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Ca_(2)SnO_(4):Eu3+陶瓷的光致变色及光强调控特性研究 被引量:1
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作者 陈浩 惠增哲 +4 位作者 郭菲菲 龙伟 张小丽 方频阳 李晓娟 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期1117-1123,共7页
开发光辐射响应好、稳定性强的光致变色材料是无机光致变色材料研究的一大目标。研究采用高温固相反应法制备了稀土离子Eu^(3+)掺杂的光致变色陶瓷Ca_(2.02-x)SnO_(4):xEu^(3+)。对陶瓷的光致变色行为展开研究,发现在290 nm光照下着色... 开发光辐射响应好、稳定性强的光致变色材料是无机光致变色材料研究的一大目标。研究采用高温固相反应法制备了稀土离子Eu^(3+)掺杂的光致变色陶瓷Ca_(2.02-x)SnO_(4):xEu^(3+)。对陶瓷的光致变色行为展开研究,发现在290 nm光照下着色效果最好,陶瓷由白色变为灰色。440 nm光照8 min后着色陶瓷颜色基本恢复,或者将着色陶瓷加热至623 K后灰色完全消失。光致发光性能研究表明395、466和534 nm可激发出以617 nm为主的红色光发射。研究了陶瓷的光强调控特性,发现290 nm光照射能使陶瓷的发射光谱强度显著降低,617 nm处有最高着色光强调制率86.9%。经过10个循环的着色-漂白实验,陶瓷光强调控性能保持稳定,表现出良好的可逆性。陶瓷的光致变色行为和光强调控行为表现出明显的特征UV波长响应和UV光辐射累积响应特点,表明该材料有望应用于光辐射剂量探测领域。 展开更多
关键词 光致变色 光强度 光致发光 光辐射探测 可逆性
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Zn^(2+)掺杂MgGa_(2)O_(4):Ni^(2+)近红外二区发光材料制备、表征及其成像应用研究
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作者 张琳 杨健 +5 位作者 李胜男 王帅 祝汉成 严端廷 徐长山 刘玉学 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期1311-1324,共14页
通过水热法结合后期真空热处理的方法制备了具有反尖晶石结构的Zn_(x)Mg_(0.993-x)Ga_(2)O_(4):0.7%Ni^(2+)(x=0~0.5)(ZMGO:Ni^(2+))近红外二区(NIR-Ⅱ:1000~1700 nm)荧光粉。随着Zn^(2+)掺杂量的增加,ZMGO:Ni^(2+)粉体样品的粒子尺寸... 通过水热法结合后期真空热处理的方法制备了具有反尖晶石结构的Zn_(x)Mg_(0.993-x)Ga_(2)O_(4):0.7%Ni^(2+)(x=0~0.5)(ZMGO:Ni^(2+))近红外二区(NIR-Ⅱ:1000~1700 nm)荧光粉。随着Zn^(2+)掺杂量的增加,ZMGO:Ni^(2+)粉体样品的粒子尺寸逐渐变大。在635 nm激光激发下,可观测到粉体样品位于~1279 nm处的宽带发射峰,其可被归属为Ni^(2+)的特征发射。此外,Zn^(2+)掺杂使样品荧光猝灭的热激活能由244 meV减小到224 meV。采用发光强度最强的ZMGO:Ni^(2+)粉体样品与620 nm红光LED芯片封装成NIR-Ⅱ荧光粉转换LED(NIR-Ⅱpc-LED),并基于NIR-Ⅱ光穿透能力强和不产生生物组织自荧光的特性,以NIR-Ⅱpc-LED为光源,分别研究了其在有遮挡情况的夜视成像和生物组织成像上的应用。 展开更多
关键词 光致发光 过渡金属离子 近红外二区 荧光粉
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热载流子多结太阳能电池CdSe/CdS核壳量子点和纳米片的声子瓶颈效应机理
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作者 王睿 张琛浩 +1 位作者 徐苏悦 张怿 《新能源科技》 2024年第2期26-33,共8页
热载流子多结太阳能电池(HCMJSC)是热载流子及叠层电池概念相结合而提出的一种较有前景的第三代太阳能电池之一,其理论效率在一个标准太阳条件(即1000 W/m 2,25℃)下将高于65%,远高于32%的单节硅基电池极限效率。该型电池主要包括一个... 热载流子多结太阳能电池(HCMJSC)是热载流子及叠层电池概念相结合而提出的一种较有前景的第三代太阳能电池之一,其理论效率在一个标准太阳条件(即1000 W/m 2,25℃)下将高于65%,远高于32%的单节硅基电池极限效率。该型电池主要包括一个宽带隙的顶结薄膜和一个适中带隙的厚底结基底,以分别高效吸收利用高能和低能光子。其广泛应用于光电器件的宽带隙CdSe/CdS低维材料体系(如量子点、纳米片等)有望成为顶结薄膜的合适候选材料。然而,该材料体系中的声子瓶颈效应(PBE)机理目前尚不明晰。文章主要研究了CdSe/CdS核壳量子点(QDs)和纳米片(NPLs)中的PBE机理;通过稳态光致发光(SSPL)和皮秒时间分辨尺度光致发光(ps-TRPL)技术,计算该材料体系的热弛豫系数(Q th),从而定量分析激发载流子的弛豫速率,同时阐述了PBE和量子点中常见的俄歇复合之间的耦合关系,最终系统研究了QDs和NPLs中载流子弛豫过程机理,提出HCMJSC的发展路径和建议。 展开更多
关键词 声子瓶颈效应(PBE) 二六族半导体(Ⅱ-Ⅵsemiconductors) 量子点(QDs) 纳米片(NPLs) 热弛豫系数(Q th) 皮秒时间光致发光(ps-TRPL)
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Assembly of functional carboxymethyl cellulose/polyethylene oxide/anatase TiO_(2) nanocomposites and tuning the dielectric relaxation, optical, and photoluminescence performances
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作者 Asmaa M.Ismail Abeer A.Reffaee Fawzy G.El Desouky 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第7期26-38,共13页
Nanocomposite films consisting of carboxymethyl cellulose,polyethylene oxide(CMC/PEO),and anatase titanium diox-ide(TO)were produced by the use of sol-gel and solution casting techniques.TiO2 nanocrystals were effecti... Nanocomposite films consisting of carboxymethyl cellulose,polyethylene oxide(CMC/PEO),and anatase titanium diox-ide(TO)were produced by the use of sol-gel and solution casting techniques.TiO2 nanocrystals were effectively incorporated into CMC/PEO polymers,as shown by X-ray diffraction(XRD)and attenuated total reflectance fourier transform infrared(ATR-FTIR)analysis.The roughness growth is at high levels of TO nanocrystals(TO NCs),which means increasing active sites and defects in CMC/PEO.In differential scanning calorimetry(DSC)thermograms,the change in glass transition temperature(Tg)val-ues verifies that the polymer blend interacts with TO NCs.The increment proportions of TO NCs have a notable impact on the dielectric performances of the nanocomposites,as observed.The electrical properties of the CMC/PEO/TO nanocomposite undergo significant changes.The nanocomposite films exhibit a red alteration in the absorption edge as the concentration of TO NCs increases in the polymer blend.The decline in the energy gap is readily apparent as the weight percentage of TO NCs increases.The photoluminescence(PL)emission spectra indicate that the sites of the luminescence peak maximums show slight variation;peaks get wider,while their intensities decrease dramatically as the concentration of TO increases.These nanocomposite materials show potential for multifunctional applications including optoelectronics,antireflection coatings,pho-tocatalysis,light emitting diodes,and solid polymer electrolytes. 展开更多
关键词 anatase TiO_(2) CMC/PEO nanocomposites optical photoluminescent electrical optoelectronics
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Insight into structure evolution of carbon nitrides and its energy conversion as luminescence
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作者 Hao Zhang Jingwei Zhang +4 位作者 Wenjie Chen Minjia Tao Xianguang Meng Yuanjian Zhang Guifu Zuo 《Carbon Energy》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第2期37-60,共24页
A series of carbon nitride(CN)materials represented by graphitic carbon nitride(g-C3N4)have been widely used in bioimaging,biosensing,and other fields in recent years due to their nontoxicity,low cost,and high lumines... A series of carbon nitride(CN)materials represented by graphitic carbon nitride(g-C3N4)have been widely used in bioimaging,biosensing,and other fields in recent years due to their nontoxicity,low cost,and high luminescent quantum efficiency.What is more attractive is that the luminescent properties such as wavelength and intensity can be regulated by controlling the structure at the molecular level.Hence,it is time to summarize the related research on CN structural evolution and make a prospect on future developments.In this review,we first summarize the research history and multiple structural evolution of CN.Then,the progress of improving the luminescence performance of CN through structural evolution was discussed.Significantly,the relationship between CN structure evolution and energy conversion in the forms of photoluminescence,chemiluminescence,and electrochemiluminescence was reviewed.Finally,key challenges and opportunities such as nanoscale dispersion strategy,luminous efficiency improving methods,standardization evaluation,and macroscopic preparation of CN are highlighted. 展开更多
关键词 carbon nitride CHEMILUMINESCENCE ELECTROCHEMILUMINESCENCE energy conversion PHOTOLUMINESCENCE structural evolution
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Structural and Luminescent Properties of Mg_(0.25-x)Al_(2.57)O_(3.79)N_(0.21):xMn^(2+)Green-Emitting Transparent Ceramic Phosphor
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作者 郝留成 MIAO Xiaojun +4 位作者 LI Kai ZHONG Jianying 涂兵田 YANG Zhangfu 王皓 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期533-540,共8页
A series of spinel-type Mg_(0.25-x)Al_(2.57)O_(3.79)N_(0.21):xMn^(2+)(MgAlON:xMn^(2+))phosphors were synthesized by the solid-state reaction route.The transparent ceramic phosphors were fabricated by pressureless sint... A series of spinel-type Mg_(0.25-x)Al_(2.57)O_(3.79)N_(0.21):xMn^(2+)(MgAlON:xMn^(2+))phosphors were synthesized by the solid-state reaction route.The transparent ceramic phosphors were fabricated by pressureless sintering followed by hot-isostatic pressing(HIP).The crystal structure,luminescence and mechanical properties of the samples were systematically investigated.The transparent ceramic phosphors with tetrahedrally coordinated Mn^(2+)show strong green emission centered around 515 nm under blue light excitation.As the Mn^(2+)concentration increases,the crystal lattice expands slightly,resulting in a variation of crystal field and a slight red-shift of green emission peak.Six weak absorption peaks in the transmittance spectra originate from the spin-forbidden ^(4)T_(1)(^(4)G)→^(6)A_(1) transition of Mn^(2+).The decay time was found to decrease from 5.66 to 5.16 ms with the Mn^(2+)concentration.The present study contributes to the systematic understanding of crystal structure and properties of MgAlON:xMn^(2+)green-emitting transparent ceramic phosphor which has a potential application in high-power light-emitting diodes. 展开更多
关键词 transparent ceramic phosphor green emission MGALON PHOTOLUMINESCENCE
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Defects evolution in n-type 4H-SiC induced by electron irradiation and annealing
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作者 Huifan Xiong Xuesong Lu +5 位作者 Xu Gao Yuchao Yan Shuai Liu Lihui Song Deren Yang Xiaodong Pi 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第7期77-83,共7页
Radiation damage produced in 4H-SiC by electrons of different doses is presented by using multiple characterization techniques. Raman spectra results indicate that SiC crystal structures are essentially impervious to ... Radiation damage produced in 4H-SiC by electrons of different doses is presented by using multiple characterization techniques. Raman spectra results indicate that SiC crystal structures are essentially impervious to 10 Me V electron irradiation with doses up to 3000 kGy. However, irradiation indeed leads to the generation of various defects, which are evaluated through photoluminescence(PL) and deep level transient spectroscopy(DLTS). The PL spectra feature a prominent broad band centered at 500 nm, accompanied by several smaller peaks ranging from 660 to 808 nm. The intensity of each PL peak demonstrates a linear correlation with the irradiation dose, indicating a proportional increase in defect concentration during irradiation. The DLTS spectra reveal several thermally unstable and stable defects that exhibit similarities at low irradiation doses.Notably, after irradiating at the higher dose of 1000 kGy, a new stable defect labeled as R_(2)(Ec-0.51 eV) appeared after annealing at 800 K. Furthermore, the impact of irradiation-induced defects on SiC junction barrier Schottky diodes is discussed. It is observed that high-dose electron irradiation converts SiC n-epilayers to semi-insulating layers. However, subjecting the samples to a temperature of only 800 K results in a significant reduction in resistance due to the annealing out of unstable defects. 展开更多
关键词 4H-SIC deep level transient spectroscopy(DLTS) photoluminescence(PL) DEFECTS
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基于线阵InGaAs相机的光伏电池板光致发光成像系统研究
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作者 黄益东 钱芸生 +1 位作者 张益军 徐晗 《电子测量技术》 北大核心 2024年第5期9-15,共7页
现有光伏电池板缺陷检测多采用电致发光激励以及面阵相机检测等方法,存在操作复杂、效率低等问题,为此开展基于线阵InGaAs相机的光伏电池板光致发光成像系统研究。首先,设计线阵InGaAs相机硬件框架与逻辑框架,以FPGA驱动线阵InGaAs相机... 现有光伏电池板缺陷检测多采用电致发光激励以及面阵相机检测等方法,存在操作复杂、效率低等问题,为此开展基于线阵InGaAs相机的光伏电池板光致发光成像系统研究。首先,设计线阵InGaAs相机硬件框架与逻辑框架,以FPGA驱动线阵InGaAs相机完成数据采集与图像显示。通过固定模式噪声去除算法与直方图双向均衡算法,去除了缺陷图像中固定模式噪声,同时提升了图像的对比度和清晰度。最后通过搭建整体成像系统,通过光致发光成像对不同种类的光伏电池板的多种缺陷进行成像实验,检测精度达到0.2 mm/pixel。实验结果表明该系统可以完成对单晶硅与多晶硅光伏电池板中隐裂、黑斑、坏片、混档和脏污等缺陷的检测。 展开更多
关键词 光致发光 FPGA 缺陷检测 InGaAs传感器 光伏电池板
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高温退火对硅基微腔的光致发光影响
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作者 周晓雨 彭鸿雁 +2 位作者 邵铭 程相正 谭勇 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2024年第3期23-28,共6页
纳米硅的研究是目前发光领域中非常活跃的方向。其发光性能可改进目前的硅基发光器件的性能,实现硅基光源集成,有利于突破其发光效率低的技术瓶颈。通过分别控制空气和氧退火氛围、不同的退火时间,采用纳秒脉冲激光制备蜂窝状纳米单晶... 纳米硅的研究是目前发光领域中非常活跃的方向。其发光性能可改进目前的硅基发光器件的性能,实现硅基光源集成,有利于突破其发光效率低的技术瓶颈。通过分别控制空气和氧退火氛围、不同的退火时间,采用纳秒脉冲激光制备蜂窝状纳米单晶硅阵列的腔体结构,分别获得对应纳米硅表面Si-O-Si局域态630 nm光致发光源和对应Si=O的局域态710 nm光致发光源。为了进一步解释这种现象,提出一种局域态与量子限制效应相互竞争导致硅材质表面形成类三能级结构的模型,该类三能级结构可在控制不同退火氛围和不同退火时间的机制下,受到光激励而形成可调制特征发光源。 展开更多
关键词 光致发光 局域态 纳米硅
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基于光学辐照方法调控荧光光强及显色性
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作者 陈浩 惠增哲 +3 位作者 陈玉丽 龙伟 张小丽 丁礼磊 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期6160-6166,共7页
随着信息技术的发展,产品防伪和信息保护已成为许多行业密切关注的问题,研发防伪复杂度高的光学防伪材料受到研究人员越来越多的关注。选用Er^(3+)掺杂Ca_(2)SnO_(4)基体,发现Er^(3+)掺杂将占据4h位阳离子位置,在提升材料的光学性能过程... 随着信息技术的发展,产品防伪和信息保护已成为许多行业密切关注的问题,研发防伪复杂度高的光学防伪材料受到研究人员越来越多的关注。选用Er^(3+)掺杂Ca_(2)SnO_(4)基体,发现Er^(3+)掺杂将占据4h位阳离子位置,在提升材料的光学性能过程中,具有两方面的作用。一方面,Er^(3+)作为发光中心,380 nm激发下,分别产生以550 nm为主峰的绿光发射和以671 nm为主峰的红光发射。另一方面,非等价的取代掺杂在材料中引入缺陷陷阱捕获载流子形成色心,有助于材料具备光致变色能力。在UV光源辐照后,材料的光致发光光强和荧光寿命表现出衰减调制现象。同时,材料的荧光显色参数如CIE色度坐标、色纯度、相关色温也会因UV光源辐照被调控。最后,借助能量传递理论,分析得到由发光中心向色心的能量传递是材料荧光调控现象产生的原因。上述研究表明通过外部光源照射的方式能够对Er^(3+)掺杂Ca_(2)SnO_(4)荧光光强及显色性产生调控,在光学防伪领域具有应用潜力。 展开更多
关键词 光学防伪 光强调控 光致发光 显色调控
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钼片上少层MoS_(2)薄膜制备及其结构性能研究
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作者 刘金程 齐东丽 +1 位作者 秦艳利 沈龙海 《佳木斯大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第1期166-168,180,共4页
采用气-固法在Mo基片制备高结晶质量的少层MoS_(2)薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪和光学显微镜(OM)对样品的结构和形貌进行表征,研究生长温度对薄膜结构、形貌和光致发光性能的影响。结果表明:在温度为800,900,1000℃生长的大... 采用气-固法在Mo基片制备高结晶质量的少层MoS_(2)薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪和光学显微镜(OM)对样品的结构和形貌进行表征,研究生长温度对薄膜结构、形貌和光致发光性能的影响。结果表明:在温度为800,900,1000℃生长的大面积薄膜呈现枝状晶结构;随着生长温度的增加制备的薄膜结晶性能越来越好;所有样品特征拉曼峰均位于385.7 cm^(-1)和410.8 cm^(-1)附近,这两个特征峰的差值为25.1 cm^(-1),表明生长的薄膜为少层MoS_(2)膜;所有样品在693 nm处出现发光峰,对应带隙1.789 eV属于直接带隙半导体。该方法制备的薄膜在实现具有宽波段吸收和高光响应度的光电探测器件方面具有重要的应用价值。 展开更多
关键词 气-固法 MoS_(2) 结晶质量 光致发光
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In_(0.52)Al_(0.48)As/InP的正向和反向异质结在带隙附近的不同光谱现象
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作者 吴洋 胡晓 +2 位作者 刘博文 顾溢 查访星 《物理学报》 SCIE EI CSCD 北大核心 2024年第2期287-292,共6页
应用光电导谱(PC)和光致发光谱(PL)研究了由分子束外延在InP(100)衬底上生长In_(0.52)Al_(0.48)As获得的两种异质结外延结构,分别是在InP衬底上生长InAlAs形成的正向异质结样品(样品A:In_(0.52)Al_(0.48)As/InP)和InAlAs层继续生长InP... 应用光电导谱(PC)和光致发光谱(PL)研究了由分子束外延在InP(100)衬底上生长In_(0.52)Al_(0.48)As获得的两种异质结外延结构,分别是在InP衬底上生长InAlAs形成的正向异质结样品(样品A:In_(0.52)Al_(0.48)As/InP)和InAlAs层继续生长InP形成的上层为反向异质结的双异质结样品(样品B:InP/In_(0.52)Al_(0.48)As/InP).PL和PC实验采用光从表面入射激发的测量构型,样品测量温度为77 K.样品A的PC谱显示,在激发光能量大于表面In_(0.52)Al_(0.48)As层的带隙时出现了电导陡降的反常变化,还在916 nm波长处呈现一小的电导峰结构.PL谱对应此波长位置则出现很强的发光峰.样品B则未观察到上述光谱特征,该差异可从两类异质结不同的界面电子结构获得解释. 展开更多
关键词 半导体光谱 半导体界面 光电导 光致发光
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BaZnOS:Bi^(3+)荧光粉的制备及光学性能研究
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作者 罗娟 陈世碧 +5 位作者 李孝斌 郑小州 王昶 岳励 徐慢 戴武斌 《武汉工程大学学报》 CAS 2024年第2期162-166,共5页
以碳酸钡、硫化锌和氧化铋为原料,采用高温固相法合成了一系列铋(Bi)掺杂BaZnOS的蓝绿色荧光粉。研究了BaZnOS中Bi的位点占据、晶胞变化及其发光特性之间的相关性。在BaZnOS中,根据离子配位相同及半径相似原理,Ba位点是Bi最适合和稳定... 以碳酸钡、硫化锌和氧化铋为原料,采用高温固相法合成了一系列铋(Bi)掺杂BaZnOS的蓝绿色荧光粉。研究了BaZnOS中Bi的位点占据、晶胞变化及其发光特性之间的相关性。在BaZnOS中,根据离子配位相同及半径相似原理,Ba位点是Bi最适合和稳定占据的位点。由于Bi^(3+)的半径略小于Ba^(2+)的半径,导致掺杂过后的晶胞参数有所缩小。在波长为372 nm的紫外光激发下,BaZnOS和BaZnOS:Bi^(3+)在400~600 nm处都显示出非常宽的发射带。其中未掺杂的BaZnOS发光归因于合成过程中的氧空位缺陷,掺杂Bi^(3+)后,Bi^(3+)结合到BaZnOS的晶格中,由于Bi^(3+)的^(3)P_(1,0)→^(1)S_(0)跃迁,最终使位于400~600 nm处的光致发光进一步增强2~3倍。通过色坐标计算,所制备的BaZnOS:Bi^(3+)荧光粉色坐标均位于蓝绿色区域,可作为与红光协调发射白光的潜力荧光粉,用于白光发光二极管领域。 展开更多
关键词 四元硫氧化物 蓝绿色荧光粉 光致发光激发光谱 光致发光光谱 能级跃迁
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含硅材料制备及其发光、防伪、防污和防水应用
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作者 黄远芬 冯祥 +2 位作者 陈开龙 郭馨 陈东志 《有机硅材料》 CAS 2024年第4期69-76,共8页
有机硅材料在众多领域展现出了广阔的应用前景。本文从3个方面分别总结了课题组近几年在含硅复合材料(特别是:光致发光高分子复合材料、防伪油墨和高分子功能涂层材料)的制备及其在纸张和棉布等基材上的研究应用进展。
关键词 光致发光 硅纳米晶 防伪油墨 超疏水棉织物 功能性涂层
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Sm^(3+)掺杂Ba_(0.85)Ca_(0.15)Ti_(0.90)Zr_(0.10)O_(3)无铅多功能铁电陶瓷的储能和光致发光性能
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作者 郑明 张怡笑 +2 位作者 杨健 关朋飞 李秀东 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2024年第4期686-692,共7页
通过高温固相反应法制备了Ba_(0.85)Ca_(0.15)Ti_(0.90)Zr_(0.10)O_(3)∶xSm^(3+)(BCTZ∶xSm^(3+),x=0.0%、0.2%、0.4%、0.6%、0.8%、1.0%,物质的量分数)陶瓷,系统研究了其微观形貌、铁电性能、储能性能和光致发光性能。研究表明,Sm^(3+... 通过高温固相反应法制备了Ba_(0.85)Ca_(0.15)Ti_(0.90)Zr_(0.10)O_(3)∶xSm^(3+)(BCTZ∶xSm^(3+),x=0.0%、0.2%、0.4%、0.6%、0.8%、1.0%,物质的量分数)陶瓷,系统研究了其微观形貌、铁电性能、储能性能和光致发光性能。研究表明,Sm^(3+)掺入后,陶瓷平均晶粒大小明显下降,致密度显著提高。所有陶瓷均表现出典型的铁电性。BCTZ∶xSm^(3+)陶瓷放电储能密度得到了极大的提高,BCTZ∶1.0%Sm^(3+)陶瓷放电储能密度较纯BCTZ陶瓷可提高约49.0%。此外,在408 nm光的激发下,BCTZ∶xSm^(3+)陶瓷在596 nm左右表现出强烈的橙红色发光,且发光强度相对可调性可达449%。 展开更多
关键词 Ba_(0.85)Ca_(0.15)Ti_(0.90)Zr_(0.10)O_(3) Sm^(3+) 铁电 储能 光致发光
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原子掺杂对不同配体中碳点光致发光性能的影响研究
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作者 谭超 汪克威 胡永俊 《材料研究与应用》 CAS 2024年第2期350-356,共7页
碳点具有光学性质可调及光稳定性好的特性,被广泛应用于各种工业领域,特别是光致发光领域。碳点的光致发光与碳源的分子结构密切相关,其中碳点自身分散性会影响发光强度。为研究碳点在不同配体中的光致发光性能,采用掺杂合成-溶液透析法... 碳点具有光学性质可调及光稳定性好的特性,被广泛应用于各种工业领域,特别是光致发光领域。碳点的光致发光与碳源的分子结构密切相关,其中碳点自身分散性会影响发光强度。为研究碳点在不同配体中的光致发光性能,采用掺杂合成-溶液透析法,制备了3种分子结构的碳点材料,掺杂碳点NCDs、共掺杂碳点NSCDs及混合碳点NCDs+NSCDs。利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线衍射表征了其显微形貌,利用紫外可见光谱仪测试了其吸光强度,配置了乙醇、有机溶液进行紫外和自然光照射发光测试,研究了3种碳点的分散性及发光性能。研究结果表明,NCDs呈二维细片状形貌,NSCDs的掺杂原子负载在其表面,而NCDs+NSCDs的掺杂原子团具有强的单分散性。3种碳点均为均匀分布的纳米颗粒,尺寸大小约1.8 nm。以NCDs的碳特征峰为初始位置基准,NSCDs的特征峰明显向左发生了偏移,NCDs+NSCDs的特征峰也发生了向左偏移,但显著程度低于NSCDs。其主要原因是掺杂原子团的引入使晶面间距发生变化,影响了碳点晶面间距的大小,表明掺杂原子已引入碳点中。3种碳点在自然光照射下均发出绿色荧光,且随着激发波长越长偏向蓝移,其中NCDs+NSCDs荧光发光颜色最深,表明其具有更强的亲水性和分散性。分散性的增强会使碳点的发光强度增强,NCDs+NSCDs在不同配体中的发光强度最强,表明其分散性强,增强了其光致发光性能。本研究为碳点发光性能在光致发光及其他领域的应用提供了参考。 展开更多
关键词 碳点 原子掺杂 光致发光性能 表面修饰 分散性 配体 发光强度 荧光发光
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基于(PEA)_(2)PbBr_(4)单晶的光致发光防伪织物标贴制备与性能
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作者 胡晓亭 徐磊 李楠 《现代纺织技术》 北大核心 2024年第3期81-90,共10页
为制备高效轻质的荧光防伪织物标贴,采用反溶剂气相辅助结晶法生长不同尺寸和密度的苯乙胺溴化铅((PEA)_(2)PbBr_(4))单晶,并将其旋涂封装于PVC薄膜内,与织物热轧复合,得到具有光致发光防伪功能的织物标贴;通过XRD、SEM、紫外可见光度... 为制备高效轻质的荧光防伪织物标贴,采用反溶剂气相辅助结晶法生长不同尺寸和密度的苯乙胺溴化铅((PEA)_(2)PbBr_(4))单晶,并将其旋涂封装于PVC薄膜内,与织物热轧复合,得到具有光致发光防伪功能的织物标贴;通过XRD、SEM、紫外可见光度计和瞬态荧光光谱仪等测试对单晶的结构、复合膜与织物标贴的发光特性进行分析。结果表明:采用简单温和的工艺即可有效制备晶体并调控其尺寸和密度,制作具有防伪功能的织物标贴。尺寸为5~10μm的二维结构单晶,其厚度约200 nm;通过调节邻二氯苯与N,N-二甲基甲酰胺的溶剂比例能够有效控制(PEA)_(2)PbBr_(4)单晶尺寸。当单晶尺寸约为5μm时,其分布状态、结晶性和发光性能最为优异,其复合膜的吸收峰和发射峰分别位于391 nm和414 nm处。采用超微量的单晶防伪标贴即可在365 nm紫外光的激发下发出强烈均匀的蓝紫色光,并且,用于织物防伪能够达到洗可穿及耐磨标准,实现有效的防伪功能。 展开更多
关键词 苯乙胺溴化铅 二维钙钛矿单晶 光致发光 荧光防伪 织物标贴 纺织品防伪
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3D打印柔性钙钛矿荧光发光凝胶的创新实验设计与研究
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作者 宋霖 王豆蓉 张彪 《大学化学》 CAS 2024年第7期337-344,共8页
柔性钙钛矿器件是未来柔性光电技术的研究热点。结合3D打印光聚合物技术,可实现柔性钙钛矿荧光器件的兼容制造。其研究内容属交叉学科前沿,涵盖材料、高分子、化学、半导体物理、柔性电子等相关领域专业知识。为培养本科生的创新意识和... 柔性钙钛矿器件是未来柔性光电技术的研究热点。结合3D打印光聚合物技术,可实现柔性钙钛矿荧光器件的兼容制造。其研究内容属交叉学科前沿,涵盖材料、高分子、化学、半导体物理、柔性电子等相关领域专业知识。为培养本科生的创新意识和科研思维,巩固专业理论知识和动手能力,我们设计了一项3D打印柔性钙钛矿荧光发光凝胶的创新实验。实验包括3D打印成型、钙钛矿结晶后处理、实验结果表征分析等过程,可以让学生亲身参与实践。在自主完成钙钛矿柔性器件全流程制备的同时,也能培养科研兴趣和分析解决问题的综合能力,从而达到创新型教学实验目的。 展开更多
关键词 3D打印 柔性凝胶 钙钛矿 光致发光
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钙钛矿CsPbBr_(3)薄膜的制备及其光电性能表征
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作者 师鑫源 蒋晨阳 +3 位作者 翟长玉 鲁雪梅 李佳 毛竹 《大学化学》 CAS 2024年第6期383-389,共7页
本实验是针对本科生能力水平、结合光伏领域前沿设计的一个化学综合实验。本实验采用简单的旋涂法在导电玻璃表面制备CsPbBr_(3)钙钛矿薄膜材料,并创新性地将光探测器件的组装实验加入其中以研究CsPbBr_(3)薄膜的光电性能。学生可在实... 本实验是针对本科生能力水平、结合光伏领域前沿设计的一个化学综合实验。本实验采用简单的旋涂法在导电玻璃表面制备CsPbBr_(3)钙钛矿薄膜材料,并创新性地将光探测器件的组装实验加入其中以研究CsPbBr_(3)薄膜的光电性能。学生可在实验过程中肉眼可见地观察到黄色的CsPbBr_(3)材料在紫外激光照射下发射出强烈的绿光,这一实验现象能够有效地激发学生兴趣。 展开更多
关键词 钙钛矿CsPbBr_(3) 光致发光 光电转换 光电流
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有机-无机杂化材料动力学与热力学转化以及荧光信息防伪应用研究——介绍一个综合化学实验
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作者 吴越 李钧 +3 位作者 张波 杨燕 李海波 张宪玺 《大学化学》 CAS 2024年第6期390-399,共10页
有机-无机杂化发光材料易于调控的空间结构和发光性质,在发光防伪领域备受青睐。本实验基于Sb(Ⅲ)掺杂Bi(Ⅲ)基零维有机-无机杂化金属卤化物,利用不同的晶体生长方式实现动力学产物(化合物1)向热力学产物(化合物2)的转变,采用X-射线粉... 有机-无机杂化发光材料易于调控的空间结构和发光性质,在发光防伪领域备受青睐。本实验基于Sb(Ⅲ)掺杂Bi(Ⅲ)基零维有机-无机杂化金属卤化物,利用不同的晶体生长方式实现动力学产物(化合物1)向热力学产物(化合物2)的转变,采用X-射线粉末衍射和荧光光度法分别对其进行了物相表征和光学性能测试,二者表现出截然不同的物相与光物理性质。化合物2在蒸馏水的作用下实现荧光淬灭,而且具有很强的反水性。基于化合物2出色的发光变色性质,制作了简易的可水写荧光信息防伪板/纸。本实验充分体现了“结构决定性质”的专业理论、“学以致用”的教学理念。该实验设计与实践旨在培养学生创新思维,提高其分析和解决实际问题的能力。 展开更多
关键词 Sb(Ⅲ)掺杂Bi(Ⅲ)基杂卤化物 光致发光 动力学与热力学转化 水致变色 可写荧光防伪应用
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