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Micro-patterning of Copper Based on Photolithographed Self-assembly Monolayers
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作者 LanHUANG HaoYingSHEN 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2002年第2期163-164,共2页
A new method has been developed for fabrication of copper micro-pattern by selective chemical copper deposition based on photolithographed (3-mercaptopropyl)-trimethoxysilane (MPTS) self-assembly monolayers (SAMs). A... A new method has been developed for fabrication of copper micro-pattern by selective chemical copper deposition based on photolithographed (3-mercaptopropyl)-trimethoxysilane (MPTS) self-assembly monolayers (SAMs). As confirmed by scanning electron microscopy (SEM), Cu closely replicated the mask features. The present approach makes this technic to be cheap and may be applicable to assembly of microelectronic circuits. 展开更多
关键词 Micro-pattern DEPOSITION photolithograph SAMS MPTS SEM.
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Top contact organic field effect transistors fabricated using a photolithographic process
2
作者 王宏 姬濯宇 +3 位作者 商立伟 刘兴华 彭应全 刘明 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第8期389-393,共5页
This paper proposes an effective method of fabricating top contact organic field effect transistors by using a pho- tolithographic process. The semiconductor layer is protected by a passivation layer. Through photolit... This paper proposes an effective method of fabricating top contact organic field effect transistors by using a pho- tolithographic process. The semiconductor layer is protected by a passivation layer. Through photolithographic and etching processes, parts of the passivation layer are etched off to form source/drain electrode patterns. Combined with conventional evaporation and lift-off techniques, organic field effect transistors with a top contact are fabricated suc- cessfully, whose properties are comparable to those prepared with the shadow mask method and one order of magnitude higher than the bottom contact devices fabricated by using a photolithographic process. 展开更多
关键词 organic field effect transistors top contact photolithographic
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应用于时间投影室的光刻一体化微结构探测器性能研究
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作者 邓桂华 李沛玉 +18 位作者 张昀昱 智宇 张俊伟 孙鹏飞 宋金兴 周静 庄晓 赵明锐 贾世海 吝守龙 卢志永 靳尚泰 许天驹 王浩祯 蒋涛 郭佳承 陈雷 胡守扬 李笑梅 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2024年第4期595-602,共8页
时间投影室(Time Projection Chamber,TPC)可以同时测量时间和位置信息,光刻一体化微结构探测器作为其读出探测器具有抗干扰性强、均匀性好、透过率高的特性。为了寻找探测器最佳的工作条件,使用55Fe豁免源测试了实验室研制的流气型光... 时间投影室(Time Projection Chamber,TPC)可以同时测量时间和位置信息,光刻一体化微结构探测器作为其读出探测器具有抗干扰性强、均匀性好、透过率高的特性。为了寻找探测器最佳的工作条件,使用55Fe豁免源测试了实验室研制的流气型光刻一体化微结构探测器在不同Ar和CO_(2)比例下的增益、能量分辨率以及在最优气体比例下的均匀性。根据测试结果,探测器在85%Ar和15%CO_(2)混合气体下增益达到最大,超过104,增益均匀性为3.26%,达到目前国际上光刻微结构探测器同等水平。对雪崩区厚度分别为100μm、160μm和220μm的3种光刻一体化微结构探测器增益及其均匀性进行比较,雪崩区厚度为160μm的探测器是更优的选择。研制了密闭型微结构探测器,通过测试证明,可以在常温常压下正常工作21天以上。闭气模式下探测器的增益与温度呈负相关,与流气模式下相反,两种模式下的能量分辨在短期内都不受小范围温度变化影响。 展开更多
关键词 时间投影室 光刻一体化微结构探测器 气体比例 雪崩区厚度
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集成电路光刻光源装备的发展历程
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作者 陈润俊 《中国集成电路》 2024年第7期25-30,共6页
本文研究集成电路光刻光源装备的发展历程,即根据光刻设备的曝光光源的发展时间顺序,分析三代光刻光源装备,对汞灯灯源、准分子激光器以及二氧化碳(CO_(2))激光器进行简要概述;同时,挖掘和分析其底层光源系统、气体组成以及驱动电路,并... 本文研究集成电路光刻光源装备的发展历程,即根据光刻设备的曝光光源的发展时间顺序,分析三代光刻光源装备,对汞灯灯源、准分子激光器以及二氧化碳(CO_(2))激光器进行简要概述;同时,挖掘和分析其底层光源系统、气体组成以及驱动电路,并对未来光源进行展望。 展开更多
关键词 汞灯灯源 准分子激光器 CO_(2)激光器 光刻光源产生
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红外透明导电金属网栅薄膜 被引量:16
5
作者 高劲松 孙连春 +2 位作者 郑宣明 朱世栋 赵晶丽 《光学技术》 CAS CSCD 2001年第6期558-559,共2页
介绍了一种既高效透过红外光 ,同时又能有效屏蔽电磁干扰的金属网栅薄膜的基本原理和制备工艺。分析了网栅参数对其光学及电磁性能的影响。介绍了利用光刻和镀膜技术 ,在红外基片上制作线条宽度小于 10 μm ,周期约 35 0 μm的金属网栅。
关键词 光刻 镀膜 金属网栅 电磁屏蔽 红外
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一种快速光刻模拟中二维成像轮廓提取的新方法 被引量:12
6
作者 陈志锦 史峥 +2 位作者 王国雄 付萍 严晓浪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期766-771,共6页
在一种新颖的快速光刻模拟算法的基础上 ,提出了一种新的基于稀疏空间点光强计算的二维成像轮廓提取算法 .该算法能够根据版图特点合理选择采样线的位置 ,有效地确定轮廓线存在的范围 ,并根据在采样线上光强单调分布的特性来快速地搜寻... 在一种新颖的快速光刻模拟算法的基础上 ,提出了一种新的基于稀疏空间点光强计算的二维成像轮廓提取算法 .该算法能够根据版图特点合理选择采样线的位置 ,有效地确定轮廓线存在的范围 ,并根据在采样线上光强单调分布的特性来快速地搜寻轮廓点 .实验表明 ,这是一种快速高效的轮廓提取方案 ,能够适应光学邻近校正中巨大的运算量 . 展开更多
关键词 光刻 二维成像轮廓 提取 光学邻近校正 OPC 集成电路
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溶胶-凝胶法制备聚酰亚胺/二氧化钛感光杂化材料 被引量:8
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作者 刘丽 路庆华 +2 位作者 印杰 朱子康 王宗光 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1943-1944,共2页
Photosensitive polyimide/titania hybrid was prepared successfully by sol gel process. This hybrid material posseses a good photolithographic property under UV exposure. The introduction of titania leads to the increas... Photosensitive polyimide/titania hybrid was prepared successfully by sol gel process. This hybrid material posseses a good photolithographic property under UV exposure. The introduction of titania leads to the increase in refractive index of the hybrid. 展开更多
关键词 杂化材料 聚酰亚胺 光刻 二氧化钛 溶胶-凝胶法 钛酸丁酯 纳米材料 感光材料
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电沉积技术制作高聚物微流控芯片模具 被引量:4
8
作者 罗怡 褚德南 +2 位作者 娄志峰 刘冲 王立鼎 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期204-207,共4页
利用电沉积技术制作微流控芯片金属模具,方法是:使用新型超厚光刻胶SU8胶作近紫外光刻,并在光刻后的图案上电沉积金属Ni,之后去胶,最终获得金属模具.该法减小了电沉积工作量.采用反向电流预处理基底、并适当增加电铸液的添加剂以及脱模... 利用电沉积技术制作微流控芯片金属模具,方法是:使用新型超厚光刻胶SU8胶作近紫外光刻,并在光刻后的图案上电沉积金属Ni,之后去胶,最终获得金属模具.该法减小了电沉积工作量.采用反向电流预处理基底、并适当增加电铸液的添加剂以及脱模后真空退火,即可明显提高电沉积微结构与基底的结合力.用此金属模具成功热压了PMMA,制成了微流控芯片. 展开更多
关键词 电沉积 光刻 结合力
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新的离子型光敏聚酰亚胺 被引量:6
9
作者 侯豪情 李悦生 丁孟贤 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期100-102,共3页
新的离子型光敏聚酰亚胺侯豪情李悦生丁孟贤*(中国科学院长春应用化学研究所,中国科学院-中国石化总公司高分子化学联合开放实验室长春130022)关键词光敏聚酰亚胺,制备,光刻胶1997-07-17收稿,1997-12-... 新的离子型光敏聚酰亚胺侯豪情李悦生丁孟贤*(中国科学院长春应用化学研究所,中国科学院-中国石化总公司高分子化学联合开放实验室长春130022)关键词光敏聚酰亚胺,制备,光刻胶1997-07-17收稿,1997-12-18修回吉林省重点科技发展项目离子... 展开更多
关键词 光敏聚酰亚胺 制备 光刻胶 离子型 聚酰亚胺
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亚微米投影光刻物镜光学制造技术 被引量:3
10
作者 伍凡 杨力 +3 位作者 陈强 吴时彬 许全益 张晶 《光学技术》 EI CAS CSCD 1998年第3期60-62,11,共4页
本文报告亚微米光刻5倍g线与i线投影光刻物镜的光学制造技术。讨论超高精度要求的球面曲率半径、透镜中心厚度、球面面形与透镜偏心差等各项指标的综合控制技术与检测方法。着重介绍了作者所发展的大口径高精度双胶合透镜的计算机辅... 本文报告亚微米光刻5倍g线与i线投影光刻物镜的光学制造技术。讨论超高精度要求的球面曲率半径、透镜中心厚度、球面面形与透镜偏心差等各项指标的综合控制技术与检测方法。着重介绍了作者所发展的大口径高精度双胶合透镜的计算机辅助无变形胶合技术。给出了加工检测结果以及镜头的主要性能指标。 展开更多
关键词 亚微米 投影光刻物镜 无变形胶合 微电子工艺
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亚微米(i线和g线)投影光刻物镜的光学装校 被引量:5
11
作者 姚汉民 魏全忠 齐晓慧 《光学技术》 EI CAS CSCD 1998年第3期63-66,共4页
本文列出了i线和g线大数值孔径亚微米投影光刻物镜的技术指标要求,讨论了这类超高精度光刻物镜的光学装校技术特点,报告了计算机辅助高精度复杂光学系统偏心校正仪器和方法,最后给出了i线和g线光刻物镜装校检测结果。
关键词 投影光刻物镜 光学装校 微电子学 亚微米
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六角形孔径平面微透镜阵列的制作及基本特性研究 被引量:9
12
作者 张玉 刘德森 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1639-1642,共4页
采用光刻离子交换工艺制作了六角形孔径平面微透镜阵列.离子交换后的变折射率区域有微小重叠,填充系数可达95%以上.对制作的六角形孔径平面微透镜进行了折射率分布、数值孔径和像差等光学特性测试,得到的六角形孔径平面微透镜阵列光学... 采用光刻离子交换工艺制作了六角形孔径平面微透镜阵列.离子交换后的变折射率区域有微小重叠,填充系数可达95%以上.对制作的六角形孔径平面微透镜进行了折射率分布、数值孔径和像差等光学特性测试,得到的六角形孔径平面微透镜阵列光学性能均匀,成像质量较好的结果.该透镜阵列的研制成功为制作高质量高填充系数透镜阵列及模拟生物复眼光学系统奠定了基础. 展开更多
关键词 平面微透镜 六角形孔径 光刻离子交换 填充系数
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光敏聚酰亚胺抗蚀剂的研究 被引量:2
13
作者 李加深 李佐邦 +5 位作者 朱普坤 杨丽芳 李芳 焦晓明 成爱萍 陈建军 《感光科学与光化学》 CSCD 1999年第4期334-337,共4页
A kind of negative photoresist, composed of photosensitive polyimides and N methyl 2 pyrrolidone was formulated. The curing mechanism and the relationship of the properties and structure of PSPIs were studied. The res... A kind of negative photoresist, composed of photosensitive polyimides and N methyl 2 pyrrolidone was formulated. The curing mechanism and the relationship of the properties and structure of PSPIs were studied. The results of TGA show that the PSPIs have excellent heat resistance. Based on our research, the pattern with line width as low as 2.5 μm was gained with the conventional UV photolithography under the optimum parameters. 展开更多
关键词 聚酰亚胺 光固化 热失重 光刻工艺 抗蚀剂
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弱碱三元复合驱剩余油微观驱替机理 被引量:6
14
作者 张继红 李鑫 《当代化工》 CAS 2020年第4期645-648,共4页
在碱、聚合物和表面活性剂的协同作用下,三元复合驱驱替效果显著提升,对各类剩余油的动用效果也明显增强。通过室内微观驱替实验,使用一种弱碱三元复合驱体系对水驱后形成的簇状、柱状、盲端状、油滴状和膜状5类剩余油类型进行驱替机理... 在碱、聚合物和表面活性剂的协同作用下,三元复合驱驱替效果显著提升,对各类剩余油的动用效果也明显增强。通过室内微观驱替实验,使用一种弱碱三元复合驱体系对水驱后形成的簇状、柱状、盲端状、油滴状和膜状5类剩余油类型进行驱替机理分析。研究表明:在三元复合驱体系内,碱有利于生成具有表面活性剂性质的物质、溶解界面膜、改变岩石润湿性、充当"牺牲剂";表面活性剂可以改变油水界面张力、改变岩石浸润性;聚合物起到降低驱替剂与原油的流度比、增大驱替剂黏度、增大驱替压力的作用。在该体系的作用下,水驱后难以被动用的剩余油驱替效果显著提升。 展开更多
关键词 三元复合驱 剩余油类型 驱替机理 光刻玻璃模型 协同作用
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相移掩模对曝光图形空间像光强分布影响的计算机模拟 被引量:5
15
作者 沈锋 冯伯儒 孙国良 《微细加工技术》 1995年第1期7-14,共8页
本文讨论了提高曝光分辨率的一种主要方法:相移掩模方法。分析了相移掩模提高分辨率的原理,提出了相移掩模成像的模拟思想,推导了数学公式,并实现了计算机模拟,给出了一些初步结果。
关键词 相移掩模 光刻 计算机模拟 VLSI 集成电路
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PI电容湿度传感器的研制 被引量:6
16
作者 吴正元 陈涛 陈萍丽 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1999年第4期46-48,共3页
采用集成电路光刻工艺在玻璃衬底上制成了以聚酰亚胺(PI)为介质膜,以铬、金为电极的电容式湿度传感器.给出了传感器的制造工艺、湿敏特性和工作原理.测试结果表明:在相对湿度RH为0~96%范围内C~RH曲线线性度良好,灵... 采用集成电路光刻工艺在玻璃衬底上制成了以聚酰亚胺(PI)为介质膜,以铬、金为电极的电容式湿度传感器.给出了传感器的制造工艺、湿敏特性和工作原理.测试结果表明:在相对湿度RH为0~96%范围内C~RH曲线线性度良好,灵敏度为RH变化1%,电容变化0.15~0.17pF,该种湿度传感器的RH长期稳定性为3%/ 展开更多
关键词 聚酰亚胺薄膜 电容式湿度传感器 集成电路光刻工艺
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矩形铁氧体衬底抗蚀剂的旋涂特性 被引量:1
17
作者 倪经 魏恭 +2 位作者 陈彦 周俊 谭士杰 《磁性材料及器件》 CSCD 北大核心 2012年第3期37-39,共3页
采用半导体工艺的旋转涂胶法,在矩形铁氧体衬底上旋涂抗蚀剂,研究了其涂覆特性,给出了抗蚀剂的厚度与旋涂转速和旋涂时间的关系曲线及均匀性。随着旋涂转速的提高,抗蚀剂的厚度逐渐减薄;当旋涂转速大于2500r/min时,抗蚀剂厚度差小于5%... 采用半导体工艺的旋转涂胶法,在矩形铁氧体衬底上旋涂抗蚀剂,研究了其涂覆特性,给出了抗蚀剂的厚度与旋涂转速和旋涂时间的关系曲线及均匀性。随着旋涂转速的提高,抗蚀剂的厚度逐渐减薄;当旋涂转速大于2500r/min时,抗蚀剂厚度差小于5%。同时,随着旋涂时间的延长,抗蚀剂厚度也会减小,并最终趋向一个恒定值;当旋涂时间长于20s时,抗蚀剂厚度差小于5%。最后,分析了旋涂中心对抗蚀剂旋涂性能的影响。 展开更多
关键词 铁氧体衬底 光刻 抗蚀剂 旋涂
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大功率晶体管刻槽与钝化工艺研究 被引量:2
18
作者 万积庆 廖晓华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第10期775-780,共6页
本文介绍一种光刻刻蚀造型和聚酰亚胺钝化方法.这一新方法称耗尽层刻蚀,它可以使平面型晶体管达到理想击穿电压,而只需用负角斜面所占面积的一部份,且其实际击穿电压取决于对刻蚀深度的细心控制. 实验证明:采用这一新方法可以改善功率... 本文介绍一种光刻刻蚀造型和聚酰亚胺钝化方法.这一新方法称耗尽层刻蚀,它可以使平面型晶体管达到理想击穿电压,而只需用负角斜面所占面积的一部份,且其实际击穿电压取决于对刻蚀深度的细心控制. 实验证明:采用这一新方法可以改善功率晶体管的击穿特性;减少低压击穿;抑制小电流H_(FE)退化;减小表面漏电和改善高温反向特性. 展开更多
关键词 晶体管 大功率 刻蚀 耗尽层 钝化
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部分相干光倾斜照明成像研究 被引量:4
19
作者 罗先刚 陈旭南 姚汉民 《微细加工技术》 1997年第4期55-62,共8页
本文用部分相干光成像理论研究了提高分辨力及增大焦深的原理.建立了二元光栅倾斜照明成像数理模型。对几种倾斜照明方式进行了模拟计算.对模拟结果作了分析比较。结果表明,用二元光栅照明较好,既能较大程度提高投影光刻曝光系统的... 本文用部分相干光成像理论研究了提高分辨力及增大焦深的原理.建立了二元光栅倾斜照明成像数理模型。对几种倾斜照明方式进行了模拟计算.对模拟结果作了分析比较。结果表明,用二元光栅照明较好,既能较大程度提高投影光刻曝光系统的分辨力及焦深,又能克服其他照明方式的能量利用率低等缺点。 展开更多
关键词 二元光栅照明 部分相干成像 VLSI 光刻机
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光学光刻技术的发展历程及趋势 被引量:4
20
作者 王相森 《微处理机》 2002年第4期1-2,共2页
简述了IC生产加工中光学光刻技术的重要性,发展历程以及发展趋势,对非光学光刻技术的应用作了描述。
关键词 光刻技术 光学分辨率 准分子激光器 电子束曝光 发展趋势 IC 集成电路
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