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基于MEMS实现SOI压力传感器的工艺研究 被引量:5
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作者 耿振亚 宋国庆 张冬梅 《传感器世界》 2010年第1期28-31,共4页
应用压组效应原理制作硅氧化物绝缘体(SOI)压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,本文说明了SOI在微电子机械系统(MEMS)技术上的实现优势,并对压力传感器SOI结构的实现工艺进行了探索性试验,完成了SOI压力传感器的设计和封装... 应用压组效应原理制作硅氧化物绝缘体(SOI)压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,本文说明了SOI在微电子机械系统(MEMS)技术上的实现优势,并对压力传感器SOI结构的实现工艺进行了探索性试验,完成了SOI压力传感器的设计和封装,在强调了压力传感器的测试方法的同时,对所设计的样品进行了测试。 展开更多
关键词 压力传感器 硅氧化物绝缘体(SOI) 微电子机械系统(MEMS) 压阻效应
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