Low-dimensional structures formed by irradiation of laser

Some kinds of low-dimensional nanostructures can be formed by irradiation of laser on the pure silicon sample and the SiGe alloy sample. This paper has studied the photoluminescence （PL） of the hole-net structure of silicon and the porous structure of SiGe where the PL intensity at 706nm and 725nm wavelength increases obviously. The effect of intensity-enhancing in the PL peaks cannot be explained within the quantum confinement alone. A mechanism for increasing PL emission in the above structures is proposed, in which the trap states of the interface between SiO2 and nanocrystal play an important role.

熔融法制备PbSe量子点钠硼铝硅酸盐玻璃

量子点掺杂玻璃是当前新型光通信材料研究的一个热点。用熔融法成功制备了PbSe量子点钠硼铝硅酸盐玻璃。用X射线衍射仪和透射电镜分析了玻璃中PbSe量子点的结晶、尺寸以及分布情况,并用紫外可见近红外分光光度仪和荧光光谱仪分析了PbSe量子点玻璃的吸收谱和荧光发射谱。结果表明,当热处理温度低于500℃时,玻璃没有荧光辐射。当热处理温度高于550℃时,随着热处理温度的升高,PbSe量子点尺寸增大、分布密度变小。在1064 nm激光照射下,观测到玻璃有强荧光辐射,其辐射峰的半峰全宽为275~808 nm,峰值波长1676-2757 nm。峰值波长与量子点尺寸密切相关,辐射与吸收峰值波长之间的斯托克斯频移为20-110 nm。

腐蚀法制备工艺对SiC量子点光学性质的影响

通过可控的化学腐蚀法制备碳化硅量子点,以氢氟酸和硝酸的混合液为腐蚀剂腐蚀自蔓延燃烧合成的原始碳化硅粉体,而后经超声空化作用及高速离心层析裁剪获得水相的碳化硅量子点,研究了制备工艺参数对量子点光致发光强度、发射波长等光谱特性及粒子尺寸的影响,结果表明,腐蚀剂组分及其配比是影响量子点光致发光强度的主要因素,而超声振动时间和层析裁剪的离心超重力系数在一定程度上对光致发光强度有影响,二者对光学性能的影响主要体现在特征发射波长的移动、半峰宽、量子点尺寸大小及其粒径分布的均匀性。此外,在腐蚀剂组分调整的过程中发现,以适量的分析纯硫酸替代原腐蚀剂中的部分硝酸,则不仅会引起量子点光致发光强度的变化,而且表面还会偶合上除羧基、羟基外的新官能团巯基。