期刊文献+
共找到40篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
Dark count rate and band to band tunneling optimization for single photon avalanche diode topologies 被引量:2
1
作者 Taha Haddadifam Mohammad Azim Karami 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第6期458-464,共7页
This paper proposes two optimal designs of single photon avalanche diodes(SPADs) minimizing dark count rate(DCR). The first structure is introduced as p^+/pwell/nwell, in which a specific shallow pwell layer is added ... This paper proposes two optimal designs of single photon avalanche diodes(SPADs) minimizing dark count rate(DCR). The first structure is introduced as p^+/pwell/nwell, in which a specific shallow pwell layer is added between p^+and nwell layers to decrease the electric field below a certain threshold. The simulation results show on average 19.7%and 8.5% reduction of p^+/nwell structure’s DCR comparing with similar previous structures in different operational excess bias and temperatures respectively. Moreover, a new structure is introduced as n+/nwell/pwell, in which a specific shallow nwell layer is added between n+and pwell layers to lower the electric field below a certain threshold. The simulation results show on average 29.2% and 5.5% decrement of p^+/nwell structure’s DCR comparing with similar previous structures in different operational excess bias and temperatures respectively. It is shown that in higher excess biases(about 6 volts), the n+/nwell/pwell structure is proper to be integrated as digital silicon photomultiplier(dSiPM) due to low DCR. On the other hand, the p^+/pwell/nwell structure is appropriate to be utilized in dSiPM in high temperatures(above 50?C) due to lower DCR value. 展开更多
关键词 SINGLE-photon AVALANCHE diode digital silicon PHOTOMULTIPLIER DARK count rate
下载PDF
室温下高探测效率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管
2
作者 祁雨菲 王文娟 +5 位作者 孙京华 武文 梁焰 曲会丹 周敏 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期1-6,共6页
描述了一种高性能平面InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD),该二极管具有单独的吸收、分级、电荷和倍增(SAGCM)异质结构。通过电场调节和缺陷控制,SPAD在293 K的门控模式下工作,光子探测效率(PDE)为70%,暗计数率(DCR)为14.93 kHz,后脉冲... 描述了一种高性能平面InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD),该二极管具有单独的吸收、分级、电荷和倍增(SAGCM)异质结构。通过电场调节和缺陷控制,SPAD在293 K的门控模式下工作,光子探测效率(PDE)为70%,暗计数率(DCR)为14.93 kHz,后脉冲概率(APP)为0.89%。此外,在死区时间为200 ns的主动淬灭模式下工作时,室温下实现了12.49%的PDE和72.29 kHz的DCR。 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 暗计数率 光子探测效率 后脉冲概率
下载PDF
电场调控增强型背照式单光子雪崩二极管
3
作者 李聪 王哲 +8 位作者 杨旭 田娜 冯鹏 窦润江 于双铭 刘剑 吴南健 李传波 刘力源 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第10期1-8,共8页
本研究利用搭建的仿真设计平台开发了一款电场调控增强型背照式单光子雪崩二极管(SPAD)器件,通过调控SPAD雪崩区电场,进一步提升了背照式器件的光子探测效率,降低了暗计数率。仿真结果表明,本研究设计的SPAD在水平和垂直电场的协同作用... 本研究利用搭建的仿真设计平台开发了一款电场调控增强型背照式单光子雪崩二极管(SPAD)器件,通过调控SPAD雪崩区电场,进一步提升了背照式器件的光子探测效率,降低了暗计数率。仿真结果表明,本研究设计的SPAD在水平和垂直电场的协同作用下,有效提高了电子倍增效率,峰值探测效率达到50.1%,在过偏压为3 V时,暗计数率降低至764 Hz。本文对比分析了不同耗尽层厚度和P-Well半径对电场调控增强型背照式SPAD器件性能的影响,并确定了最优结构尺寸。研究结果为基于SPAD的高精度光电探测应用提供了新的技术途径,为SPAD器件在科学研究和工业应用中的进一步发展奠定了基础。 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 背照式 光子探测效率 暗计数率 电场调控 器件仿真
下载PDF
SOI基横向SAMBM APD三维建模与特性研究
4
作者 谢进 宜新博 +2 位作者 刘景硕 崔凯月 谢海情 《电子设计工程》 2024年第16期59-63,68,共6页
为更好表征器件的工作过程,为后续器件工艺制备实现提供更精确的理论支撑,采用SEN-TAURUS软件对SOI基横向多缓冲区SAM雪崩光电二极管进行三维建模仿真与特性研究。对器件的雪崩电压、光暗电流、响应度、雪崩增益、雪崩发生概率、光子探... 为更好表征器件的工作过程,为后续器件工艺制备实现提供更精确的理论支撑,采用SEN-TAURUS软件对SOI基横向多缓冲区SAM雪崩光电二极管进行三维建模仿真与特性研究。对器件的雪崩电压、光暗电流、响应度、雪崩增益、雪崩发生概率、光子探测效率以及暗计数率进行研究分析。仿真结果表明,器件雪崩电压为8.0 V,在偏置电压为4 V时,器件暗电流为5.31×10^(-16)A;当入射光波长为400 nm,光功率为0.001 W/cm^(2)时,响应度为170 A/W,增益为308.6;过偏压为1 V时,光子探测效率峰值为42.3%,暗计数率为476 Hz。 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 三维建模 I-V特性 光子探测效率 暗计数率
下载PDF
488nm泵浦的自发参量下转换特性研究
5
作者 尹琳 李健军 郑小兵 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期638-648,共11页
自发参量下转换的光谱、光子数率和时间相关性对宽波段光电探测器定标具有重要意义。本文理论模拟了488 nm连续激光泵浦偏硼酸钡(BBO)晶体的光谱和光子数率的分布,搭建了光谱、光子数率和时间相关性测量的实验系统。基于理论研究,BBO晶... 自发参量下转换的光谱、光子数率和时间相关性对宽波段光电探测器定标具有重要意义。本文理论模拟了488 nm连续激光泵浦偏硼酸钡(BBO)晶体的光谱和光子数率的分布,搭建了光谱、光子数率和时间相关性测量的实验系统。基于理论研究,BBO晶体的相位匹配角选择24.3184°,可实现605~2523 nm连续宽波段相关光子制备,光子数率最大值为4.2716×10^(7) s^(-1)。采用CMOS相机和光电倍增管测量相关光子圆环和光子数率,根据波长和探测器响应波段来选择相应的光电探测器,以测量时间相关性。实验测量得到605~1000 nm波段的相关光子光谱,光子数率的实测值与理论值偏差在1个量级内,并观察到710~1560 nm波段的符合峰。实验结果验证了所建立的理论模型的正确性、自发参量下转换过程的宽光谱特性和时间相关性,为实现可见-近红外波段的宽光谱相关光子定标提供了研究基础。 展开更多
关键词 非线性光学 可见-近红外相关光子 自发参量下转换 光子数率 时间相关性
下载PDF
ICESat-2数据背景光子特性及滤波方法研究
6
作者 谢欢 黄佩琪 +5 位作者 徐琪 叶丹 孙媛 栾奎峰 刘世杰 童小华 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期631-643,共13页
ICESat-2(Ice,Cloud and Land Elevation Satellite-2)是世界首颗采用光子计数模式的激光测高卫星,可快速获得高精度、大尺度地面三维数据。光子探测机制使得数据中除了地面信号外,还包含大气散射等背景信号,需要通过滤波才能获得地形... ICESat-2(Ice,Cloud and Land Elevation Satellite-2)是世界首颗采用光子计数模式的激光测高卫星,可快速获得高精度、大尺度地面三维数据。光子探测机制使得数据中除了地面信号外,还包含大气散射等背景信号,需要通过滤波才能获得地形等信息。为分析ICESat-2背景和信号光子的分布特点及点云滤波算法的效果和适用性,本文首先选取了六种地表覆盖类型(城市、海冰、沙漠、植被、海洋及冰盖/冰川)及不同观测条件的数据,对其背景光子率进行统计分析。分析结果表明:白天观测数据的背景光子率平均为106(点/秒)数量级,远高于夜晚观测数据的背景光子率——104(点/秒)数量级,弱波束的背景光子率与强波束背景光子率相当,六种地表覆盖类型中,冰盖/冰川的背景光子率最高。然后,根据统计结果筛选出21组测高数据,并选取七种具有代表性的点云滤波对其进行去噪实验,分析精度后得出结论:改进局部密度法的去噪效果最佳,算法召回率、精准度和F值均大于0.90,算法较为稳定。最后,对所选取各滤波算法的精度、特点与适用性等性质进行了总结与分析,可为后续该数据的使用和滤波算法的选择提供参考。 展开更多
关键词 ICESat-2 激光测高 光子计数激光雷达 点云去噪 背景光子率
下载PDF
一种宽光谱响应的双结单光子雪崩二极管
7
作者 刘丹璐 董杰 +1 位作者 许唐 徐跃 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第5期424-429,共6页
基于180 nm BCD工艺提出了一种新型双结雪崩区的单光子雪崩二极管(SPAD)探测器,采用N阱/高压P阱/N^(+)埋层结构形成了两个垂直堆叠的PN结,高压P阱和N^(+)埋层交界面形成较深的主雪崩区,增强对近红外短波光子的探测概率;同时,N阱/高压P... 基于180 nm BCD工艺提出了一种新型双结雪崩区的单光子雪崩二极管(SPAD)探测器,采用N阱/高压P阱/N^(+)埋层结构形成了两个垂直堆叠的PN结,高压P阱和N^(+)埋层交界面形成较深的主雪崩区,增强对近红外短波光子的探测概率;同时,N阱/高压P阱之间形成浅的次雪崩区,实现对蓝绿光的高效探测,两结同时工作能够有效扩展器件的光谱响应范围。TCAD仿真结果表明,与传统的P阱/深N阱结构相比,双结SPAD器件在300~940 nm的宽光谱范围内有更高的光子探测概率,在800 nm近红外短波段探测概率达到了20.6%。在3 V过偏压下,暗计数率为0.8 kHz,后脉冲概率为3.2%。 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管(SPAD) 双结雪崩区 光子探测概率(PDP) 暗计数率(DCR) 后脉冲概率(AP)
下载PDF
大型客体光子计数成像技术的发展与挑战
8
作者 张华夏 吴志芳 《同位素》 CAS 2023年第4期490-497,共8页
具有光子计数能力的探测器给辐射成像领域带来了技术革新,具有巨大的应用潜力。光子计数探测器凭借其能量分辨能力将有助于提高辐射图像质量、降低辐射剂量、提高检测效率。目前,光子计数成像技术在医学诊断和行包安检等低能领域已有广... 具有光子计数能力的探测器给辐射成像领域带来了技术革新,具有巨大的应用潜力。光子计数探测器凭借其能量分辨能力将有助于提高辐射图像质量、降低辐射剂量、提高检测效率。目前,光子计数成像技术在医学诊断和行包安检等低能领域已有广泛和深入的研究,比如在能谱CT、乳腺检查、PET等领域诞生了许多成果,但是在集装箱检测及车辆安检等大型客体检测的中高能(MeV)领域研究较少,还需进一步克服技术上的困难,以达到中高能射线和高计数率条件的应用要求。本研究重点介绍了光子计数成像技术的特征优势、在X/γ射线医学诊断、安全检查辐射成像系统中的研究现状及面临的挑战,分析了其在大型客体检测中的应用现状和需要进一步突破的技术难点。 展开更多
关键词 光子计数探测器 辐射成像 大型客体检测 饱和计数率
下载PDF
一种低暗计数率CMOS单光子雪崩二极管 被引量:5
9
作者 王巍 王广 +4 位作者 王伊昌 曾虹谙 王冠宇 唐政维 袁军 《半导体光电》 CAS 北大核心 2019年第2期166-170,共5页
基于标准0.18μm CMOS工艺设计了一种新型单光子雪崩二极管(SPAD)器件。该SPAD以p-well/n-well轻掺杂雪崩结作为器件的核心工作区域,同时利用三个相邻n阱间的横向扩散在pn结边缘形成n-虚拟保护环以提高器件的性能。采用Silvaco软件对该... 基于标准0.18μm CMOS工艺设计了一种新型单光子雪崩二极管(SPAD)器件。该SPAD以p-well/n-well轻掺杂雪崩结作为器件的核心工作区域,同时利用三个相邻n阱间的横向扩散在pn结边缘形成n-虚拟保护环以提高器件的性能。采用Silvaco软件对该器件的电场分布、响应度、击穿电压、光子探测效率和暗计数率等性能参数进行了仿真分析。仿真结果表明:当SPAD器件的光窗口直径为20μm且n阱间隙宽度为1.4μm时,其雪崩击穿电压为13V;在过偏压为1V时,其探测效率峰值和暗计数率分别为37%和0.82kHz;在450~700nm波长范围器件的响应度较好,且在500nm处达到峰值0.33A/W。 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 标准0.18μm CMOS工艺 虚拟保护环 响应度 光子探测效率 暗计数率
下载PDF
近红外1550nm单光子探测器硬件电路设计 被引量:7
10
作者 高家利 汪科 盘红霞 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期674-677,共4页
针对现有单光子探测器模块价格昂贵和体积大的不足,设计了基于In Ga As/In P雪崩光电二极管(APD)的便携式单光子探测器,给出了探测器温控模块和偏置电压源的设计电路,门控信号的产生和雪崩信号的提取由FPGA完成。实验结果表明:在200 MH... 针对现有单光子探测器模块价格昂贵和体积大的不足,设计了基于In Ga As/In P雪崩光电二极管(APD)的便携式单光子探测器,给出了探测器温控模块和偏置电压源的设计电路,门控信号的产生和雪崩信号的提取由FPGA完成。实验结果表明:在200 MHz门控条件且制冷温度为-55℃时,探测器的最大光子探测效率(PDE)约为16%,当探测效率为12%时,暗计数率(DCR)约为8.2×10-6/ns。 展开更多
关键词 单光子探测器 雪崩光电二极管 光子探测效率 暗计数率
下载PDF
单光子探测器性能对量子密钥分发系统的影响 被引量:2
11
作者 秦晓娟 史信荣 +1 位作者 王金东 魏正军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1661-1664,共4页
根据量子密钥分发协议的原理和单光子探测器的工作模式系统分析了单光子探测器性能对量子密钥分发系统影响的物理模型,给出了单光子探测器暗计数和量子效率对系统筛选码率和量子误码率等指标产生影响的计算公式,并通过对各类量子密钥分... 根据量子密钥分发协议的原理和单光子探测器的工作模式系统分析了单光子探测器性能对量子密钥分发系统影响的物理模型,给出了单光子探测器暗计数和量子效率对系统筛选码率和量子误码率等指标产生影响的计算公式,并通过对各类量子密钥分发系统的比较,推导出了适用于一般量子密钥分发系统的普适结果。结果表明,在同等条件下采用较少的探测时间门可以提高量子密钥分发系统的性能。 展开更多
关键词 量子密钥分发 单光子探测技术 暗计数 筛选码率 量子误码率
下载PDF
用于1550nm光子检测的InGaAs/InP单光子雪崩二极管的温度相关性 被引量:2
12
作者 王帅 韩勤 +4 位作者 叶焓 耿立妍 陆子晴 肖峰 肖帆 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第11期70-76,共7页
在越来越多的光子计数应用中,用于近红外光波长领域的单光子探测器受到广泛关注。例如在量子信息处理、量子通信、3D激光测距(LiDAR)、时间分辨光谱等光子计数应用领域。文中设计并展示了用于探测1 550 nm波长光子的InGaAs/InP单光子雪... 在越来越多的光子计数应用中,用于近红外光波长领域的单光子探测器受到广泛关注。例如在量子信息处理、量子通信、3D激光测距(LiDAR)、时间分辨光谱等光子计数应用领域。文中设计并展示了用于探测1 550 nm波长光子的InGaAs/InP单光子雪崩二极管(SPAD)。这种SPAD采用分离吸收、过渡、电荷和倍增区域结构(SAGCM),在盖革模下工作时具有单光子灵敏度。SPAD的特性包括随温度范围223~293 K变化的击穿电压、暗计数率、单光子检测效率和后脉冲概率。25μm直径的SPAD显示出一定的温度相关性,击穿电压随温度的变化率约为100 mV/K。当SPAD在盖革模式下温度为223 K工作时,在暗计数率为4.1 kHz,后脉冲概率为3.29%的基础上,对1 550 nm光子实现了21%的单光子探测效率。文中还分析和讨论了SPAD温度相关性的单光子探测效率、暗计数率和后脉冲概率的来源和物理机制。这些机制分析、讨论和计算可以为SPAD的设计和制备提供更多的理论支持和依据。 展开更多
关键词 单光子探测器 温度相关性 光子探测效率 暗计数率 后脉冲概率
下载PDF
基于InGaAs/InP APD的单光子探测器设计与实现 被引量:2
13
作者 高家利 汪科 曹秋玲 《光电子技术》 CAS 2015年第2期131-134,共4页
针对现有单光子探测器模块价格昂贵和电路复杂的不足,设计了基于InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)的便携式单光子探测器,给出了APD门控驱动信号和雪崩信号鉴别电路的设计方案,门控信号的产生和雪崩信号的提取由FPGA完成。实验结果表明:在2... 针对现有单光子探测器模块价格昂贵和电路复杂的不足,设计了基于InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)的便携式单光子探测器,给出了APD门控驱动信号和雪崩信号鉴别电路的设计方案,门控信号的产生和雪崩信号的提取由FPGA完成。实验结果表明:在200 MHz门控条件且制冷温度为-55℃时,探测器的最大光子探测效率(PDE)约为20%,当探测效率为16%时,暗计数率(DCR)约为7.2×10-6/ns。 展开更多
关键词 单光子探测器 雪崩光电二极管 FPGA 光子探测效率 暗计数率
下载PDF
弱光信号探测的短项积分处理 被引量:1
14
作者 乐中道 《光通信技术》 CSCD 1990年第2期16-26,共11页
本文详细讨论了短项积分处理技术在光时域反射测量应用中的基本物理过程、数理统计原理、基本性能评价和测量中应注意的问题。
关键词 平均光子计数率 泊松随机过程 短项积分处理 门控不完全积分器 光时域反射响应
下载PDF
基于热敏超导边界转变传感的单光子探测技术 被引量:1
15
作者 周品嘉 常相辉 +1 位作者 韦联福 于扬 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2010年第4期371-386,共16页
单光子探测是实现光量子信息处理的关键技术之一。基于热敏超导边界转变传感的单光子探测技术以其独有的极低的暗计数率、极高的量子探测效率和极强的光子数分辨能力而倍受关注。对比于其他的几种单光子探测技术,如光电倍增管、工作于... 单光子探测是实现光量子信息处理的关键技术之一。基于热敏超导边界转变传感的单光子探测技术以其独有的极低的暗计数率、极高的量子探测效率和极强的光子数分辨能力而倍受关注。对比于其他的几种单光子探测技术,如光电倍增管、工作于盖革模式的雪崩二极管和超导纳米线等,本文将从其探测原理、实验样品制备和信号采集处理方法等方面出发,对基于热敏超导边界转变传感单光子探测技术研究的历史、现状进行综述,进而展望其未来可能的发展。 展开更多
关键词 单光子探测 热敏超导边界转变传感 计数率 暗计数 量子效率
下载PDF
宽波段参量下转换的相关光子速率分布测量 被引量:3
16
作者 高冬阳 夏茂鹏 +3 位作者 李健军 胡友勃 刘岩 郑小兵 《大气与环境光学学报》 CAS CSCD 2015年第6期482-487,共6页
为实现基于相关光子的光电探测器在连续宽波段量子效率定标,研究相关光子光谱和速率分布具有重要意义。通过理论模拟相关光子光谱和速率分布规律,建立了连续宽波段相关光子光谱和速率分布测量实验系统,利用该系统测量了450-700nm连... 为实现基于相关光子的光电探测器在连续宽波段量子效率定标,研究相关光子光谱和速率分布具有重要意义。通过理论模拟相关光子光谱和速率分布规律,建立了连续宽波段相关光子光谱和速率分布测量实验系统,利用该系统测量了450-700nm连续宽波段相关光子的光谱和速率分布,将实验测量的光子速率分布与理论模拟结果进行比较,两者曲线形状相关系数为99.39%,表现出高度的一致性。实验结果表明:相关光子具有连续宽波段光谱分布,有望为实现基于相关光子的光电探测器在连续谱量子效率定标提供理论依据和实验指导。 展开更多
关键词 相关光子 光谱分布 光子速率 连续宽波段
下载PDF
动态光散射中基于光子计数率的噪声剔除方法 被引量:2
17
作者 向君 韩鹏 《中国粉体技术》 CAS 北大核心 2010年第3期22-25,共4页
提出一种基于光子计数率的噪声剔除方法消除大颗粒的影响,通过监测每秒的光子计数,若某1s的光子计数明显高于之前5s光子计数的均值,则将这1s的光子计数剔除。分别在20、30、40°散射角度对测量介质为水、标称直径为21.3nm的金颗粒和... 提出一种基于光子计数率的噪声剔除方法消除大颗粒的影响,通过监测每秒的光子计数,若某1s的光子计数明显高于之前5s光子计数的均值,则将这1s的光子计数剔除。分别在20、30、40°散射角度对测量介质为水、标称直径为21.3nm的金颗粒和90nm的标准颗粒进行测试。结果表明:该方法能有效剔除跳变较大的光子计数率,剔除噪声后的有效粒径和分散度都比较稳定,且接近标称值。 展开更多
关键词 动态光散射 大颗粒 光子计数率 噪声剔除
下载PDF
基于国产InGaAs/InP APD的高速单光子探测 被引量:5
18
作者 白郭敏 梁焰 曾和平 《电子测量技术》 2017年第6期175-179,196,共6页
InGaAs/InP雪崩光电二极管(InGaAs/InP APD)是近红外单光子探测器的核心器件之一,其国产化已成为趋势。InGaAs/InP APD工作于1.25 GHz门控盖革模式下,由于APD本身的电容特性,单光子触发产生的雪崩电信号被尖峰噪声所湮没,采用低通滤波... InGaAs/InP雪崩光电二极管(InGaAs/InP APD)是近红外单光子探测器的核心器件之一,其国产化已成为趋势。InGaAs/InP APD工作于1.25 GHz门控盖革模式下,由于APD本身的电容特性,单光子触发产生的雪崩电信号被尖峰噪声所湮没,采用低通滤波的方法可以将有效雪崩信号从尖峰噪声提取出来。为了探讨国产APD的参数水平,对不同温度不同探测效率下国产InGaAs/InP APD的暗计数及后脉冲概率,时间抖动性等相关性能参数进行了测量,并与国外数据进行了对比。当国产InGaAs/InP APD工作于一25℃,探测效率10%时,暗计数可低至9.9×10^(-7)/gate,后脉冲仅为1.5%,这表明在InGaAs/InP APD这一领域,我国已接近国外水平,但仍有一定的进步空间。 展开更多
关键词 单光子探测 正弦门 暗计数 后脉冲
下载PDF
边缘击穿抑制对InGaAs/InP盖革模式APD性能的影响 被引量:1
19
作者 迟殿鑫 高新江 +2 位作者 姚科明 陈伟 张承 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第3期361-364,399,共5页
基于吸收区倍增区分置(SAM)结构研制了一种用于单光子探测的平面型InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)。着重讨论了边缘击穿抑制效果对器件暗计数率、单光子探测效率,以及后脉冲概率等主要盖革模式性能参数的影响,并对其原因进行了... 基于吸收区倍增区分置(SAM)结构研制了一种用于单光子探测的平面型InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)。着重讨论了边缘击穿抑制效果对器件暗计数率、单光子探测效率,以及后脉冲概率等主要盖革模式性能参数的影响,并对其原因进行了探讨与分析。研究结果表明,有效抑制边缘击穿是获得高性能InGaAs/InP平面型盖革模式雪崩光电二极管的关键因素之一,受边缘击穿抑制效果影响,探测效率随过偏压增速缓慢,而当过偏压达到一定值时,暗计数率与后脉冲概率成倍增加。 展开更多
关键词 盖革模式 SAM 边缘击穿抑制 暗计数率 探测效率 后脉冲概率 过偏压
下载PDF
SNSPD的物理模型与研究进展 被引量:2
20
作者 尹合钰 成日盛 +5 位作者 徐正 蔡涵 蒋振南 李铁夫 刘建设 陈炜 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第11期683-694,共12页
基于超导原理的超导纳米线单光子探测器(superconducting nanowire single photon detector,SNSPD)以其在高量子效率、高计数率、低暗计数和低时间抖动等方面的优势引起广泛的研究。综述了SNSPD的物理模型和研究进展。首先从第一次在实... 基于超导原理的超导纳米线单光子探测器(superconducting nanowire single photon detector,SNSPD)以其在高量子效率、高计数率、低暗计数和低时间抖动等方面的优势引起广泛的研究。综述了SNSPD的物理模型和研究进展。首先从第一次在实验上发现超导铅薄膜的电热效应出发讲述了SNSPD的起源。然后从SNSPD进行单光子探测的物理过程出发详细分析了SNSPD的单光子探测机制,并分别根据电热模型和唯象模型对探测机制进行了详细的物理解释。紧接着,详细阐述了量子效率分析模型,指出SNSPD的系统量子效率由本征量子效率、耦合效率和光吸收效率三部分组成。最后,从如何提高入射光子与SNSPD的耦合效率、如何提高光子吸收效率、如何提高SNSPD本征量子效率、研究基于新型材料的SNSPD、如何实现光子数分辨和对光子偏振态不敏感的SNSPD、以及研究SNSPD的噪声机制以减小暗计数和时间抖动等方面详细列举了目前各小组研究SNSPD所取得的最新进展。 展开更多
关键词 超导纳米线单光子探测器(SNSPD) 电热模型 唯象模型 量子效率 分辨光子数 暗计数 时间抖动
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部