一种基于高压场效应管(MOSFET)的纳秒级双快沿脉冲源的原理。着重从脉冲源快前沿与快后沿成形机理、高压MOSFET多管级联以及提高MOSFET输出脉冲开关速度的"过"驱动理论等几方面出发,分析了提高脉冲源输出特性的方法并通过实验验证,实验中确定由高压雪崩管及脉冲变压器组成的特殊大电流"过"驱动电路,产生了幅度大于4kV、前后沿均小于5ns的高压快脉冲。
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关键词
高压MOSFET
纳秒级
“过”驱动
双快沿
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职称材料
基于移相控制技术的纳秒级高压窄脉冲电源研究
被引量:
2
3
作者
虞超群
嵇保健
+2 位作者
孙柯
臧鹏
王若冰
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2016年第9期55-59,共5页
设计了一种基于移相控制充电电路的纳秒级高压窄脉冲50k V电源,与传统的变压器加全桥整流组合开环控制相比,本方案的优点是,不仅可实现对Marx电路进行恒压限流充电控制,而且可对高压窄脉冲的幅值和频率进行调节。为降低发生器在放电时...
设计了一种基于移相控制充电电路的纳秒级高压窄脉冲50k V电源,与传统的变压器加全桥整流组合开环控制相比,本方案的优点是,不仅可实现对Marx电路进行恒压限流充电控制,而且可对高压窄脉冲的幅值和频率进行调节。为降低发生器在放电时对前级电路造成的影响,利用电感值较大的特制电感进行前后级隔离。实验结果和污染物处理数据表明,在输入电压500V、串联100级电路时可以产生50k V、上升沿宽90ns的高压窄脉冲,并对污染物有较好的处理效果。
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关键词
移相控制
纳秒级
窄脉冲
驱动隔离同步
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职称材料
题名
测量ns级脉冲大电流的折带式分流器
被引量:
12
1
作者
刘金亮
徐启福
李士忠
殷毅
冯加怀
周相
机构
国防科技大学光电科学与工程学院
出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期57-59,共3页
文摘
介绍了一种结构紧凑的折带式分流器,它可用来测量幅度为几十kA、脉宽为十几ns的脉冲大电流。经定标,此分流器的动态电阻为12.57 mΩ,响应时间为1.21 ns。采用该分流器测得Spark-04型脉冲功率调制器的电子束流强度约47 kA,与采用其他方法测量的结果基本一致。
关键词
ns
级脉冲
脉冲大电流
折带式分流器
动态电阻
响应时间
Keywords
ns
-
grade
pulse
pulse current
fold band shunt
dynamic resistance
respond time
分类号
TM835.2 [电气工程—高电压与绝缘技术]
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职称材料
题名
高压场效应管纳秒级双快沿脉冲源研究
被引量:
3
2
作者
王欣
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期255-257,331,共4页
文摘
简要介绍了一种基于高压场效应管(MOSFET)的纳秒级双快沿脉冲源的原理。着重从脉冲源快前沿与快后沿成形机理、高压MOSFET多管级联以及提高MOSFET输出脉冲开关速度的"过"驱动理论等几方面出发,分析了提高脉冲源输出特性的方法并通过实验验证,实验中确定由高压雪崩管及脉冲变压器组成的特殊大电流"过"驱动电路,产生了幅度大于4kV、前后沿均小于5ns的高压快脉冲。
关键词
高压MOSFET
纳秒级
“过”驱动
双快沿
Keywords
High voltage MOSFET,
ns grade
pulse edge, Over spike driving, Double fast edge
分类号
TN78 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于移相控制技术的纳秒级高压窄脉冲电源研究
被引量:
2
3
作者
虞超群
嵇保健
孙柯
臧鹏
王若冰
机构
南京工业大学电气工程与控制科学学院
南京航空航天大学电子信息工程学院
出处
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2016年第9期55-59,共5页
基金
江苏省自然科学青年基金项目(BK20140944)
文摘
设计了一种基于移相控制充电电路的纳秒级高压窄脉冲50k V电源,与传统的变压器加全桥整流组合开环控制相比,本方案的优点是,不仅可实现对Marx电路进行恒压限流充电控制,而且可对高压窄脉冲的幅值和频率进行调节。为降低发生器在放电时对前级电路造成的影响,利用电感值较大的特制电感进行前后级隔离。实验结果和污染物处理数据表明,在输入电压500V、串联100级电路时可以产生50k V、上升沿宽90ns的高压窄脉冲,并对污染物有较好的处理效果。
关键词
移相控制
纳秒级
窄脉冲
驱动隔离同步
Keywords
phase-shift
ns grade
narrow-pulse
synchronous and isolated drive signal
分类号
TM832 [电气工程—高电压与绝缘技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
测量ns级脉冲大电流的折带式分流器
刘金亮
徐启福
李士忠
殷毅
冯加怀
周相
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
12
下载PDF
职称材料
2
高压场效应管纳秒级双快沿脉冲源研究
王欣
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
下载PDF
职称材料
3
基于移相控制技术的纳秒级高压窄脉冲电源研究
虞超群
嵇保健
孙柯
臧鹏
王若冰
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2016
2
下载PDF
职称材料
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