硅电极/溶液界面开路电位-时间谱和原子力显微镜在化学镀Ag中的应用研究

用开路电位 -时间谱技术 ,表征了在硅 (10 0 )表面化学镀银的硅电极 /溶液界面吸附态 .所得结果与原子力显微镜在纳米尺寸上的面结构信息分析结果作了对比 .同时也将该结果与循环伏安法 (CV)结果作了比较 .证明当硅电极表面具有单层吸附Ag+ 离子、表面单层吸附Ag+ 离子发生沉积反应、Ag+ 离子发生本体沉积时的开路电位 -时间曲线有完全不同的特征 .

用电位-时间曲线选定铝浸锌工艺参数

铝上直接电镀较难,而在铝上浸锌后再电镀则相对容易。为此,以浸锌过程的电位-时间曲线来确定浸锌工艺参数。通过扫描电镜能谱分析仪(SEM-EDS)观察了相应浸锌层的形貌和成分并分析了两者之间的联系。根据电位-时间曲线研究确定了最佳浸锌工艺:100g/LNaOH,12g/LZnO,45g/L配位剂,20g/LNiCl2,1g/LFeCl3,浸锌温度25℃,浸锌时间第1次30s,第2次25s,并使用超声波进行搅拌。

化学复合镀Ni-P-SiO_2机制的研究

采用开路电位-时间曲线、阴极极化曲线、不同测试电位下的交流阻抗图谱等电化学测试手段,对化学复合镀Ni-P-SiO_2的机制进行了研究。结果表明:基体在化学复合镀Ni-P-SiO_2溶液中具有最佳的反应时间,不考虑温度时最佳的反应时间为4 000s。向镀液中加入SiO_2微粒可以增加膜电阻,对Ni-P合金的沉积具有阻化作用。通过研究次磷酸钠的阳极氧化行为发现,交流阻抗曲线由高频的电感弧和低频的电容弧组成。加入Ni 2+可使电化学反应电阻明显降低,使得次磷酸钠的氧化反应更容易进行。

镁合金表面铈盐掺杂硅烷膜的腐蚀电化学行为

目的为进一步提升镁合金表面常规硅烷膜的耐蚀性能。方法在γ-氨丙基三乙氧基硅烷溶液中掺杂0.50 g/L硝酸铈,采用简单化学浸渍处理,在AZ91D镁合金基体表面制备了铈盐掺杂硅烷膜。借助扫描电子显微镜(SEM)观察了铈盐掺杂前后硅烷膜的表面微观形貌,通过开路电位-时间曲线、电化学交流阻抗谱(EIS)和中性盐雾试验(NSS)研究了铈盐掺杂对5%Na Cl溶液中硅烷膜耐蚀性能的影响。结果铈盐掺杂硅烷膜比普通硅烷膜更厚且平整,其致密性、均匀一致性较好,完全覆盖了镁合金基体,已看不到磨痕。铈盐掺杂硅烷膜的稳定电位约为-1.31 V,且需要的稳定时间最长。铈盐掺杂硅烷膜具有更大的低频阻抗数值,有效遏制了侵蚀性粒子向镁合金基体的迁移和扩散,避免了镁合金基体发生阳极溶解反应。结论采用向硅烷溶液中添加硝酸铈的方法,能够在AZ91D镁合金表面制备出铈盐掺杂硅烷膜。由于铈离子在某种程度上修复了硅烷膜层中的微裂纹和缺陷,显著提升了硅烷膜的耐蚀能力。

聚乙二醇类表面活性剂对硅表面无电沉积Ag膜光滑作用研究

应用原子力显微镜技术及开路电位～时间谱技术,研究了非离子表面活性剂聚乙二醇2000,6000,20000对硅(100)表面无电沉积银膜的光滑作用.实验表明硅(100)表面无电沉积银的光滑程度以及镀层的质量均随聚乙二醇聚合度的增加而变好.

银在玻碳旋转圆盘电极表面的化学镀分离研究

以水合肼为还原剂，在2．25mol／LNH，-0．56mol／LHAc（pH10～10．5）的基本镀浴中，用化学镀方法将镀浴中的微量Ag^＋离子选择性地沉积于玻碳旋转圆盘电极表面，从而将沁’与其它共存金属离子分离。用开路电位一时问谱技术（OCP—t）、循环伏安法（CV）和微分脉冲伏安法（DPASV）表征了该化学镀分离银的机理和效果。证明在多种金属离子和常见阴离子共存的复杂溶液体系中，可将银进行有效分离；电极表面化学镀富集银量的OCP—t曲线与镀浴中还原剂NH2NH2的浓度在0．1～1．5mol／L范围内有线性关系；而CV法溶出峰电量与镀浴中鲰’浓度在1～10 mmol／L范围内呈线性关系。电极表面富集的银溶出峰电流与Ag^＋浓度在6～20 μmol／L范围内有很好的线性关系。该方法已应用于粗铅样中银的还原、分离和测定，分析结果与电感耦合等离子体发射光谱法（ICP／AES）基本一致。

次暂态电势固有响应延迟对电压恢复性能影响及应对策略

电力电子化发展的电力系统,电压恢复性能恶化甚至电压失稳的风险日趋加剧。该文面向支撑电压恢复的重要无功源—同步发电机,首先建立以传递函数描述的机组详细动态模型,揭示了d轴暂态开路时间常数引起的次暂态电势响应延迟特性,及其影响机组与电容组合无功源无功输出的机制;其次,定义基于受扰响应信息的无功源暂态无功支撑能力和交流电网电压恢复性能的定量评价指数;再次,提出缓解次暂态电势延迟影响,充分发挥组合无功源支撑能力提升电压恢复性能的应对策略;最后,针对即将投运的雅中特高压直流馈入的江西电网,通过大扰动时域仿真,验证了次暂态电势响应延迟对组合无功源输出特性影响机制分析的正确性,以及评价指数和应对策略的有效性。