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Negative refractions by triangular lattice sonic crystals in partial band gaps
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作者 S.Alagoz B.B.Alagoz +1 位作者 A.Sahin S.Nur 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第4期310-321,共12页
This study numerically demonstrates the effects of partial band gaps on the negative refraction properties of sonic crystal. The partial band gap appearing at the second band edge leads to the efficient transmissions ... This study numerically demonstrates the effects of partial band gaps on the negative refraction properties of sonic crystal. The partial band gap appearing at the second band edge leads to the efficient transmissions of scattered wave envelopes in the transverse directions inside triangular lattice sonic crystal, and therefore enhances the refraction property of sonic crystal. Numerical simulation results indicate a diagonal guidance of coupled scattered wave envelopes inside crystal structure at the partial band gap frequencies and then output waves are restored in the vicinity of the output interface of sonic crystal by combining phase coherent scattered waves according to Huygens' principles. This mechanism leads to two operations for wavefront engineering: one is spatial wavefront shifting operation and the other is convex-concave wavefront inversion operation. The effects of this mechanism on the negative refraction and wave focalization are investigated by using the finite difference time domain (FDTD) simulations. This study contributes to a better understanding of negative refraction and wave focusing mechanisms at the band edge frequencies, and shows the applications of the slab comer beam splitting and SC-air multilayer acoustic system. 展开更多
关键词 sonic crystal negative refraction wave focusing partial band gap
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氧分压调控氧化铜薄膜生长及其表面功函数研究
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作者 杨文宇 付红 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期117-124,共8页
本文采用反应磁控溅射法制备p型二元铜氧化物半导体薄膜,通过氧气流量调节实现Cu_(2)O、CuO和Cu_(4)O_(3)薄膜的可控生长。所制备薄膜的形貌与结构分别利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪以及拉曼光谱进行表征。经紫外可见分光光度计测量... 本文采用反应磁控溅射法制备p型二元铜氧化物半导体薄膜,通过氧气流量调节实现Cu_(2)O、CuO和Cu_(4)O_(3)薄膜的可控生长。所制备薄膜的形貌与结构分别利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪以及拉曼光谱进行表征。经紫外可见分光光度计测量可知,Cu_(2)O、CuO和Cu_(4)O_(3)薄膜的带隙分别为2.89 eV、1.55 eV和2.74 eV。为进一步研究Cu_(2)O、CuO和Cu_(4)O_(3)薄膜的表面物理性质,基于Kelvin探针力显微镜(KPFM)技术直接测量了薄膜样品与探针尖端间的接触电位差(V_(CPD)),结果表明Cu_(2)O、CuO和Cu_(4)O_(3)薄膜的表面功函数都随着温度的升高而呈现逐渐减小的趋势。 展开更多
关键词 氧化铜 磁控溅射 带隙 氧分压 表面功函数 接触电位差
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氧分压对TiO_2膜结构与光学性质的影响 被引量:7
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作者 朱凤 赵坤 +2 位作者 赵夔 王莉芳 全胜文 《膜科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期29-34,共6页
报道了用反应溅射法制备TiO2 膜的实验研究 .详细研究了膜的沉积、膜结构及其光学性质 ,随溅射氧分压的变化 .随氧分压由 6× 10 - 2 Pa增加到 9× 10 - 2 Pa时 ,晶体结构由金红石变到锐钛矿 ,氧分压超过 9× 10 - 2 Pa时... 报道了用反应溅射法制备TiO2 膜的实验研究 .详细研究了膜的沉积、膜结构及其光学性质 ,随溅射氧分压的变化 .随氧分压由 6× 10 - 2 Pa增加到 9× 10 - 2 Pa时 ,晶体结构由金红石变到锐钛矿 ,氧分压超过 9× 10 - 2 Pa时趋向于无定形结构 .与膜结构密切相关的折射率n随氧分压的增大由 2 .4 4变到 1.96 ,禁带宽度Eg 则由大变小 ,然后再增大的变化 (3.4 1→ 3.2 6→3.4 2 ) . 展开更多
关键词 氧分压 结构 光学性质 影响 二氧化钛膜 反应溅射法 氧分压 折射率 禁带宽度
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氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响 被引量:3
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作者 刘媛媛 童杨 +3 位作者 王雪霞 王昆仑 宋淑梅 杨田林 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期3108-3112,共5页
室温下,利用射频磁控溅射技术在p型<100>硅衬底上,不同氧分压下制备了铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)。结果表明,不同氧分压的IGZO薄膜呈非晶态;随着氧分压的增大其光学带隙先增大后减小;IGZO TFT场效应迁移率先增大后减小,器... 室温下,利用射频磁控溅射技术在p型<100>硅衬底上,不同氧分压下制备了铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)。结果表明,不同氧分压的IGZO薄膜呈非晶态;随着氧分压的增大其光学带隙先增大后减小;IGZO TFT场效应迁移率先增大后减小,器件由耗尽型转变为增强型。当氧分压为7.47%时,IGZO TFT电学性能最好,场效应迁移率为4.44 cm2/(V·s),亚阈值摆幅的值是2.1 V/decade,电流开关比大于105。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 氧分压 光学带隙 IGZO TFT
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氧气分压对反应溅射制备TiO_2薄膜带隙的影响 被引量:3
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作者 赵青南 李春领 +1 位作者 刘保顺 赵修建 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期603-605,共3页
在不同的氧气分压下 ,用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2 薄膜试样 ,测试了试样的荧光发射光谱。结果表明 ,氧气分压为 0 35和 0 6 5Pa时 ,荧光光谱在 370 ,4 72和 5 14nm处出现发射峰 ;氧气分压为 0 10和 0 15Pa时 ,发射光谱... 在不同的氧气分压下 ,用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2 薄膜试样 ,测试了试样的荧光发射光谱。结果表明 ,氧气分压为 0 35和 0 6 5Pa时 ,荧光光谱在 370 ,4 72和 5 14nm处出现发射峰 ;氧气分压为 0 10和 0 15Pa时 ,发射光谱峰出现在 370和 4 90nm处。试样带隙为 3 35eV。0 35和 0 6 5Pa氧气分压下溅射的试样在带隙中有两个分别低于导带底 0 72和 0 94eV的缺陷能级 ,0 10和 0 15Pa氧气分压下溅射的试样在带隙中有一个位于导带底 0 2 3和 1 2 9eV之间的缺陷能带 ;增加氧气分压 ,缺陷能带转变成两个缺陷能级 ,在 0 6 5Pa氧气分压下 ,缺陷能级几乎消失。 展开更多
关键词 氧气分压 二氧化钛薄膜 带隙结构 直流反应磁控溅射法 制备 荧光发射光谱 缺陷能级
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氮气分压比对硼碳氮薄膜的组分及光学带隙的影响
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作者 王玉新 郑亚茹 +3 位作者 王晓玉 王晓雪 董李娜 宋哲 《辽宁师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第1期43-46,共4页
采用射频磁控溅射方法以不同的氮气分压比(1/10-2/3)制备出一组硼碳氮薄膜.傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合.XPS测量结果表明,所有样品中的B、N原子比近似为1∶1,... 采用射频磁控溅射方法以不同的氮气分压比(1/10-2/3)制备出一组硼碳氮薄膜.傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合.XPS测量结果表明,所有样品中的B、N原子比近似为1∶1,其化学配比为BCxN(0.16〈x〈1.46).紫外/可见/近红外分光光度计用于测量样品的吸收光谱.由吸收谱线在低能区域(2.0-3.0 eV)的光吸收,利用关系作图法求出光学带隙Eopt范围为0.17-0.83 eV.氮气分压比对薄膜的组分和光学带隙有很大影响,其通过改变薄膜组分而影响光学带隙,并且碳原子数小的样品具有较宽的光学带隙.以氮气分压比为1/3条件下制备的样品中碳原子数最小,它的光学带隙最宽为0.83 eV. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 硼碳氮薄膜 氮气分压比 光学带隙
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宽带低反射式通风声屏障 被引量:2
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作者 张海龙 李丽娟 +2 位作者 梁彬 杨京 程建春 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期56-60,共5页
提出了一种基于长方晶格型声子晶体结构的波矢调制特性的声屏障设计机理.该声屏障能够以极低的反射率将入射声波导引至内部,并在相对于原有的传播方向偏移一定距离后出射,从而产生局部的声静区.由于该机理不依赖于粘滞吸收效应或负的等... 提出了一种基于长方晶格型声子晶体结构的波矢调制特性的声屏障设计机理.该声屏障能够以极低的反射率将入射声波导引至内部,并在相对于原有的传播方向偏移一定距离后出射,从而产生局部的声静区.由于该机理不依赖于粘滞吸收效应或负的等效声学参数,因而可保证出射声波的强度及波形均与入射声波相近,使得所设计的声屏障能够在隔声的同时有效地将入射声能量导引至预设的位置进行吸收或进一步利用,并且具有较宽的工作频带.数值计算结果证明在7750~10000Hz频率范围内均有35dB左右以上的隔声量,最大隔声量可达50dB.此外,区别于传统重墙隔声,声子晶体薄板在隔声时未导致背景媒质的阻断,留有与声波波长同尺度的间隙.这些特性对于在实际隔声问题中的应用具有重要价值. 展开更多
关键词 声子晶体 能带结构 部分禁带 完全带隙 声屏障
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Accurate Ground State Electronic and Related Properties of Hexagonal Boron Nitride (h-BN)
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作者 Y. Malozovsky C. Bamba +2 位作者 A. Stewart L. Franklin D. Bagayoko 《Journal of Modern Physics》 2020年第6期928-943,共16页
We present an <em>ab-initio</em>, self-consistent density functional theory (DFT) description of ground state electronic and related properties of hexagonal boron nitride (h-BN). We used a local density ap... We present an <em>ab-initio</em>, self-consistent density functional theory (DFT) description of ground state electronic and related properties of hexagonal boron nitride (h-BN). We used a local density approximation (LDA) potential and the linear combination of atomic orbitals (LCAO) formalism. We rigorously implemented the Bagayoko, Zhao, and Williams (BZW) method, as enhanced by Ekuma and Franklin (BZW-EF). The method ensures a generalized minimization of the energy that is far beyond what can be obtained with self-consistency iterations using a single basis set. The method leads to the ground state of the material, in a verifiable manner, without employing over-complete basis sets. We report the ground state band structure, band gap, total and partial densities of states, and electron and hole effective masses of hexagonal boron nitride (h-BN). Our calculated, indirect band gap of 4.37 eV, obtained with room temperature experimental lattice constants of <em>a</em> = 2.504 <span style="white-space:nowrap;">&Aring;</span> and <em>c </em>= 6.661 <span style="white-space:nowrap;">&Aring;</span>, is in agreement with the measured value of 4.3 eV. The valence band maximum is slightly to the left of the K point, while the conduction band minimum is at the M point. Our calculated, total width of the valence and total and partial densities of states are in agreement with corresponding, experimental findings. 展开更多
关键词 Density Functional Theory band gap Density and partial Density of States Electron and Hole Effective Masses
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复合兰姆波声子晶体中超宽部分禁带 被引量:6
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作者 丁红星 沈中华 +2 位作者 李加 祝雪丰 倪晓武 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第19期394-401,共8页
兰姆波在声子晶体薄板中的传播特性因其在无损检测、减振技术和传感器件等领域的潜在应用价值而受到越来越多的关注.本文采用超原胞平面波展开法和有限元法系统地研究了复合对称结构声子晶体薄板中的兰姆波超宽部分禁带.结果表明:对于... 兰姆波在声子晶体薄板中的传播特性因其在无损检测、减振技术和传感器件等领域的潜在应用价值而受到越来越多的关注.本文采用超原胞平面波展开法和有限元法系统地研究了复合对称结构声子晶体薄板中的兰姆波超宽部分禁带.结果表明:对于在薄板侧面对称地嵌入双层矩形空气柱构成的复杂系统,低阶兰姆波部分带隙结构极为丰富.将晶格常数(L)和板厚(H)比值具有匹配关系的兰姆波声子晶体衔接构成复合结构,低阶兰姆波部分禁带宽度因各组分结构的部分禁带交叠而得到显著拓宽,可在低频超宽频带内实现对特定低阶兰姆波模式良好的模式选择功能.该研究结果对兰姆波缺陷无损检测中模式优化选择及兰姆波单向导通器件设计等方面具有重要意义. 展开更多
关键词 兰姆波 声子晶体 部分禁带
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