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基于p-n异质结CuO/TiO_(2)复合物高效的载流子分离能力构建超灵敏AFP光电化学分析
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作者 郑德论 张锐龙 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期52-59,共8页
将TiO_(2)纳米粒子与Cu(pta)MOFs复合,通过高温煅烧策略制得CuO/TiO_(2)复合物.在最优实验条件下,基于复合物对可见光更强的吸收利用效率,CuO/TiO_(2)修饰的ITO电极展现出显著的光电化学(PEC)响应信号,其光电流值(59.4μA)分别是单组分T... 将TiO_(2)纳米粒子与Cu(pta)MOFs复合,通过高温煅烧策略制得CuO/TiO_(2)复合物.在最优实验条件下,基于复合物对可见光更强的吸收利用效率,CuO/TiO_(2)修饰的ITO电极展现出显著的光电化学(PEC)响应信号,其光电流值(59.4μA)分别是单组分TiO_(2)和CuO粒子的15.5和7.4倍.线性扫描伏安法(LSV)测试结果证实CuO/TiO_(2)/ITO电极比CuO和TiO_(2)材料具有更大的LSV响应强度.这可归因于获得的薄片层状CuO粒子及其兼有的多孔隙特征促进了光的多重散射/反射效应,同时CuO/TiO_(2)复合材料具有的典型p-n异质结构(能级带隙匹配)大幅促进了光生电荷载流子(e^(-)/h^(+))的分离与转移.选用戊二醛(GA)作为交联手臂分子,通过温和的醛胺反应将壳聚糖(CS)和anti-AFP抗体组装于CuO/TiO_(2)/ITO电极表面,再用牛血清蛋白(BSA)封闭活性位点,构建出PEC传感平台(BSA/anti-AFP/GA-CS/CuO/TiO_(2)/ITO),实现了对不同浓度甲胎蛋白(AFP)的高灵敏检测(检出限达到2.63×10^(-4) ng/mL).制备的传感电极同时展示出良好的稳定性和选择性. 展开更多
关键词 薄片层CuO粒子 CuO/TiO_(2)复合物 p-n异质结 光电化学传感器 AFP检测
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Effective adjustment of the optoelectronic properties of organic conjugated materials by synthesizing p-n diblock molecules 被引量:3
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作者 JIANG HongJi 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2011年第2期119-136,共18页
Because organic conjugated materials offer several advantages relative to their inorganic counterparts,the development of organic conjugated materials has been one of the most active research areas in optoelectronic m... Because organic conjugated materials offer several advantages relative to their inorganic counterparts,the development of organic conjugated materials has been one of the most active research areas in optoelectronic materials.For almost two decades,the search for organic conjugated materials has represented a major driving force for research concerned with controlling the band gap of extended π-conjugated molecules.In particular,among the parameters affecting the performance of organic light-emitting diodes (OLEDs),the energy levels of organic conjugated materials play an important role because they can affect the driving voltage,wavelength,efficiency,and lifetime of the final device.Balanced injection and transport of electrons and holes are therefore crucial for achieving OLEDs with high quantum efficiency.In this regard,research into adjusting the energy levels of organic conjugated materials is very meaningful for the development of OLEDs.To adjust the energy levels of the organic conjugated materials,Huang et al.have presented a new molecular design and synthesis route that yields p-n diblock conjugated copolymers and oligomers.The present review summarizes and analyzes the progress on adjusting the optoelectronic properties of organic conjugated materials that is due to synthesizing p-n diblock molecules.We discusses primarily work done by Huang et al.,but also discusses work done elsewhere over the past few years.We also point out issues that require attention,and highlight hot spots that require further investigation. 展开更多
关键词 嵌段共聚物 结合材料 共轭分子 合成路线 光电性能 调整 有机发光二极管 能量水平
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Facile Semiconductor p-n Homojunction Nanowires with Strategic p-Type Doping Engineering Combined with Surface Reconstruction for Biosensing Applications
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作者 Liuan Li Shi Fang +12 位作者 Wei Chen Yueyue Li Mohammad Fazel Vafadar Danhao Wang Yang Kang Xin Liu Yuanmin Luo Kun Liang Yiping Dang Lei Zhao Songrui Zhao Zongzhi Yin Haiding Sun 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第10期15-30,共16页
Photosensors with versatile functionalities have emerged as a cornerstone for breakthroughs in the future optoelectronic systems across a wide range of applications.In particular,emerging photoelectrochemical(PEC)-typ... Photosensors with versatile functionalities have emerged as a cornerstone for breakthroughs in the future optoelectronic systems across a wide range of applications.In particular,emerging photoelectrochemical(PEC)-type devices have recently attracted extensive interest in liquid-based biosensing applications due to their natural electrolyte-assisted operating characteristics.Herein,a PEC-type photosensor was carefully designed and constructed by employing gallium nitride(GaN)p-n homojunction semiconductor nanowires on silicon,with the p-GaN segment strategically doped and then decorated with cobalt-nickel oxide(CoNiO_(x)).Essentially,the p-n homojunction configuration with facile p-doping engineering improves carrier separation efficiency and facilitates carrier transfer to the nanowire surface,while CoNiO_(x)decoration further boosts PEC reaction activity and carrier dynamics at the nanowire/electrolyte interface.Consequently,the constructed photosensor achieves a high responsivity of 247.8 mA W^(-1)while simultaneously exhibiting excellent operating stability.Strikingly,based on the remarkable stability and high responsivity of the device,a glucose sensing system was established with a demonstration of glucose level determination in real human serum.This work offers a feasible and universal approach in the pursuit of high-performance bio-related sensing applications via a rational design of PEC devices in the form of nanostructured architecture with strategic doping engineering. 展开更多
关键词 p-n GaN nanowires Strategic p-doping Surface decoration Photoelectrochemical sensor Glucose sensing
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TiO_(2)Electron Transport Layer with p-n Homojunctions for Efficient and Stable Perovskite Solar Cells
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作者 Wenhao Zhao Pengfei Guo +8 位作者 Jiahao Wu Deyou Lin Ning Jia Zhiyu Fang Chong Liu Qian Ye Jijun Zou Yuanyuan Zhou Hongqiang Wang 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第10期1-14,共14页
Low-temperature processed electron transport layer(ETL)of TiO_(2)that is widely used in planar perovskite solar cells(PSCs)has inherent low carrier mobility,resulting in insufficient photogenerated elec-tron transport... Low-temperature processed electron transport layer(ETL)of TiO_(2)that is widely used in planar perovskite solar cells(PSCs)has inherent low carrier mobility,resulting in insufficient photogenerated elec-tron transport and thus recombination loss at buried interface.Herein,we demonstrate an effective strategy of laser embedding of p-n homojunctions in the TiO_(2)ETL to accelerate electron transport in PSCs,through localized build-in electric fields that enables boosted electron mobility by two orders of magnitude.Such embedding is found significantly helpful for not only the enhanced crystallization quality of TiO_(2)ETL,but the fabrication of perovskite films with larger-grain and the less-trap-states.The embedded p-n homojunction enables also the modulation of interfacial energy level between perovskite layers and ETLs,favoring for the reduced voltage deficit of PSCs.Benefiting from these merits,the formamidinium lead iodide(FAPbI_(3))PSCs employing such ETLs deliver a champion efficiency of 25.50%,along with much-improved device stability under harsh conditions,i.e.,maintain over 95%of their initial efficiency after operation at maximum power point under continuous heat and illumination for 500 h,as well as mixed-cation PSCs with a champion efficiency of 22.02%and over 3000 h of ambient storage under humidity stability of 40%.Present study offers new possibilities of regulating charge transport layers via p-n homojunction embedding for high performance optoelectronics. 展开更多
关键词 Electron transport layer p-n homojunction Electron mobility Buried interface Perovskite solar cells
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基于P-N结的太阳能电池伏安特性的分析与模拟 被引量:34
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作者 任驹 郭文阁 郑建邦 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期171-175,共5页
通过分析实际P-N结与理想模型之间的差别,建立了P-N结二极管及太阳能电池的数学模型;利用Matlab中的系统仿真模块库建立仿真模型,设置参量,求解模型方程并绘制了图形.对太阳能电池在一定光照下旁路电阻及串联电阻取不同数值时对其开路... 通过分析实际P-N结与理想模型之间的差别,建立了P-N结二极管及太阳能电池的数学模型;利用Matlab中的系统仿真模块库建立仿真模型,设置参量,求解模型方程并绘制了图形.对太阳能电池在一定光照下旁路电阻及串联电阻取不同数值时对其开路电压、短路电流及填充因子的影响做了模拟,并与实际测得的硅太阳能电池伏安特性进行了比较.模型分析与实验测量的结果表明等效的旁路电阻和串联电阻分别影响电池的开路电压和短路电流.仿真结果与实验测量结果一致. 展开更多
关键词 p-n 伏安特性 等效电路模型 太阳能电池
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p-n复合半导体光催化剂研究进展 被引量:15
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作者 吴欢文 张宁 +1 位作者 钟金莲 洪三国 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1669-1674,共6页
综述了p-n复合半导体光催化剂的光催化原理及研究现状。根据p-型材料种类,将p-n复合半导体光催化剂分为4类:p-型半导体材料为镍氧化物、p-型半导体材料为钴氧化物、p-型半导体材料铜氧化物及由其它p-型半导体材料组成的"p-n结型&qu... 综述了p-n复合半导体光催化剂的光催化原理及研究现状。根据p-型材料种类,将p-n复合半导体光催化剂分为4类:p-型半导体材料为镍氧化物、p-型半导体材料为钴氧化物、p-型半导体材料铜氧化物及由其它p-型半导体材料组成的"p-n结型"、"二极管"式p-n复合半导体光催化剂,分别对其研究状况进行了介绍。提出了当前p-n复合半导体光催化剂研究中存在的一些问题,并对未来的研究方向进行了探讨。 展开更多
关键词 光催化剂 p-n复合半导体光催化剂 p-n结光催化剂 光催化二极管 复合界面
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硅p-n结太阳电池对DF激光的响应 被引量:9
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作者 江厚满 程湘爱 李文煜 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期21-24,共4页
 对硅p n结太阳电池在DF激光辐照下的响应进行了理论和实验研究。推导了p n结反向饱和电流随温度的近似变化关系。根据该近似关系,计算了太阳电池在DF激光辐照过程中输出电压的变化曲线。计算结果和实验结果之间取得了比较好的一致性。
关键词 响应 p-n结太阳电池 p-n结反向饱和电流 DF激光 光伏效应 温度效应
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在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 被引量:8
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作者 矫淑杰 张振中 +5 位作者 吕有明 申德振 赵东旭 张吉英 姚斌 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期542-544,共3页
用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管。在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的。在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的开启电压(4 V)。在... 用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管。在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的。在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的开启电压(4 V)。在实验中得到了位于蓝紫区的电致发光。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 P型掺杂 p-n同质结 分子束外延
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GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管 被引量:4
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作者 刘学锋 王玉田 +5 位作者 刘金平 李建平 李灵霄 孙殿照 孔梅影 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期287-291,共5页
用气态源分子束外延(GSMBE)法生长了掺杂GexSi1-x/Si合金并试制了p-n异质结二极管,X射线双晶衍射和二极管I-V特性表明,GexSi1-x/Si合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏... 用气态源分子束外延(GSMBE)法生长了掺杂GexSi1-x/Si合金并试制了p-n异质结二极管,X射线双晶衍射和二极管I-V特性表明,GexSi1-x/Si合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因.通过控制GexSi1-x/Si合金的组分及厚度,我们获得了较高质量的GexSi1-x/Sip-n异质结二极管材料,其反向电压为-5V时,反向漏电流密度为6.1μA/cm2. 展开更多
关键词 p-n 异质结二极管 GSMBE 外延生长
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Photochemical oxidation mechanism of microcystin-RR by p-n heterojunction Ag/Ag_2O-BiVO_4 被引量:5
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作者 吴春红 方艳芬 +3 位作者 Araya Hailu Tirusew 向淼淼 黄应平 陈春城 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期192-198,共7页
Microcystin-RR(MC-RR),a form of microcystin with two arginine moieties,is a cyanobacterial toxin that has been detected across a wide geographic range.It is a great concern globally because of its potential liver to... Microcystin-RR(MC-RR),a form of microcystin with two arginine moieties,is a cyanobacterial toxin that has been detected across a wide geographic range.It is a great concern globally because of its potential liver toxicity.Herein,the abilities of BiVO4,Ag-BiVO4,Ag2O-BiVO4 and Ag/Ag2O-BiVO4 to photocatalytically degrade MC-RR under visible-light irradiation(λ≥420 nm) were investigated and compared.The possible degradation pathways were explored through analysis of the reaction intermediates by high-performance liquid chromatography-mass spectrometry.The results showed that the presence of Ag^0 enhanced the photocatalytic efficiency of Ag/Ag2O-BiVO4 via a synergetic effect between Ag2O and Ag^0 at the p-n heterojunction.Moreover,the presence of Ag^0 also greatly promoted the adsorption of MC-RR on the photocatalyst surface.Toxicological experiments on mice showed that the toxicity of MC-RR was significantly reduced after photocatalytic degradation. 展开更多
关键词 PHOTOCHEMICAL p-n heterojunction Silver Silver oxide Bismuth orthovanadate Microcystin-RR(MC-RR) Mechanism
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超声喷雾热解法生长氧化锌同质p-n结及其电致发光性能研究 被引量:6
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作者 边继明 刘维峰 +1 位作者 胡礼中 梁红伟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期173-175,共3页
采用超声喷雾热解法在单晶GaAs(100)衬底上生长ZnO同质p-n结.以醋酸锌水溶液为前驱体,分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源,通过氮-铟(N-In)共掺杂沉积p型ZnO薄膜,以未故意掺杂的ZnO薄膜做为n型层获得ZnO基同质p-n结.采用热蒸发... 采用超声喷雾热解法在单晶GaAs(100)衬底上生长ZnO同质p-n结.以醋酸锌水溶液为前驱体,分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源,通过氮-铟(N-In)共掺杂沉积p型ZnO薄膜,以未故意掺杂的ZnO薄膜做为n型层获得ZnO基同质p-n结.采用热蒸发工艺在ZnO层和GaAs衬底上分别蒸镀Zn/Au和Au/Ge/Ni电极而获得发光二极管原型器件,在室温下发现了该器件正向电流注入下的连续发光现象. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 同质p-n 电致发光 超声喷雾热分解
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有机p-n异质结固态太阳能电池中的激子和载流子输运 被引量:5
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作者 黄颂羽 邓慧华 +1 位作者 蓝闽波 陆祖宏 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1997年第2期150-156,共7页
在实验工作的基础上,提出了双层p-n异质结有机太阳能电池中激子和载流子输运的理论模型,假设只有扩散到结区的激子和该区产生的激子,才对形成光电流有贡献。这些激子被有机/有机界面的内建场离解成自由载流子。而后,电子在红... 在实验工作的基础上,提出了双层p-n异质结有机太阳能电池中激子和载流子输运的理论模型,假设只有扩散到结区的激子和该区产生的激子,才对形成光电流有贡献。这些激子被有机/有机界面的内建场离解成自由载流子。而后,电子在红(n型有机半导体)层传导,空穴在酞菁(p型有机半导体)层传导。据此,讨论了在红/酞菁异质结电池中,红(Me-PTC)层和铝氯酞菁(ClAlPc)层之间的Forster能量转移以及填充因子和光电转换效率均较单层肖特基型电池获得改善的机制。 展开更多
关键词 激子 载流子 有机p-n异质结 太阳能电池
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半导体硅片的p-n结和铜沉积行为的电化学研究 被引量:9
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作者 程璇 林昌健 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期509-516,共8页
分别采用电化学直流极化和交流阻抗技术 ,通过控制光照和溶液化学组分 ,研究了半导体硅片 /氢氟酸体系的电化学特性和半导体性能 .对 p( 1 0 0 )和 n( 1 0 0 )两种硅片的研究结果均表明 ,有光照条件下硅 /氢氟酸界面上的电化学反应很容... 分别采用电化学直流极化和交流阻抗技术 ,通过控制光照和溶液化学组分 ,研究了半导体硅片 /氢氟酸体系的电化学特性和半导体性能 .对 p( 1 0 0 )和 n( 1 0 0 )两种硅片的研究结果均表明 ,有光照条件下硅 /氢氟酸界面上的电化学反应很容易发生且起着主导作用 ,而黑暗条件下硅片则处于消耗期 ,电化学反应难于发生 ,因而其半导体性能起着重要的作用 .当溶液中有微量铜存在时 ,硅 /溶液界面上的电化学反应将被加速 .通过单独研究两种硅片的电化学行为 ,讨论了半导体硅片在氢氟酸溶液中形成的 p- n接点行为 ,并通过考察溶液中的铜离子浓度、光照条件和沉积时间对铜在硅片上的沉积行为的影响 ,探讨了铜沉积机理 .研究结果表明 ,电化学交流阻抗法对研究稀释氢氟酸溶液中 ppb浓度水平的微量铜杂质对硅片表面的污染极为有效 。 展开更多
关键词 铜沉积 半导体硅片 p-n 电化学
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氧化锌宽禁带半导体薄膜的发光及其p-n结特性 被引量:4
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作者 林碧霞 傅竹西 +3 位作者 刘磁辉 廖桂红 朱俊杰 段理 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期417-420,444,共5页
报道了用直流反应溅射法制备的氧化锌薄膜的近紫外发射以及热处理条件对受激发射谱的影响。同时用化学反应辅助掺杂方法生长了 p型和 n型 Zn O薄膜 ,研究了 Zn O/ Si异质结和氧化锌同质 p-n结的电压 -电流特性 (I-V特性 )
关键词 氧化锌薄膜 近紫外发射 异质结 同质p-n
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含有p-n单元的苝聚酰亚胺的合成及其敏化光电池的性能研究 被引量:4
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作者 牛海军 白续铎 +1 位作者 黄玉东 汪成 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第15期1391-1396,共6页
设计、合成并表征了含有p-n(供电子-吸电子)单元的苝聚酰亚胺PPI,并研究了其作为敏化电极材料的光电池的性能.产物为非晶态.从电子谱中计算出其能带带宽为2.16 eV,用电化学循安伏安法计算得到其电子亲和势(Ea,最低空轨道能级)为-3.97 eV... 设计、合成并表征了含有p-n(供电子-吸电子)单元的苝聚酰亚胺PPI,并研究了其作为敏化电极材料的光电池的性能.产物为非晶态.从电子谱中计算出其能带带宽为2.16 eV,用电化学循安伏安法计算得到其电子亲和势(Ea,最低空轨道能级)为-3.97 eV,离子势(IP,最高占据轨道能级的绝对值)为6.13 eV,其能级与二氧化钛的能级相匹配,对二氧化钛有较好的敏化作用.光电池的光电流作用谱(IPCE)与紫外电子谱十分相似,光电压与光强之间有指数的关系. 用苝聚酰亚胺为敏化剂的光电池的光电转换效率为0.0135%. 展开更多
关键词 p-n单元 苝聚酰亚胺 合成 敏化剂 光电池 光电转换效率
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用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结 被引量:3
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作者 孙祥乐 高思伟 +7 位作者 毛渲 龚晓霞 余黎静 宋欣波 柴圆媛 尚发兰 信思树 太云见 《红外技术》 CSCD 北大核心 2019年第8期742-749,共8页
能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本... 能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本文用EBIC(电子束诱生电流)法观察了InSb半导体器件中的p-n结。同时观察到了器件中的肖特基结,其中肖特基结显示出明显的温度特性:温度降低,肖特基结响应区域扩大,温度降至80K,Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至47μm。用离子注入法在InSb材料中制成的p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布,靠n区一侧的空间电荷区较薄,电荷密度较大,靠p区一侧的空间电荷区较厚,电荷密度相对较小。作为一种常用的观察分析工具,EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点。 展开更多
关键词 电子束诱生电流 肖特基结 p-n InSb半导体器件
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环孔p-n结理论分析 被引量:2
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作者 邢素霞 蔡毅 常本康 《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第1期27-29,37,共4页
在对环孔p n结作近似假设的基础上 ,忽略了产生 复合电流、隧穿电流和表面复合电流的影响 ,假设在低温下扩散电流起主要作用 ,并认为电极与结区之间的接触为欧姆接触 ,建立了环孔p n结的电流模型。根据此模型得出了环孔p n结的电流密... 在对环孔p n结作近似假设的基础上 ,忽略了产生 复合电流、隧穿电流和表面复合电流的影响 ,假设在低温下扩散电流起主要作用 ,并认为电极与结区之间的接触为欧姆接触 ,建立了环孔p n结的电流模型。根据此模型得出了环孔p n结的电流密度方程和R0 A的计算表达式 ,由于n区空穴的电流密度相对p区要小得多 ,在简化的表达式中忽略了n区电流密度的影响。最后对上述结果进行了数值分析和计算 ,分别做出了R0 A在中波和长波波段随温度和截止波长变化曲线。从曲线可以得出 :当截止波长在中波波段 3~ 5 μm时 ,77~ 15 0K的温度范围都可以使用 ,但只有在 130K或更低的温度下才有较好的性能。目前在中波段的R0 A值已经达到 10 9Ωcm2 ,比理论值要低 2~ 3个数量级 ;对于 8~10 .4 μm波段 ,12 0K以下都有性能 ,而 10~ 14 μm波段 ,要工作在 10 0K温度之下。 展开更多
关键词 环孔 漏电流 理论分析 p-n 焦平面
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p-n结光伏探测器的工作体制 被引量:1
18
作者 康蓉 朱佩玲 +2 位作者 袁绶章 张鹏 环健 《红外技术》 CSCD 北大核心 2010年第9期546-548,共3页
在p-n结光伏探测器的I-V曲线上选取与电压、电流轴的交点作为工作点,分析讨论输出短路或开路时的信号和噪声,继而得到探测率,进行比较得出最佳工作体制。
关键词 p-n I-V 工作体制
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基于P-N结反向恢复过程的吸收电路的仿真设计 被引量:4
19
作者 张斌 王辉 +1 位作者 李增印 李全香 《机车电传动》 北大核心 2003年第6期27-30,共4页
介绍了一种用PSPICE仿真软件设计晶闸管吸收电路的方法。该方法利用指数函数模拟P-N结反向恢复时的电流衰减过程,并用PSPICE的参数扫描功能获得吸收电路RC的最佳参数值。该方法适用于普通相控晶闸管和二极管的吸收电路参数设计,有较高... 介绍了一种用PSPICE仿真软件设计晶闸管吸收电路的方法。该方法利用指数函数模拟P-N结反向恢复时的电流衰减过程,并用PSPICE的参数扫描功能获得吸收电路RC的最佳参数值。该方法适用于普通相控晶闸管和二极管的吸收电路参数设计,有较高的精度。 展开更多
关键词 PSPICE仿真软件 仿真 晶闸管 吸收电路 p-n结反向恢复 参数设计
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低表面浓度磷掺杂的高方阻P-N结发射极制备工艺 被引量:2
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作者 李旺 唐鹿 +3 位作者 田娅晖 薛飞 辛增念 潘胜浆 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第1期132-138,共7页
制备P-N结发射极的常规扩散工艺主要包括预淀积和高温推阱两个步骤。本文采用在高温推阱之后施加一步保温过程的工艺方案,在p型多晶硅片上制备了低表面浓度磷掺杂的高方阻发射极,研究了不同保温温度对P-N结发射极的方阻和磷原子掺杂分... 制备P-N结发射极的常规扩散工艺主要包括预淀积和高温推阱两个步骤。本文采用在高温推阱之后施加一步保温过程的工艺方案,在p型多晶硅片上制备了低表面浓度磷掺杂的高方阻发射极,研究了不同保温温度对P-N结发射极的方阻和磷原子掺杂分布的影响。结果表明,当完成高温推阱后,在650~750℃温度范围内施加保温工艺所得P-N结的方阻值反向升高,同时二次离子质谱(SIMS)测试结果表明,硅片表层区域的磷原子掺杂浓度相应降低。与常规扩散工艺相比,采用在700℃下保温15 min时所得P-N结的方阻升高约3.2Ω/,所得相应太阳能电池光电转换效率E;达到18.69%,比产线工艺提高约0.23%。 展开更多
关键词 太阳能电池 p-n 磷掺杂 扩散 掺杂浓度 光电转换 转换效率
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