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相变存储器的高可靠性多值存储设计
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作者 洪洋 林殷茵 +1 位作者 汤庭鳌 Bomy Chen 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期49-53,72,共6页
基于相变存储器(PCM)已有的2T2R结构,提出一种以比值为导向的状态定义方法,以实现2T2R结构下PCM的多值存储.它在相变电阻具有4态可编写的能力下,可以实现单元内8态存储,同时对小尺寸验证,而对PCM存储电路的优化将使得PCM更具竞争力.同... 基于相变存储器(PCM)已有的2T2R结构,提出一种以比值为导向的状态定义方法,以实现2T2R结构下PCM的多值存储.它在相变电阻具有4态可编写的能力下,可以实现单元内8态存储,同时对小尺寸验证,而对PCM存储电路的优化将使得PCM更具竞争力.同样基于这种以比值为导向的状态定义,一种软硬件相结合的新型纠错码方法使得对全部数据位的错误监测成为可能. 展开更多
关键词 相变存储器 2T2R 多值存储 一维比值空间 校验纠错码
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