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Experimental Research on Inhibition of Surface Flashover Based on High Power Gallium Arsenide Photoconductive Switches Triggered by Laser
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作者 徐鸣 施卫 +2 位作者 姜增公 王少强 符张龙 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第6期672-675,共4页
Semi-insulating gallium arsenide (GaAs) photoconductive semiconductor switches (PCSS) have great potential for high voltage switching application, however, the utility is restricted by surface flashover which wouI... Semi-insulating gallium arsenide (GaAs) photoconductive semiconductor switches (PCSS) have great potential for high voltage switching application, however, the utility is restricted by surface flashover which wouId result in breakdown. In this paper, a model of photo-activated charge wave was proposed based on the theory of photo-activated charge domain (PACD) in GaAs PCSS, and moderate suppression of PACD formation by loading the semiconductor surface with dielectric material was investigated theoretically and experimentally. Current as high as 3.7 kA was obtained at 28 kV, implying that this method can effectively inhibit the surface flashover and improve the service life of DC charged GaAs PCSS. 展开更多
关键词 GAAS photoconductive switches photo-activated charge domain LONGEVITY
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适用于光导开关触发的V/N气体开关设计与验证
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作者 宋雨辉 王凌云 +8 位作者 周良骥 刘宏伟 张东东 陈林 袁建强 邓明海 谢卫平 高彬 王瑞杰 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期68-74,共7页
为了满足多路精确同步触发开关要求,将光导开关(PCSS)与V/N气体开关结合,可充分发挥PCSS低触发阈值、低抖动和光电隔离以及V/N气体开关工作电压高、带载能力强等优势。两种开关结合的核心是V/N气体开关结构参数与PCSS触发回路的参数匹... 为了满足多路精确同步触发开关要求,将光导开关(PCSS)与V/N气体开关结合,可充分发挥PCSS低触发阈值、低抖动和光电隔离以及V/N气体开关工作电压高、带载能力强等优势。两种开关结合的核心是V/N气体开关结构参数与PCSS触发回路的参数匹配。分析计算了V/N气体开关的结构电容、触发回路振荡参数、开关电场分布等,研究了V/N气体开关的结构电容与PCSS、串联电感等构成的振荡回路的匹配关系,通过实验获得了V/N气体开关自击穿电压曲线、导通延迟时间以及不同欠压比下的延迟时间抖动等,初步验证了适用于PCSS触发的V/N气体开关设计。 展开更多
关键词 同步触发 V/N气体开关 PCSS 结构电容 自击穿电压
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基于偶氮苯的光开关分子探针与传感芯片研究进展 被引量:2
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作者 钦传光 鲁彩霞 +4 位作者 欧阳高伟 钦可 张峰 王晓辉 石海通 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期433-443,共11页
随着人们对偶氮苯光致异构化反应机制和特性的研究和认识越来越深入透彻,偶氮苯衍生物无论是在理论上还是在实验方面都受到了大量的关注。近年来,偶氮苯衍生物作为光开关响应的功能元件不仅已经用于合成智能聚合物,液晶材料,分子开关和... 随着人们对偶氮苯光致异构化反应机制和特性的研究和认识越来越深入透彻,偶氮苯衍生物无论是在理论上还是在实验方面都受到了大量的关注。近年来,偶氮苯衍生物作为光开关响应的功能元件不仅已经用于合成智能聚合物,液晶材料,分子开关和分子机器等,而且正迅速地渗透到化学生物学体系研究和分析的各个方面。因此,本文将着重就基于偶氮苯衍生物功能化的光开关型分子探针与传感芯片及其在化学生物学分析研究方面所取得的最新进展进行总结和综述。引用103篇文献,并对未来的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 偶氮苯衍生物 分子探针 传感芯片 生物分析 光开关 分子识别 综述
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差分红外型甲烷浓度光纤网络传感系统的研究 被引量:2
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作者 张志伟 张记龙 +1 位作者 李晓 张悦 《中北大学学报(自然科学版)》 EI CAS 2006年第4期344-347,共4页
基于甲烷气体在其特征吸收波长下光的吸收程度随浓度变化的机理和差分吸收测量方法,结合空分复用技术和长光程吸收池技术,并考虑煤矿矿井中环境的特点,复用多个气体吸收型光纤传感器.介绍了利用差分红外光谱方法测量矿井中甲烷浓度的光... 基于甲烷气体在其特征吸收波长下光的吸收程度随浓度变化的机理和差分吸收测量方法,结合空分复用技术和长光程吸收池技术,并考虑煤矿矿井中环境的特点,复用多个气体吸收型光纤传感器.介绍了利用差分红外光谱方法测量矿井中甲烷浓度的光纤网络传感系统的工作原理,给出了系统的结构框图.实验表明,吸收气室光程长为20 cm时,该传感器的检测限为4.278 m g/m3,精确度和稳定性可以满足实际要求,可在不同场合进行多点在线测量. 展开更多
关键词 红外激光光源 甲烷浓度 差分吸收 光开关 光纤网络传感器
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光电双基区晶体管中的光控电流开关效应 被引量:5
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作者 郭维廉 张培宁 +2 位作者 郑云光 李树荣 张世林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期19-21,30,共4页
光电双基区晶体管在光电混合模式工作条件下具有光控“S”型负阻特性及其光控电流开关效应。测量了光照时IBE-VBE特性、Ith(光阈值)-RC特性等曲线。并利用电注入双基区晶体管的“S”型负阻产生机理解释了测得的结果。
关键词 光电负阻器件 光控电流开关 光电晶体管
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硅光电负阻器件的光电功能 被引量:3
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作者 张世林 郭维廉 +2 位作者 沙亚男 李树荣 郑云光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期17-21,共5页
全面介绍了从硅光电负阻器件上发现的几种光电控制功能,为进一步开发应用这类器件奠定了基础。
关键词 光电负阻器件 光控电流开关 光控调频 光电功能
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LT-GaAs飞秒光电导特性 被引量:2
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作者 郭冰 文锦辉 +3 位作者 张海潮 廖睿 赖天树 林位株 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期179-183,共5页
采用飞秒脉冲光电探测技术研究低温生长砷化镓光电导开关超快瞬态响应特性 .实验测得不同激发波长或偏置电压下 L T- Ga As光电导开关瞬态响应驰豫时间约 35 0~ 390 fs,由实验数据计算得到电子迁移率约 10 0 0 cm2 /V.s.由导出的瞬态... 采用飞秒脉冲光电探测技术研究低温生长砷化镓光电导开关超快瞬态响应特性 .实验测得不同激发波长或偏置电压下 L T- Ga As光电导开关瞬态响应驰豫时间约 35 0~ 390 fs,由实验数据计算得到电子迁移率约 10 0 0 cm2 /V.s.由导出的瞬态光电流相关响应归一化表达式 ,对实验曲线进行数据拟合 ,结果与实验曲线吻合 . 展开更多
关键词 飞秒激光 LT-GAAS 超快光电导开关
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缺陷对对称结构光子晶体透射谱的影响 被引量:4
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作者 苏安 白书琼 +2 位作者 陈颖川 欧阳志平 梁祖彬 《河池学院学报》 2016年第2期34-38,72,共6页
利用传输矩阵法理论,研究缺陷对对称结构光子晶体透射谱的影响规律,结果表明:当对称结构光子晶体中无缺陷时,光子晶体禁带中心出现一条缺陷模,且缺陷模的带宽随基元介质排列周期数增大而变窄;当对称结构光子晶体的对称中心插入单一缺陷... 利用传输矩阵法理论,研究缺陷对对称结构光子晶体透射谱的影响规律,结果表明:当对称结构光子晶体中无缺陷时,光子晶体禁带中心出现一条缺陷模,且缺陷模的带宽随基元介质排列周期数增大而变窄;当对称结构光子晶体的对称中心插入单一缺陷时,禁带中不出现窄缺陷模,即透射谱与标准周期结构光子晶体的透射谱相似;当光子晶体的两端插入对称的两层缺陷时,禁带中心出现缺陷模,但缺陷模的带宽宽于无缺陷时光子晶体的缺陷模带宽;当光子晶体的内两侧基元介质排列周期之间插入对称的两层缺陷时,禁带中出现三条窄缺陷模,且随着两缺陷之间距离增大,缺陷模向禁带中心靠拢形成简并的趋势;当光子晶体的内两侧基元介质之间插入对称的两层缺陷时,禁带中出现多条窄缺陷模,且缺陷模的条数可由含缺陷单元介质排列周期数调节。缺陷对对称结构光子晶体透射谱的调制规律,为光子晶体制备多通道光学滤波器、光学开关等器件提供参考。 展开更多
关键词 光子晶体 对称缺陷 滤波 光开关 缺陷模
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全氟环戊二芳基乙烯多功能分子开关的研究进展 被引量:2
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作者 范丛斌 章洛汗 蒲守智 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期18-22,共5页
全氟环戊二芳基乙烯是近年来国内外备受关注的一类光致变色化合物,其优良的热稳定性、抗疲劳性,使其很有可能成为一种新型的超高密度信息存储、分子开关及光通信材料。主要介绍了该类化合物的结构异构所表现的不同特性的光/热控分子开... 全氟环戊二芳基乙烯是近年来国内外备受关注的一类光致变色化合物,其优良的热稳定性、抗疲劳性,使其很有可能成为一种新型的超高密度信息存储、分子开关及光通信材料。主要介绍了该类化合物的结构异构所表现的不同特性的光/热控分子开关、电化学开关、荧光开关、手性开关和液晶等分子开关,并展望了该类化合物的发展前景。 展开更多
关键词 光/热开关 电化学开关 荧光开关 手性开关
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光导开关级联Blumlein型脉冲网络设计 被引量:3
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作者 马勋 邓建军 +4 位作者 姜苹 刘金锋 刘宏伟 袁建强 李洪涛 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1851-1855,共5页
为了驱动重复频率运行高阻抗X光管,设计了基于光导开关的级联Blumlein型脉冲形成网络。采用数值模拟方法优化网络参数,从网络充电电压一致性、输出脉冲波形畸变、电压叠加效率、负载预脉冲幅值出发确定了充电电感和支撑电感设计原则。... 为了驱动重复频率运行高阻抗X光管,设计了基于光导开关的级联Blumlein型脉冲形成网络。采用数值模拟方法优化网络参数,从网络充电电压一致性、输出脉冲波形畸变、电压叠加效率、负载预脉冲幅值出发确定了充电电感和支撑电感设计原则。实验表明:光导开关工作场强23.2kV/cm,激光触发能量3.5mJ时,阻抗约15.6Ω的Blumlein型脉冲形成网络电压转换效率为0.71,2级级联网络电压叠加效率0.96。 展开更多
关键词 光导开关 级联Blumlein型脉冲形成网络 脉冲X光机 功率合成
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一种新的防跑车装置测控系统 被引量:2
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作者 李松 唐进元 《测控技术》 CSCD 北大核心 2009年第10期37-39,43,共4页
介绍了一种新的基于PLC(可编程控制器)和光电开关的矿山防跑车装置测控系统的原理和设计,系统采用了电力线载波技术进行信号传输,并通过计算机仿真测试和上机试验测试,证明其是一种比较安全、可靠、经济、使用方便的测控系统。
关键词 防跑车 测控系统 PLC 光电开关 电力线载波
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雪崩倍增GaAs光电导太赫兹辐射源研究进展 被引量:5
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作者 施卫 闫志巾 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第22期33-38,共6页
在飞秒激光激励下用GaAs光电导开关作为太赫兹(THz)辐射天线,已经广泛用于太赫兹时域光谱系统,但目前国际上都是使用GaAs光电导开关的线性工作模式,而GaAs光电导开关的雪崩倍增工作模式所输出的超快电脉冲功率容量远大于其线性工作模式... 在飞秒激光激励下用GaAs光电导开关作为太赫兹(THz)辐射天线,已经广泛用于太赫兹时域光谱系统,但目前国际上都是使用GaAs光电导开关的线性工作模式,而GaAs光电导开关的雪崩倍增工作模式所输出的超快电脉冲功率容量远大于其线性工作模式,迄今为止,还没有人提出用雪崩倍增机理的GaAs光电导开关作为辐射源产生THz电磁辐射.本文探讨了用雪崩倍增工作模式的GaAs光电导开关作为光电导天线产生THz电磁波的可能性及研究进展.通过理论分析及实验研究,在实验上实现了:1)利用nJ量级飞秒激光触发GaAs光电导天线,可以进入雪崩倍增工作模式;2)利用光激发电荷畴的猝灭模式,可以使GaAs光电导天线载流子雪崩倍增模式的延续时间(lock-on时间)变短.这为利用具有雪崩倍增机理的GaAs光电导天线产生强THz辐射奠定了基础. 展开更多
关键词 GAAS光电导开关 光电导天线 光激发电荷畴 雪崩倍增
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基于光导开关的重复频率闪光X光机 被引量:1
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作者 马勋 袁建强 +3 位作者 刘宏伟 王凌云 姜苹 李洪涛 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期151-153,共3页
采用砷化镓光导开关和Blumlein型脉冲形成网络以级联的拓扑形式构建平顶输出功率源,驱动工业X光二极管产生X射线。提出了一种轮辐状金属-陶瓷沿面阴极,并与普通金属阴极工业X光二极管重复频率实验结果进行比较。研究表明:受限于阴极重... 采用砷化镓光导开关和Blumlein型脉冲形成网络以级联的拓扑形式构建平顶输出功率源,驱动工业X光二极管产生X射线。提出了一种轮辐状金属-陶瓷沿面阴极,并与普通金属阴极工业X光二极管重复频率实验结果进行比较。研究表明:受限于阴极重复频率下的电流发射能力,普通金属阴极工业X光二极管难以实现1kHz重复频率,采用新型阴极二极管实现了1kHz重复频率2猝发脉冲X光输出,这两个脉冲的二极管功率、X射线信号基本一致。 展开更多
关键词 闪光X光机 光导开关 级联Blumlein型脉冲形成网络 X光二极管 重复频率
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用于识别金属离子的超分子荧光/磷光传感器 被引量:7
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作者 王煜 晋卫军 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 2003年第3期178-185,共8页
本文总结了近年来用于金属离子识别的超分子荧光 /磷光传感器的研究工作进展 ,着重介绍了光诱导电子转移及单体 -激基缔合物体系在金属离子识别中的应用。
关键词 金属离子 光诱导电子转移 超分子 单体—激基缔合物 荧光/磷光传感器 离子识别 荧光/磷光检测法 分析
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剪刀型双卟啉锌配合物在Cu^+离子和DABCO双客体调控下的荧光开关效应 被引量:3
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作者 周再春 朱义州 郑健禺 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1153-1158,共6页
设计了一个含有双包合功能的剪刀型双卟啉锌化合物1(1,8-二{4-[N-(N,N-锌-5,10,15,20-四苯基卟啉-4′-取代)-氨基羰基]苄氧基}蒽醌).通过荧光、紫外-可见光谱和核磁共振谱滴定实验证实,化合物1能分别与金属离子和含氮双齿客体作用,Cu+... 设计了一个含有双包合功能的剪刀型双卟啉锌化合物1(1,8-二{4-[N-(N,N-锌-5,10,15,20-四苯基卟啉-4′-取代)-氨基羰基]苄氧基}蒽醌).通过荧光、紫外-可见光谱和核磁共振谱滴定实验证实,化合物1能分别与金属离子和含氮双齿客体作用,Cu+离子和游离DABCO(1,4-偶氮双环[2,2,2]辛烷)都能导致化合物1中卟啉发光团的荧光猝灭,它们的荧光猝灭机制分别源于光诱导电子转移过程(PET)和配体交换引起的电荷转移过程.Cu+离子和游离DABCO两种客体在氯仿溶液中可以相互作为彼此的捕获剂,通过循环地加入这两种客体,可以构筑一个双客体调控的OFF/ON荧光开关. 展开更多
关键词 锌双卟啉 分子开关 荧光猝灭 光诱导电子转移
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GaAs光电导开关非线性锁定效应的机理研究 被引量:5
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作者 薛红 施卫 +1 位作者 纪卫莉 韩小卫 《西安理工大学学报》 CAS 北大核心 2011年第4期407-410,共4页
根据光激发电荷畴模型,研究强电场条件下,半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的瞬态输运过程及载流子与晶格相互作用的性质,并对光激发单极电荷畴的形成、生长、输运及达到稳定平衡状态的全过程进行了分析。认为GaAs光电导开关的非线性锁... 根据光激发电荷畴模型,研究强电场条件下,半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的瞬态输运过程及载流子与晶格相互作用的性质,并对光激发单极电荷畴的形成、生长、输运及达到稳定平衡状态的全过程进行了分析。认为GaAs光电导开关的非线性锁定效应是光激发单电荷畴处于稳定平衡状态时的必然结果,同时,电荷畴内部及前端的强电场区域伴随有热电子强烈的局部碰撞电离和辐射复合作用,使载流子迅速"雪崩"倍增,形成输出电脉冲的超快上升沿,强电场区出现在GaAs光电导开关的阳极周围,在电荷畴到阳极之间将发生强烈的碰撞电离和辐射复合发光,形成丝状电流。 展开更多
关键词 光电导开关 锁定效应 光激发单极电荷畴 非平衡载流子
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光电耦合器在控制系统中的应用研究 被引量:7
17
作者 嵇海旭 梁秀娟 《装备制造技术》 2012年第1期34-36,共3页
阐述了光电耦合器的结构特点,提出了其在强电和弱电隔离中的重要应用,具有很高的实用价值。
关键词 光电耦合器 隔离 开关量 模拟量
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高速采样示波器校准技术的进展——兼论可溯源电器波形校准量值传递链路 被引量:2
18
作者 林茂六 《国外电子测量技术》 2010年第10期17-22,共6页
本文综述了发达国家近十年来在高速采样示波器校准方面所取得的重要进展。简要描述了基于脉冲太赫兹光谱产生超快电脉冲和利用光电采样技术重构超快电气波形的原理。对当前国际上流行的两种方案的优缺点作了评述,给出了基于脉冲太赫兹... 本文综述了发达国家近十年来在高速采样示波器校准方面所取得的重要进展。简要描述了基于脉冲太赫兹光谱产生超快电脉冲和利用光电采样技术重构超快电气波形的原理。对当前国际上流行的两种方案的优缺点作了评述,给出了基于脉冲太赫兹光谱实现超快(脉冲)波形量值可溯源链路。 展开更多
关键词 脉冲太赫兹 光接收机 光导开关 光电采样 量值溯源
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磺化酞菁铜分子膜/SiO_2/Si界面电荷转移机制的研究
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作者 江雷 刘旺 +4 位作者 王德军 李铁津 白玉白 韩力 费浩生 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第8期1098-1101,共4页
在具有不同氧化层厚度的p型硅基片上修饰2层磺化酞菁铜分子膜.利用时间分辨表面光电压谱技术,对该膜系的界面电荷转移机制的光电开关特性进行了研究。结果表明,用时间分辨表面光电压谱技术研究界面电荷转移过程具有明显优越性.
关键词 光电压 电荷转移 磺化酞菁铜 LB膜
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梳状光电传感器及其信号调理电路的研制 被引量:1
20
作者 朱湘临 陈照章 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2002年第11期34-36,共3页
为了改变车辆行驶性能测试采用五轮仪的落后状况 ,采用新一代梳状光电传感器 ,研制成非接触式车速仪。分析了该光电传感器的工作原理及信号特点 ,设计了适合处理该信号的窄带通跟踪滤波器。通过压缩带宽 ,克服了干扰 ,防止了有效信号的... 为了改变车辆行驶性能测试采用五轮仪的落后状况 ,采用新一代梳状光电传感器 ,研制成非接触式车速仪。分析了该光电传感器的工作原理及信号特点 ,设计了适合处理该信号的窄带通跟踪滤波器。通过压缩带宽 ,克服了干扰 ,防止了有效信号的丢失 ,提高了精度。研制的锁相环预偏电路 ,解决了起步车速和调速的测量问题。实际测试和对比试验表明 ,采用该光电传感器及其研制的车速仪 ,测量精度高 ,使用方便 ,具有较大的推广应用价值。 展开更多
关键词 梳状光电传感器 信号调理电路 研制 窄带通跟踪滤波器 锁相环 开关电容滤波器
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